酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタが提供される。酸化物半導体はＺｎ原子及び、Ｔａ又はＹ原子のうちの少なくとも１つの原子を含み、薄膜トランジスタはＺｎ原子及び、Ｔａ又はＹ原子のうちの少なくとも１つの原子を含む酸化物半導体を含むチャンネルを有する。 （もっと読む）

【解決課題】酸化チタン等の金属酸化物と硫黄化合物又は窒素化合物との混合物を、焼成容器中で焼成する際に、該焼成容器に焼成物粉の付着がなく、該焼成容器の変色が少なく、且つ焼成容器を空焼きすることなく再使用することができる金属酸化物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】酸化チタンなどの原料金属酸化物又はその前駆体と、硫黄化合物又は窒素化合物のうち少なくともいずれか、あるいは、これらいずれもと、の混合物を、内壁がチタン又はチタン合金である焼成容器中で焼成することを特徴とする金属酸化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オプトセラミックス、それから製造された光学エレメント、それらの用途、およびイメージング光学素子を提供する。
【解決手段】オプトセラミックス、それから製造された屈折率、透過性、回折光学素子、その用途、及びイメージング光学素子システムに関する。これらのオプトセラミックスと光学エレメントは、可視光線及び／又は赤外放射に透明である。オプトセラミックスは、結晶マトリックス、すなわち、多結晶質材料からなる、ここで、少なくとも９５質量の単一クリスタライトは立方晶黄緑石または蛍石構造（図１）を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】結晶育成の成功率が８０％以上に改善され、しかも、結晶中の転位列の発生が抑制された高品質酸化物単結晶を再現性良く、低コストで製造可能な酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いてニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム等の酸化物単結晶を育成する方法において、育成される結晶の直胴部３の直径ｄと坩堝５の内径Ｄの比ｄ／Ｄを０．８〜０．９として育成する。育成結晶と用いる坩堝５の直径比が大きいため、所望の直径ｄの単結晶を得るのに必要な坩堝５が小さくて済み、高価な貴金属類の使用量が減る。 （もっと読む）

【課題】高密度のメモリデバイスとして有用な強誘電体メソ結晶を基板表面に配向して規則正しく並んだ構造の強誘電体薄膜およびその製造方法の提供。
【解決手段】各種基板上へスピンコーティングにより原料溶液を塗布（１段目、２０００回転、１０秒、２段目、４０００回転、３０秒）し、その後、大気中で熱処理して規則的に配列されたナノサイズの細孔からなる珪酸塩メソ多孔体薄膜を作製する。次に強誘電体前駆体溶液を合成し、この溶液中に珪酸塩メソ多孔体薄膜の形成された基板をつけ込み、1日静置し、取り出した後、空気中で焼成することにより珪酸塩ナノ多孔質薄膜の細孔内に強誘電体メソ結晶が充填されてなる強誘電体担持薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】還元処理の効果が再現性良く安定して発現されるタンタル酸リチウム基板の材料となるタンタル酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液８が収容される坩堝１の周囲と上方側にジルコニア耐火物２が配置された耐火物構造の電気炉を用いてチョコラルスキー法によりタンタル酸リチウム単結晶を製造する方法において、坩堝上方側に配置されたジルコニア耐火物２の少なくとも原料融液８と対向する面に、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた高融点金属板により構成され、ジルコニア耐火物２の破片が原料融液８内に混入することを防止する落下防止部材９を設ける。 （もっと読む）

【課題】 不定比欠陥を有するも、完全な定比組成のタンタル酸リチウム単結晶と同様の特性を維持したタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子を提供すること。
【解決手段】 周期分極反転構造を有するタンタル酸リチウム単結晶に入射されるレーザー光の波長を、周期分極反転構造に基づく擬似位相整合により、短波長化または長波長化するタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子であって、タンタル酸リチウム単結晶は、Ｍｇ、Ｚｎ、ＳｃおよびＩｎからなる群から少なくとも一種選択される元素を０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、タンタル酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、タンタル酸リチウム単結晶の室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．５ｋＶ／ｍｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１のペロブスカイト型５価金属酸アルカリ化合物からなる高配向度の結晶配向セラミックス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る結晶配向セラミックスは、第１のペロブスカイト型５価金属酸アルカリ化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する結晶粒の特定の結晶面が配向しており、ロットゲーリング法による平均配向度が３０％以上であることを特徴とする。この結晶配向セラミックスは、その発達面が第１のペロブスカイト型５価金属酸アルカリ化合物の特定の結晶面と格子整合性を有する第１異方形状粉末と、第１異方形状粉末と反応して、少なくとも第１のペロブスカイト型５価金属酸アルカリ化合物を生成する第１反応原料との混合物を第１異方形状粉末が配向するように成形し、加熱することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平均孔径が小さく、高い表面積を有する多孔質金属酸化物膜を簡便な方法で得ることができる多孔質金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属元素の異なる２種類以上の金属源を含有する多孔質金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に多孔質金属酸化物膜を形成する多孔質金属酸化物膜の製造方法であって、上記多孔質金属酸化物膜形成用溶液に最も多く含まれる上記金属源の金属源モル分率が、７０％以下であることを特徴とする多孔質金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）