国際特許分類[C03C8/10]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | ガラス;鉱物またはスラグウール (20,277) | ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着 (12,070) | ほうろう;うわ薬;非フリット添加物をもつフリット組成物である溶融封止剤組成物 (1,088) | フリット組成物,つまり粉末化または粉砕された形にあるもの (479) | 鉛を含むもの (47)
国際特許分類[C03C8/10]の下位に属する分類
チタンまたはジルコニウムを含むもの (22)
国際特許分類[C03C8/10]に分類される特許
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高温ガラスソルダー及びその使用
【課題】約1100℃以下のろう付け温度で加工でき、かつろう付け工程の終了後に約900℃までの作動温度で使用できる高温度用ガラスソルダーを提供する。
【解決手段】20℃〜300℃の温度範囲での線熱膨張α(20-300)を8×10-6K-1〜11×10-6K-1の範囲で有し、質量%で10〜45%未満のBaO、0〜25%のSrO(20〜65%のBaO+SrO)、10〜31%のSiO2、2%未満のAl2O3、0〜10%のCs2O、0〜30%のRO、0〜30%のR2O3、0〜20%のR2Oからなるガラスソルダー。(ROはアルカリ土類金属酸化物、R2O3はB2O3等からなる酸化物、R2OはTi2O等の酸化物からなる。)
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半導体封入用ガラス
【課題】Sb2O3を含有せず、硝酸塩等の酸化剤の添加量が必要最小限であっても、低温で清澄作用を発揮するとともに、低温封入性を有し、しかも金属線との接着性が高い半導体素子用ガラスを創案すること。
【解決手段】本発明の半導体封入用ガラスは、ガラス組成として、質量%で、SiO2 10〜45%、PbO 40〜75%、CeO2 0.01〜3%、K2O 0.5〜10%を含有することを特徴とし、好ましくはSiO2 20〜45%、PbO 55〜65%、CeO2 0.05〜2%、K2O 0.5〜10%、Al2O3 0〜4%、B2O3 0〜10%を含有することを特徴とする。
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発光装置
【課題】 発光素子が実装されている基板上の複雑な三次元形状に対応したガラス封止部を、周辺の部材へ与えるダメージが少ない状態で、簡易に量産性良く形成する。
【解決手段】一対の電極を有する発光素子12と、発光素子が搭載される基板11と、基板に設けられ、発光素子の電極に電気的に接続される基板電極と、発光素子を封止したガラス封止部16aと、を有する発光装置であって、ガラス封止部は、基板上で発光素子の周辺部に供給された粉体ガラスあるいはそれと他の材料からなる封止材料が融着されてなり、封止材料を構成する全粒子中の一次粒子の割合が20%〜100%の範囲内である。
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絶縁性被膜材料
【課題】荷重センサに代表される電子材料基板開発において、低温で熔融できて耐水性の高い絶縁性被膜ガラス材料が望まれている。
【解決手段】 重量%でSiO2を1〜5、B2O3を10〜25、ZnOを4〜9、PbOを65〜82含むことを特徴とする絶縁性被膜ガラス材料。また、上記のガラスの粉末とセラミックス粉末のフィラーからなることを特徴とする絶縁性被膜材料。
軟化点が350℃以上480℃以下、30〜300℃における平均熱膨張係数が(85〜130)×10−7/℃である特徴も有す。
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ガラスからセラミック物品を製造する方法
ガラスから物品を製造するための本発明の方法は、外側表面を備える基材を供給する工程と、少なくとも2種の異なる金属酸化物を含む、少なくとも第1のガラスを供給する工程であって、第1のガラスがTg及びTxを有し、第1のガラスのTgとTxとの間の差異が少なくとも5Kであり、第1のガラスが20重量%未満のSiO2、20重量%未満のB2O3、40重量%未満のP2O5、及び50重量%未満のPbOを含有する、少なくとも第1のガラスを供給する工程と、ガラスの少なくとも一部が基材の外側表面の少なくとも一部を濡らすように、第1のガラスを周囲気圧以下でそのTg超まで加熱する工程と、ガラスを冷却して、基材の外側表面の少なくとも一部に付着したガラスを含むセラミックを含む物品を供給する工程と、を含む。このセラミックの気孔率は、20体積%未満である。 (もっと読む)
タブレット一体型排気管
【課題】タブレット一体型排気管に結晶性ガラスタブレットを適用した場合において、結晶性ガラスタブレットが封着工程で軟化流動した後に、ガラスに結晶が析出するタブレット一体型排気管を得ることにより、平面表示装置等の製造効率を向上させること。
【解決手段】本発明のタブレット一体型排気管は、拡径された排気管の先端部に、結晶性ガラスタブレットが取り付けるとともに、結晶性ガラスタブレットの封着面の全部または一部を研磨面とすることに特徴付けられる。
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プラズマディスプレーパネル用誘電体材料
【課題】本発明の目的は、輝度の向上に寄与し、焼成後に泡を包含しにくいプラズマディスプレイ用誘電体材料を提供することである。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイ用誘電体材料は、ガラス粉末を55〜95質量%、酸化チタン粉末を5〜40質量%含有するプラズマディスプレーパネル用誘電体材料であって、50%粒子径(D50)が0.5〜2.5μm、最大粒子径(Dmax)が15μm以下であることを特徴とする。
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プラズマディスプレーパネル用誘電体ペーストの製造方法
【課題】良好な表面状態の誘電体層を安定して形成することが可能なプラズマディスプレーパネル用誘電体ペーストの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス粉末の作製工程、及びペーストの作製工程を含むプラズマディスプレーパネル用誘電体ペーストの製造方法であって、ペースト作製工程における湿度を60%以下に管理することを特徴とする。
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低融点ガラス
【課題】プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】 重量%でSiO2を0〜6、B2O3を20〜40、ZnOを0〜15、PbOを18〜35、BaOを17〜37、RO(MgO+CaO+SrO)を0〜10、Al2O3を0〜8、CuOを0〜2、La2O3を0〜3、CeO2を0〜2、CoOを0〜1、MnO2を0〜1かつ(CuO+La2O3+CeO2+CoO+MnO2)を0.1〜3含むことを特徴とするSiO2−B2O3−ZnO−BaO−PbO系低融点ガラス。30℃〜300℃における熱膨張係数が(65〜95)×10−7/℃、軟化点が480℃以上580℃以下である特徴を有す。
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低融点ガラス
【課題】プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】 重量%でSiO2を0〜5、B2O3を17〜28、ZnOを20〜30、PbOを1〜20、BaOを13〜22、RO(MgO+CaO+SrO)を0〜10、Al2O3を0〜8、Bi2O3を5〜38、CuOを0〜2、La2O3を0〜3、CeO2を0〜2、CoOを0〜1、MnO2を0〜1かつ(CuO+La2O3+CeO2+CoO+MnO2)を0.1〜3含むことを特徴とするB2O3−ZnO−BaO−PbO−Bi2O3低融点ガラス。30℃〜300℃における熱膨張係数が(65〜95)×10−7/℃、軟化点が480℃以上580℃以下である特徴を有す。
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