【課題】焼成雰囲気調整なく高い焼結性、高い緻密性及び大きな熱伝導性を有する窒化珪素焼結体、並びにそれを用いた放熱性の大きな放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板及び放熱絶縁用モジュールの提供。
【解決手段】Ｓi_３Ｎ_４と、軽希土類元素と、重希土類元素及び／又はＹと、Ｓrとを含有する窒化珪素焼結体であり、Ｓi_３Ｎ_４の含有割合が８５〜９０モル％、前記軽希土類元素の含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、前記重希土類元素及び／又はＹの含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、Ｓrの含有割合が酸化物換算で３〜１３モル％であり、ラマン分光分析における波数５２１±２ｃｍ^−１の珪素ピーク強度（Ｓ１）と２０６±２ｃｍ^−１付近の窒化珪素のピーク強度（Ｓ２）との比Ｓ１／Ｓ２が０．１未満であることを特徴とする窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板、放熱絶縁用モジュール。 （もっと読む）

【課題】 透明性を有し、かつ導電性及び熱線遮蔽性に優れる薄膜あるいは成形体を形成できる、金属ホウ化物微粉末の安定的な製造方法を提供する。
【解決手段】 希土類金属、IVａ族遷移金属、Ｖａ族遷移金属及びVIａ族遷移金属の中から選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物に、酸化ホウ素及び炭素を加え、該炭素は金属酸化物及び酸化ホウ素に由来する酸素の総和に対し原子比１.３以上の割合で加え、不活性ガス雰囲気下で焼成する第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程での温度Ｔ_１より低い温度Ｔ_２にて残存する炭素を酸化分解する第２の熱処理工程、さらにＴ_１未満でＴ_２を越える温度域にて不活性ガス雰囲気下で焼成する第３の熱処理工程からなる金属ホウ化物微粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶融アルミニウム等の溶融金属で浸食されるのを抑制された金属蒸発発熱体を製造するのに好適なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】二硼化チタン粉末と窒化硼素粉末を含有する原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下で焼結する方法において、二硼化チタン粉末が、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された質量基準の粒度において、３２〜６４μｍの領域の頻度が全領域の３０％以上、４μｍ以上３２μｍ未満の領域の頻度が全領域の４５％以上、４μｍ未満の領域の頻度が全領域の１０％未満であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。原料粉末が、二硼化チタン粉末４５〜６０質量％、窒化硼素粉末４０〜５５質量％、酸化ストロンチウム粉末及び炭酸ストロンチウム粉末の少なくとも一方が３質量％以下（０質量％を含まない）からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温アンモニアガスに対する耐食性に優れ、しかも耐熱性があり、低熱伝導性である窒化ホウ素焼結体と、それを用いた半導体製造装置用の断熱部材を提供する。
【解決手段】質量と外寸より算出された嵩密度が０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３、ＪＩＳ Ｒ １６１１のレーザーフラッシュ法により測定された熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である窒化ホウ素焼結体。窒化ホウ素粉末１００質量部に対しアクリル系樹脂１０〜４０質量部を含む混合物を成型後、アクリル系樹脂を除去して嵩密度が０．９〜１．２ｇ／ｃｍ^３の多孔質成形体とした後、常圧焼結することを特徴とする上記窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明の窒化ホウ素焼結体からなる半導体製造装置用の断熱部材。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムを主成分とし、十分な熱伝導性と機械的強度を備え、導電性メタライズ層との接合強度が高く、かつ白色度が高くて高反射性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム粉末と、焼結助剤と、バインダーとを粉砕混合してスラリー状物質にした後に成形し、この窒化アルミニウム成形体を焼結して成る窒化アルミニウム焼結体であって、スラリー状物質は、粒子径が０.２μｍ以下である粒子が全体の１０重量％を占め、かつ２μｍ以下である粒子が全体の５０重量％を占め、かつ４μｍ以下である粒子が全体の９０重量％を占めることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】毒性が少なく存在量の多い元素により構成され、耐熱性、化学的耐久性等に優れ、しかも高い熱電変換効率を有する新規なｎ型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】一般式：Ｔｉ_１−ｘＡ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（式中、Ａは周期表における第４周期及び第５周期の遷移金属からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、０≦ｘ≦０．５； ０．５≦ｙ≦２；０．０１≦ｚ≦０．６である）で表される組成を有し、５００℃以上において絶対値が３０μＶ／Ｋ以上の熱起電力を有する金属酸窒化物熱電変換材料。
【効果】上記金属酸窒化物からなる新規なｎ型熱電変換材料、熱電変換素子及び熱電変換モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】耐食性を損なわせることなくその端部劣化を軽減した高寿命のボートを提供する。
【解決手段】二硼化チタンと、窒化硼素と、ストロンチウム化合物と、アルミニウム化合物とを含むものにおいて、更に０．１〜８．５質量％の炭窒化チタンを含有してなるセラミックス焼結体。硼化チタンが４０〜６０質量％、窒化硼素が３５〜５５質量％、炭酸ストロンチウムが０．３〜２．５質量％、並びにアルミニウム、アルミナ及び窒化アルミニウムから選ばれた少なくとも１種がＡｌ換算で０．３〜２．０質量％を含む原料粉末を成型し、それを非酸化性雰囲気中、温度８００〜１０００℃で1〜３時間保持した後、更に温度を高めて焼成するに際し、少なくとも、温度が１８００〜２２００℃の間でホットプレスをすることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明のセラミックス焼結体で構成された金属蒸発用発熱体。 （もっと読む）

【課題】導電性多孔質セラミックスの製造法において、製膜原液中に添加される珪素化チタンTiSi₂粉末粒子の平均粒子径が大きいものが用いられる場合にあってもあるいは珪素化チタンTiSi₂粉末の充填濃度が高い場合にあっても、製膜原液中のこの珪素化チタン粉末の分散性が改善され、その結果得られる導電性多孔質セラミックス、特に中空糸膜状導電性多孔質セラミックスのハンドリング強度をさらに改善せしめる方法を提供する。
【解決手段】珪素化チタンTiSi₂粉末を高分子物質および塩基性高分子型分散剤の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を焼成し、その際少くとも400℃以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することによって、珪素化チタンTiSiを主成分として形成される導電性多孔質セラミックスを製造する。導電性多孔質セラミックスは、好ましくは中空糸膜状として形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＳｉ_{０．８−１．２}（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなり、遊離Ｓｉが存在せず、相対密度が９９％以上であり、かつ平均結晶粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 水素化金属（Ｍ）粉とＳｉ粉を１：０．８〜１：１．２のモル比に調製・混合した後、焼成し、焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を一度に行い、得られたシリサイド粉を粉砕し、これを焼結して、遊離Ｓｉが存在せず、相対密度が９９％以上であるＭＳｉ_{０．８−１．２}（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなる焼結体を製造する。耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットが得られる。 （もっと読む）