【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】非接触電力伝送システムにおける、高い誘電特性および低い誘電損失を有し、順応性の良い効率的な材料の提供。
【解決手段】誘電材料は、(Ｍｇ_1-xＳｒ_x)_yＴｉＯ_(2+y)を含む酸化物材料を含んでいる。式中、ｘは０及び１の間の値に変化することができ、したがって０≦ｘ≦１であり、ｙは０、１又は２であり得る。さらに、電源に連結された第１のコイル１２、及び負荷に連結された第２のコイル１６を含む電力伝送システムが開示される。このシステムでは、誘電材料を含む場集束素子１８は第１のコイル１２と第２のコイル１６との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】拡散剤にＰｂ系材料を使用しなくても、良好な電気特性を提供する。
【解決手段】粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がＳｒＴｉＯ_３系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有されている。粒界絶縁化剤は、Ｐｂを含まない非Ｐｂ系材料で形成されると共に、ガラス成分が、Ｂ及びＰｂを含まないＳｉＯ_２−ＸＯ_２−ＭＯ−ＴｉＯ_２系ガラス材（Ｘはアルカリ金属、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａから選択された少なくとも１種を示す。）を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤１００重量部に対し３〜１５重量部である。部品素体２は、この粒界絶縁型半導体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物に含まれる成分の含有量にかかわらず、比誘電率および容量温度特性等の誘電特性を向上できる積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体層２と内部電極層とが積層された素子本体を有する積層型セラミック電子部品であって、誘電体層は、一般式ＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる１つ以上、ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる１つ以上）で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物と、Ｍｇの酸化物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元素の酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を含む誘電体磁器組成物から構成される。該誘電体磁器組成物は、誘電体粒子２０と粒界２２とを有しており、粒界におけるＭｇの含有割合をＤ（Ｍｇ）、Ｓｉの含有割合をＤ（Ｓｉ）とすると、Ｄ（Ｍｇ）がＭｇＯ換算で０．２〜１．８重量％、Ｄ（Ｓｉ）がＳｉＯ_２換算で０．４〜８．０重量％である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40〜48の範囲内において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域における共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＬａ_２Ｏ_ｘ・βＡｌ_２Ｏ_３・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）と表したとき、モル比α，β，γ，δが0.155≦α≦0.210，0.155≦β≦0.220，0.284≦γ≦0.360，0.284≦δ≦0.365、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足するとともに、前記組成式の成分100質量％に対してストロンチウムを酸化物換算で0.001モル部以上0.01モル部以下含んでなり、ＬａＡｌＯ_３−ＣａＴｉＯ_３のペロブスカイト相中に、ＣａＴｉＯ_３結晶が存在してなる誘電体セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、高周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも誘電率温度特性に優れ、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】酸化ストロンチウムをＳｒＴｉＯ_３換算で２９．３４〜４４．７０重量％、酸化ビスマスをＢｉ_２Ｏ_３換算で２２．５６〜２８．４８重量％、酸化チタンをＴｉＯ_２換算で２６．３６〜３０．２７重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で３．６１〜５．５６重量％、酸化ネオジムを、Ｎｄ_２Ｏ_３換算で、１．８６〜３．４２重量％、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．２１〜０．９９重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ_２換算で０．０６〜０．５０重量％含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）