【課題】ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法、例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができ、腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態であり、電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Ｉｎと；Ｚｎと；Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｇ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。誘電材料は、公式Ｒ_x−Ｇｅ_y−Ｔｉ_z−Ｏ_wを有することが好ましく、ここで、．０５≧ｘ≦１、．０５≦ｙ≦１、０．１≧ｚ≦１、１≧ｗ≦２、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１であり、さらに好ましくは、０．１５≧ｘ≦０．７、．０５≧ｙ≦０．３、０．２５≧ｚ≦０．７、１．９５≧ｗ≦２．０５であり、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１である。本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】
レジストとして使用される有機組成物に変わる良好なパターニングの結果をもたらす組成物を提供すること。
【解決手段】
安定化させた前駆体溶液が放射状無機コーティング材を形成するべく使用され得る。該前駆体溶液は、一般的に金属亜酸化物陽イオン、過酸化物系リガンド、および多原子陰イオンを含む。この前駆体溶液の高レベルの安定性を得るために前駆体溶液の設計をし得る。得られるコーティング材は、紫外線、Ｘ線放射線又は電子ビーム放射線のような選択された放射線によるパターニング用に設計され得る。この放射状パターン形成されたコーティング材が材料特性に関して高いコントラストを有し得ることによって、潜像の現像にきわめて低いライン幅粗さを有するラインおよびきわめて小さなピッチを有する隣接構造体をうまく形成し得る。 （もっと読む）

【課題】優れたバリア性能を有するＥＢＣ膜を形成することができるアルミナ薄膜形成用材料、及びこの材料を用いてなる環境バリアコーティング膜を備える耐熱部材を提供する。
【解決手段】本発明のアルミナ薄膜形成用材料は、アルミナ粉末と、Ｈｆ及びＺｒからなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む化合物粉末と、を含有し、環境バリアコーティング膜の形成に用いられる。アルミナ粉末と、酸化物換算した化合物粉末との合計を１００モル％とした場合に、化合物粉末は０．０５〜５モル％であることが好ましい。また、本発明の耐熱部材は、耐熱基材と、その表面に、本発明のアルミナ薄膜形成用材料を用いて設けられた環境バリアコーティング膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な断熱特性と基材への良好な結合とを有し、従って長い寿命を有するセラミック粉末、セラミック層及び層組織を提供する。
【解決手段】パイロクロア構造Ｇｄ_v（Ｚｒ_xＨｆ_y）Ｏ_z、特にパイロクロア構造Ｇｄ_v（Ｚｒ_xＨｆ_y）Ｏ_zのみと、特に０．５重量％〜１０重量％の割合のジルコニウム（Ｚｒ）及び／又はハフニウム（Ｈｆ）の二次酸化物を含有してなり、焼結助剤として０．０５重量％以下の酸化ケイ素、０．１重量％以下の酸化カルシウム、０．１重量％以下の酸化マグネシウム、０．１重量％以下の酸化鉄、０．１重量％以下の酸化アルミニウム及び０．０８重量％以下の酸化チタンを有していてもよいセラミック粉末、特にこれらのパイロクロア構造とＨｆ及び／又はＺｒの二次酸化物とから成り、焼結助剤を有していてもよい、セラミック粉末。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】安全性に優れたリチウム二次電池などの電気化学デバイスにおいて固体電解質材料として使用可能な、高速なリチウムイオン伝導性に適する正方晶系のガーネット型リチウムイオン伝導体、その製造方法、及び該酸化物により構成された固体電解質を提供する。
【解決手段】リチウム、ランタン、酸素をその主要構成元素として、さらにジルコニウム及び／又はハフニウムを含有する化合物からなり、正方晶ガーネット型の結晶構造を有することを特徴とするリチウムイオン伝導性酸化物である。この酸化物は、種々の電気化学デバイスを構成する固体電解質部材として、好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】厳しい熱環境での使用を意図した、超合金基板上の遮熱コーティングとして有用な組成物を提供する。
【解決手段】このコーティングは、主に正方晶相の状態において安定化したジルコニアを含む。組成物は、基本的にジルコニア（ＺｒＯ₂）又はジルコニアとハフニア（ＨｆＯ₂）との組合せから成るセラミック成分と、ＹｂＯ_1.5、ＨｏＯ_1.5、ＥｒＯ_1.5、ＴｍＯ_1.5、ＬｕＯ_1.5、及びそれらの組合せより選択される第１の補助安定剤、並びにＴｉＯ₂、ＰｄＯ₂、ＶＯ₂、ＧｅＯ₂、及びそれらの組合せより選択される第２の補助安定剤を組み合わせて含む安定剤成分とを含む。任意で、この安定剤成分はＹ₂Ｏ₃を含む。この安定剤成分は、コーティング中で主に正方晶相の状態を実現するのに有効な量だけ存在する。
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