【課題】密封されていない容器中で行うことができる、シクロプロペン複合体を製造するバッチ法を提供する。
【解決手段】（ｉ）１以上の分子カプセル化剤および（ｉｉ）溶媒を含む混合物を含むシクロプロペン複合体を調製するバッチ法を提供する。ここで、前記（ｉ）の量の、前記（ｉｉ）の量に対する比は、前記溶媒中の前記分子カプセル化剤の溶解度よりも高い。また、シクロプロペン複合体を調製する連続法を提供する。ここで、分子カプセル化剤の添加速度の、溶媒の添加速度に対する比は、前記溶媒中の前記分子カプセル化剤の溶解度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと原料水とを気液接触させてガスハイドレートスラリーを生成し、これを脱水してガスハイドレートを製造する方法において、その生成条件（攪拌速度や温度等）と脱水条件（脱水時間や移送圧力など）により製造されるガスハイドレートの含水量が変化してしまい、最終製品として、例えば、圧縮成型されたガスハイドレートペレットの品質（平滑性、堅さ、耐分解性）が不均一となる問題を解決するガスハイドレートの製造方法を提供する。
【解決手段】ガスハイドレートスラリーの濃度が所定の濃度よりも高いときは、ガスハイドレートの生成工程における攪拌速度を低下させると共に温度を上昇させ、前記ガスハイドレートスラリーの濃度が所定の濃度よりも低いときは、ガスハイドレートの生成工程における攪拌速度を上昇させると共に温度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 天然ガス等の原料ガスと原料水とを反応させて生成するガスハイドレートスラリーを、ガスハイドレートと水とに分離する分離装置を提供する。
【解決手段】 竪型円筒状本体５内に、この本体５の内壁面に沿って形成されたスパイラルリボン状の羽根１ａを有するスクリュー式掻き揚げ装置１を備え、更に、この本体５の上部にガスハイドレートの払出口７ａを設けて構成した分離装置Ａにより、この分離装置Ａの本体５内でガスハイドレートスラリーＳをガスハイドレートｎと水ｗ１とに分離し、前記掻き揚げ装置１によりガスハイドレートｎを上方に掻き揚げて払出口７ａより取り出す。 （もっと読む）

【課題】 脱水塔の円筒状本体内に原料ガスを供給して加圧すると共に、前記円筒状本体周囲に設けた排水室内のガスを吸引して減圧したガスハイドレートスラリーの脱水装置を提供する。
【解決手段】 前記ガスハイドレートスラリーＳが導入される脱水装置６を構成する内筒８に分離部７を形成し、該内筒８と所定の間隔を有して配置された外筒９とにより排水室１０を形成し、前記排水室１０に排気ブロワＢ２と排水ポンプＰ２とを接続し、前記内筒８に原料ガスＧ１の給気ブロワＢ３を接続し、更に、前記内筒８内と排水室１０内の圧力差を検出する差圧検出器ｘ１を設け、該差圧検出器ｘ１の信号により前記排気ブロワＢ２及び／若しくは給気ブロワＢ３を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】短時間にハイドレート含有率の高いガスハイドレートの製造方法と装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力と温度を保持した反応器２内に原料ガスＧと原料水Ｗとを導入し、該原料ガスＧと原料水Ｗとを接触させて粉末状の天然ガスハイドレートを含有する第１のスラリーＳ１を生成する第１の工程と、前記第１のスラリーＳ１の表面に前記天然ガスハイドレートが存在するような液面ＷＬを形成するとともに、該液面ＷＬを原料ガスＧに接触させて天然ガスハイドレートの粒経を増大させた第２のスラリーＰ２を生成する第２の工程とよりなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】原料混合ガスの組成と、製造された混合ガスハイドレートにおけるガス組成とをできるだけ速やかに同一にする混合ガスハイドレートの製造方法を提供する。
【解決手段】混合ガスｇと水ｗとを反応させてスラリー状のガスハイドレートを生成するガスハイドレート生成工程と、ガスハイドレートスラリーｓから水ｗを除去する脱水工程と、水を除去した後のガスハイドレートをペレット状に加工するペレット成型工程と、ガスハイドレートペレットｐを氷点下に冷却して凍結する凍結工程と、凍結したガスハイドレートを貯蔵圧力まで減圧する減圧工程とを有する混合ガスハイドレート製造方法である。前記ガスハイドレート生成工程に供給する混合ガスｇを、該混合ガスｇの主成分を構成している希釈用のガスｍによって稀釈する。 （もっと読む）

【課題】ガスハイドレート堆積層、特に資源としてのガスハイドレート堆積層からガスを回収するに際しての問題を解決する。
【解決手段】ガスハイドレート堆積層にガスハイドレート分解促進効果がある添加剤水溶液を注入して分解したガスを回収する方法であって、ガスハイドレート堆積層からガスへの分解速度を増加したい場合には、堆積層への添加剤水溶液を適切な注入流量にすることによりガス分解速度を増加させ、一方、ガスへの分解速度を減少させたい場合には、堆積層への添加剤水溶液を過剰な注入流量にすることによりガス分解速度を減少させることを特徴とするガスハイドレート堆積層からガスを回収する方法及びそのための装置。 （もっと読む）

【課題】クラスレート化するガス量を実質上減少させることなく、クラスレートの生成条件をより高温側、より低圧側にシフトさせるガスクラスレートの生成促進剤及びその生成促進剤を使用してガスクラスレートを生成する方法を得る。
【解決手段】非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤または両性界面活性剤からなるガスクラスレート生成促進剤、及び、それら生成促進剤を使用してガスクラスレートを生成する方法。 （もっと読む）

【課題】スクワレンからトリテルペンへの環化反応のようなポリエン類の環化反応を、有機溶媒や酸・塩基触媒を用いることなく、環境負荷を与えないで化学合成できる方法を提供すること。
【解決手段】超臨界状態に近い高温高圧水環境において、触媒無添加で、ポリエン類の環化反応を行なうことで課題が解決できる。 （もっと読む）

【目的】導体用材料として使用し焼成しても、有害なＳＯ_ｘやＣｌ_２が発生しない、貴金属酢酸塩誘導体及びそのアセチリド化合物を提供する。
【構成】本発明の金属化合物は、その主配位子が酢酸根（あるいはカルボキシラート基）あるいはそれとアセチリド、置換アセチリド、そのオリゴマーあるいはアセチリド誘導体からなり、硫黄やハロゲンを含有しない。そのうえ、亜硫酸塩を使用する工程も存在しないため、本発明に係わる金属化合物から導体用ペーストを生成してセラミック電子部品を製造しても、有害なＳＯ_ｘやＣｌ_２が発生しない。ＳＯ_ｘやＣｌ_２を発生しない本発明に係る金属化合物は、セラミック電子部品等完成品の性能の安定性にも寄与する。更に、金属化合物の配位子の炭素数の制限を緩和したため、前記配位子の選択範囲が広がる。 （もっと読む）