【課題】ドライエリア発生時のクラックの発生が抑制された金属蒸発発熱体を製造するのに好適なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
二硼化チタン（ＴｉＢ_２）粉末と窒化硼素（ＢＮ）粉末を含有する原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下で焼結する方法において、ＴｉＢ_２粉末が、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された体積基準の粒度において、５μｍ未満の領域の頻度が全領域の１５％以下、５μｍ以上２０μｍ未満の領域の頻度が全領域の７５％以上、２０〜６２μｍの領域の頻度が全領域の１０％以下であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明では、原料粉末の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量部、ＢＮが３１．５〜５８．９質量部、ＡｌＮが０．３〜２．０質量部、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量部及びＦｅ又はＦｅ化合物が０．５〜３．５質量部であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックス膜を分離膜として用い、それによるろ過を長時間運転しても目詰まりを生ぜず、物理的洗浄または薬品洗浄とは異なる洗浄性を発揮し得る多孔質セラミックス膜を提供する。
【解決手段】珪素化タングステンまたは珪素化モリブデンよりなる多孔質セラミックス膜。多孔質セラミックス膜は、好ましくは中空糸膜状に形成される。多孔質セラミックス膜は、気体または液体の分離膜としてろ過に用いられ、目詰まりを生じたらそこに通電処理を施し、目詰まり物質を除去してろ過膜の再生を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐火物の耐食性と強度を更に高めることのできる窒化珪素鉄粉末と、それを用いた耐火物、特に出銑樋材や高炉出銑口閉塞用マッド材などとして適した耐火物を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が0.5〜250ｍ²/gの炭素粉を5〜20質量％を含有してなることを特徴とする窒化珪素鉄粉末である。更に、該窒化珪素鉄粉末と、耐熱性骨材と、炭素粉末及び／又は加熱によって炭素となる有機バインダーとを含有してなることを特徴とする耐火物である。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】ボートの製造工程で発生した加工屑を有効利用し、ボートの製造に好適なセラミックス焼結体を製造する。
【解決手段】ＴｉＢ_２（二硼化チタン）と、ＢＮ（窒化硼素）と、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）と、Ｓｒ（ストロンチウム）化合物と、Ｆｅ（鉄）又はＦｅ化合物と、Ｏ（酸素）を含む原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下、ホットプレス焼結するセラミックス焼結体の製造方法において、上記原料粉末の一部としてセラミックス焼結体の粉砕物を用い、そのセラミックス焼結体の粉砕物の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量％、ＢＮが３０〜５５質量％、ＡｌＮが０．３〜２．０質量％、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量％、Ｆｅ又はＦｅ化合物が０．５〜８．０質量％及びＯが１．０〜４．０質量％を含み、しかもこれらの成分の合計が９５質量％以上（１００％を含む）であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】タングステン添加ホウ化ジルコニウムの製造法を確立し、機械的特性が大幅に改善されたホウ化ジルコニウムの緻密な焼結体を提供する。
【解決手段】所定量のＺｒ粉末、所定量のＷ粉末および所定量のＢ粉末を湿式混合した後、加圧成形して成形体とし、前記成形体を放電プラズマ焼結することにより、タングステン添加ホウ化ジルコニウムを得る。 （もっと読む）

【課題】一次相転移性物質を有効利用する方法を提供する。
【解決手段】温度によって体積が変化する一次相転移性を有する物質は、一次相転移が生じる温度の前後で、線膨張率が著しく異なる。この性質によって一次相転移性物質は、熱スイッチるいはサーミスタに用いることができる。 一次相転移性物質として、ペロブスカイト型マンガン窒化物結晶の線膨張係数を測定し、感温素子に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】アスベストを分解するとともに、分解後の生成物を利用できる、ケイ酸塩鉱物の分解方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸塩鉱物と、酸化ホウ素と、金属とを含む第１の混合物を反応させ、ホウ化物と、金属酸化物とを含む第２の混合物を分解生成物とすることを含む。ケイ酸塩鉱物としては、アスベストを用いることができる。この場合、上記反応は、下記の反応を含む。
ｍ_１１Ｍｇ_６Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_８＋ｍ_１２Ｂ_２Ｏ_３＋ｍ_１３Ｍｇ
→ｍ_１８（Ｍｇ，Ｓｉ）Ｂ_α＋ｍ_１４ＭｇＢ_２＋ｍ_１５ＳｉＢ_６＋ｍ_１６ＭｇＯ
＋ｍ_１７Ｈ_２Ｏ （もっと読む）

【課題】希土類窒化物は、イットリア以上の耐蝕性を持つ半導体製造装置用部材を作製できると期待されるが、希土類窒化物単体では酸化しやすい性質であり、例えば大気中では希土類酸化物に変化してしまう問題があった。
【解決手段】希土類窒化物からなるプラズマ耐蝕性材料であって、金属元素としてＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの中から少なくとも１種類の元素を金属元素の割合として０．１〜２０原子％含有することを特徴とするプラズマ耐蝕性材料は、プラズマに対する耐性が高く、このようなプラズマ耐蝕性材料は、希土類窒化物粉末に金属を混合した粉末を使用して溶射膜を形成することで製造することが出来る。 （もっと読む）