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国際特許分類[C07C5/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 非環式化合物または炭素環式化合物 (64,036) | 同数の炭素原子を含有する炭化水素からの炭化水素の製造 (665)

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【課題】 ガスクラスレート生成過程において生成されたガスクラスレートによって反応管路が閉塞することを可及的に防止して、効率よくガスクラスレートを製造する方法および装置を得る。
【解決手段】 原料液と原料ガスとを反応させてガスクラスレートを製造する方法において、原料液と原料ガスとをライン途中で混合して原料ガスを原料液に溶解させる混合・溶解工程と、混合・溶解されたものを反応管路に流しながら冷却してガスクラスレートを生成するガスクラスレート生成工程と、既に生成されたガスクラスレートを前記反応管路に注入するガスクラスレート注入工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】ガスハイドレートスラリーから、不具合なく効率的に原料水を脱水除去してガスハイドレートを抽出するガスハイドレート製造装置およびガスハイドレート製造方法を提供する。
【解決手段】原料水と原料ガスとを反応させて、原料水にガスハイドレートが混合したスラリーを生成するガスハイドレートスラリー生成手段20、生成したガスハイドレートスラリーから、このスラリーに混合した原料ガスを除去するとともに、ガスハイドレートスラリーにおけるガスハイドレートスラリー濃度を高めて濃縮スラリーとする原料ガス除去手段30、およびこの濃縮スラリー(原料ガスが除去されている)から、原料水を除去してガスハイドレートを抽出する脱水手段40を有して構成されるガスハイドレート製造装置およびガスハイドレート製造方法。 (もっと読む)


【課題】 低圧下でも、ハイドレート化でき、ガス選択性に優れたハイドレート製造法及びガス精製法の提供
【解決手段】 低級炭化水素を含有する燃料ガスを有機物水溶液に1MPa以下の圧力で接触させるハイドレートの製造法であって、該有機物が、テトラヒドロフラン及びその誘導体、並びに4級アミン類及びその塩の中から選ばれる1種又は2種以上であり、且つ該有機物水溶液のpHを5以下又は8以上に調整したものであることを特徴とするハイドレートの製造法。 (もっと読む)


【課題】低圧のガスを昇圧する圧縮機を必要としない省エネ型のペレット供給方法。
【解決手段】ガスハイドレートと水を混合器で混合して高圧ガス化槽に供給する方法。(1)混合器18に常圧下でガスハイドレートaを供給する充填工程と、(2)混合器内の旋回室34に高圧ガス化槽17からの高圧水w’を供給して旋回流を発生させ、該旋回流に乗って旋回室の下方にある攪乱乱流室33内のガスハイドレートを旋回させ、かつ、水位の上昇を利用して混合器内で発生したガスgを圧縮する加圧水注入工程と、(3)攪乱排出室内で旋回しているガスハイドレートと高圧水の混合体bを高圧ガス化槽に供給する排出工程と、(4)混合器内のガスハイドレートを高圧ガス化槽に払出した後、混合器の上部に溜まっていた高圧ガスg’を、高圧ガス化槽からの高圧水を利用して高圧ガス化槽内に導く注水ガス抜き工程とから成る。 (もっと読む)


【課題】複数の装置から構成されるガスハイドレート生成装置を一体化してシンプルで効率的なガスハイドレート製造設備にする。
【解決手段】水wとガスgとを反応させてガスハイドレートhを生成した後、このガスハイドレートを脱水して高濃度のガスハイドレートを製造する装置である。水wとガスgとを反応させてガスハイドレートhを生成するハイドレート生成装置1と、該ハイドレート生成装置1で製造されたガスハイドレートhの水分を分離するハイドレート脱水装置2とを上下に配置する。 (もっと読む)


【課題】メタンを含む天然ガス中の全ての成分を容易且つ確実にガスハイドレート化すると共に、再ガス化したときに、原料となる天然ガスと同じ成分のガスを得られるようにしたガスハイドレート生成方法及び装置を提供する。
【解決手段】メタンを含む天然ガス中の生成圧力の低いエタン、プロパン、ブタン等と水Wを、水に不溶で且つメタンより大きな分子量を有する液状ゲスト物質Lgを用い水和反応させ、主として構造II型のガスハイドレートGHIIを生成させる第一生成槽1と、第一生成槽1で生成されたメタンリッチのガスと水Wと前記液状ゲスト物質Lgを用い水和反応させ、構造H型のガスハイドレートGHを生成させる第二生成槽2とを備える。 (もっと読む)


【課題】構造Hハイドレートを高能率に製造する。
【解決手段】ゲスト物質流4体内において、冷却した大分子ゲスト物質6と水8とを衝突させ、衝突によって形成される混合微細液滴10をゲスト物質流体4と接触させることにより構造Hハイドレートを生成する。 (もっと読む)


【課題】 均一性が高く最適な粒径のハイドレート粒子が得られるハイドレート生成装置、およびハイドレート粒径制御方法を得る。
【解決手段】 反応タンク12内もしくは循環水ライン26に、CCDカメラ31(もしくはCCDカメラ33)を設け、このCCDカメラ31(もしくはCCDカメラ33)で撮像された画像を、粒径計測器32へ入力し、ハイドレート粒子の粒径dを求め、制御部34へ入力し、制御部34によって、反応タンク12内のハイドレート生成条件を制御することで、均一性が高く最適な粒径のハイドレート粒子を反応タンク12内で生成することができる。 (もっと読む)


【課題】原料ガスと水とを反応させて生成したガスハイドレートの脱水率を高め、ガスハイドレート生成プロセスの簡略化を図る。
【解決手段】容器2b内で原料ガスgと水wとを反応させてガスハイドレートnを生成するガスハイドレート生成装置である。前記容器2bの下部をガスハイドレート生成部A、その上方を脱水部Bとすると共に、前記容器2b内に、ガスハイドレート生成部Aから脱水部Bにわたってスクリュウ状の掻き上げ装置3を回転自在に設置する。 (もっと読む)


【課題】 輸送中、貯蔵中におけるハイドレート中のガスの残存率を向上させる。
【解決手段】 演算・制御装置60のハイドレート化率演算部72は、水分センサ56が検出信号に基づいてガスハイドレート生成物のハイドレート化率xを求め、評価関数・制御目標温度演算部78に入力する。残存率演算部80は、粒子径演算部76が求めたガスハイドレート生成物の粒子径と、製造・輸送条件設定部84に設定された製造条件、輸送条件と、残存率データ記憶部86に記憶されている粒子径に対応したガスハイドレートの残存率から、ガスハイドレートの残存率yを求めて評価関数・制御目標温度演算部78の入力する。評価関数・制御目標温度演算部78は、評価関数J=x・yを求めるとともに、評価関数Jが最大となる生成温度を求めて制御部82に制御目標温度として出力する。制御部82は、温度センサ54の検出する生成温度が制御目標温度となるように制御する。 (もっと読む)


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