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国際特許分類[C07F7/21]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物 (10,137) | 周期律表の第4族の元素を含有する化合物 (2,931) | ケイ素化合物 (2,397) | 環中にケイ素を含有しかつ炭素を含有しない環を少なくとも1個もつ環状化合物 (114)

国際特許分類[C07F7/21]に分類される特許

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N−カルバゾリルアルキル基及び加水分解性基を有する硬化性のカルバゾリル官能基含有シクロシロキサン、前記硬化性のカルバゾリル官能基含有シクロシロキサンを含むシリコーン組成物、前記シリコーン組成物を硬化させることによって調製される硬化したカルバゾリル官能基含有ポリシロキサン、及びカルバゾリル官能基含有ポリシロキサンを含む有機発光ダイオード(OLED)。 (もっと読む)


環状有機水素シロキサンの調製方法が、(A)式RHSiClのシランで、Rがアリール基と1〜12の炭素原子を有するアルキル基とから選択されるシランを、水と接触させ、環状有機水素シロキサンと直鎖有機水素シロキサンとを含む加水分解物を形成させること、ならびに、(B)不活性液体希釈剤の存在下で、該加水分解物を酸性転位触媒と接触させ、該加水分解物中の該直鎖有機水素シロキサンに対する該環状有機水素シロキサンの割合を上昇させることを含む。該酸性転位触媒は強酸基を含む有機化合物、例えばスルホン酸であり、それは該不活性希釈剤に溶解される。 (もっと読む)


本発明は半導体または電気回路での低いk誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式[(RSiO1.5(RSiO)](式中、a、bは0〜1であり、c、dは1であり、m+nは3以上であり、a+bは1であり、n、mは1以上であり、Rは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Xはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプXの少なくとも1つの前記基を有するタイプRの置換基であり、Yはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプO−SiZの置換基であり、Z、ZおよびZはフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプRの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプRの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプXおよびYの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプYの置換基として少なくとも1個のヒドロキシル基を有する)の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いk誘電性フィルムに関する。 (もっと読む)



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