【課題】CVDプロセス条件の下でのTOMCATSタイプ・シロキサンの重合を排除又は抑制すること。
【解決手段】（a）電子材料の加工でシリコン酸化物の化学気相堆積プロセスにおいて用いられる1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンなどのシクロテトラシロキサンを重合に対して安定化させるためのものであって、そのようなシクロテトラシロキサンに有効な量の酸化防止重合抑制剤を加えることを含む方法、及び（b）シリコン酸化物の化学気相堆積プロセスにおいて前駆物質として用いられる、重合に対して安定化された、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンなどのシクロテトラシロキサンと酸化防止剤とを含む組成物。 （もっと読む）

【課題】α，β―ジオール基を有するシルセスキオキサンを提供すること。また、シルセスキオキサンとヒドロキシアルキルセルロースを含有してなる有機無機ハイブリッド樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ａ）で表される籠型構造体シルセスキオキサンと、一般式（Ｂ）で表される部分開裂籠型構造体シルセスキオキサンとを含んでなる組成物。
（ＲＳｉＯ_３／２)_ｌ ・・・（Ａ）
（ＲＳｉＯ_３／２）_ｍ（ＲＳｉＯ_２Ｈ）_n ・・・（Ｂ）
［一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、ｌは４以上の任意整数、ｍは４以上の任意整数、ｎは１以上の整数を表し、ｎ／(ｌ＋ｍ)は０．０３〜０．２である。
各Ｒは同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはアリールオキシ基、炭素数１〜２０の飽和炭化水素基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、ケイ素数１〜１０のケイ素原子含有基、及びα，β−ジオールを有する基から選択される基を表す。但し、１つの分子内で少なくとも１つはα，β−ジオールを有する基であり、α，β−ジオールを有する基が複数の場合、互いに同一でも異なっていても良い。］ また、シルセスキオキサンを含有するヒドロキシアルキルセルロース。 （もっと読む）

【課題】 シリカ充填ゴムにおけるシリカカップリング／分散剤の製造方法
【解決手段】 （ａ）（ｉ）水、（ｉｉ）水のための酸−安定性溶媒、（ｉｉｉ）固体の強カチオン性の加水分解および縮合触媒、並びに（ｉｖ）トリアルコキシシラン化合物を反応混合物として組み合わせ、（ｂ）反応混合物を約０．５時間〜約２００時間にわたり反応させてアルコキシ改質シルセスキオキサン類を生成し、そして（ｃ）アルコキシ改質シルセスキオキサン類を反応混合物から回収する段階を含んでなるアルコキシ改質シルセスキオキサン（ＡＭＳ）類または共−アルコキシ改質シルセスキオキサン（ｃｏ−ＡＭＳ）類の製造方法が提示される。この反応系における固体の強カチオン性触媒の使用は、それらが反応中に固体として残存して可溶性ＡＭＳまたはｃｏ−ＡＭＳ生成物からの固体触媒の簡易化した分離を可能にして残存酸触媒を含まないかまたは実質的に含まないＡＭＳまたはｃｏ−ＡＭＳ生成物の全てまたはほとんど全ての回収並びに再循環用の触媒の事実上全ての回収をもたらすため、有利である。改良されたＡＭＳおよびｃｏ−ＡＭＳ化合物、それらを含有する加硫可能なゴム化合物、並びに加硫したゴム化合物から製造された成分を有する空気入りタイヤも提示される。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、特にプラズマＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜４の鎖状又は分岐状アルキル基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。）
で示されるビニル基含有環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】分子構造が明確となっている剛直なシロキサン骨格を有するかご型シルセスキオキサンを収率よく取得する方法を提供する。
【解決手段】一般式ＲＳｉ（ＯＲ’）_３（式中、Ｒはアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、またはアルケニル基を表し、Ｒ’はＨまたはアルキル基を表す）で表される３官能性シランまたはその低次縮合体を、水溶性溶媒中で、脂肪族アミンを触媒として用いて、反応させる。 （もっと読む）

【課題】レジストとしての物性に優れたポジ型レジスト組成物を与えることのできる環状シロキサン化合物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物及び／又は下記一般式（１）で表される化合物を下記一般式（２）で表されるジビニル化合物とヒドロシリル化反応させて得られる化合物を、下記一般式（３）で表されるモノビニル化合物とヒドロシリル化反応させて得られる環状シロキサン化合物である。


ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｒ^２−ＣＨ＝ＣＨ_２ （２）
ＣＨ_２＝ＣＲ^３−（Ｒ^４）_ｈ−Ｔ （３） （もっと読む）

【課題】メロシアニン誘導体。
【解決手段】式（１）


（式中、
Ｌ₁、Ｌ₂及びＬ₃は、それぞれ互いに独立して水素原子を表し；又はＬ₁及びＬ₃は結合し
て炭素環を形成し得；
Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ互いに独立してＣＮ；−ＣＯＲ₅；−ＣＯＯＲ₅；−ＣＯＮＲ₅Ｒ₆；炭素原子数１乃至２２のアルキル基；炭素原子数２乃至２２のアルケニル基；炭素原子数２乃至２２のアルキニル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニル基；炭素原子数７乃至２０のアラルキル基；炭素原子数１乃至２０のヘテロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロヘテロアルキル基；炭素原子数３乃至１８のヘテロアラルキル基；炭素原子数６乃至２０のアリール基；炭素原子数１乃至１２のアルキルカルボニルアミノ−炭素原子数６乃至２０のアリール基；炭素原子数２乃至１２のヘテロアリール基；又は−Ｘ₂−Ｓｉｌ₂を表し；
ｎは１乃至４の数を表し；
ｎ＝１であるとき、
Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ互いに独立して水素原子；炭素原子数１乃至２２のアルキル基；ヒドロキシ−炭素原子数１乃至２２のアルキル基；炭素原子数２乃至２２のアルケニル基；炭素原子数２乃至２２のアルキニル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニル基；炭素原子数７乃至２０のアラルキル基；炭素原子数１乃至２０のヘテロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロヘテロアルキル基；炭素原子数６乃至２０のアリール基；炭素原子数３乃至１８のヘテロアラルキル基；炭素原子数２乃至１２のヘテロアリール基；−（ＣＨ₂）_u−ＳｉＲ₈Ｒ₉Ｒ₁₀；又は−Ｘ₁−
Ｓｉｌ₁を表し；
ｎ＝２であるとき、
Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ炭素原子数１乃至６のアルキレン基；又は、Ｒ₁及びＲ₂のうち一方が炭素原子数１乃至６のアルキレン基を表し、そして他方がｎ＝１で定義されているものを表し；
ｎ＝３であるとき、
Ｒ₁及びＲ₂のうち一方が三価の基を表し、そして他方がｎ＝１で定義されているものを表し；
ｎ＝４であるとき、
Ｒ₁及びＲ₂のうち一方が四価の基を表し、そして他方がｎ＝１で定義されているものを表し；
Ｒ₅及びＲ₆は、それぞれ互いに独立して水素原子；炭素原子数１乃至２２のアルキル基、炭素原子数２乃至２２のアルケニル基；炭素原子数２乃至２２のアルキニル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニル基；炭素原子数７乃至２０のアラルキル基；ＣＯＲ₇；炭素原子数１乃至２０のヘテロアルキル基；
炭素原子数３乃至１２のシクロヘテロアルキル基；炭素原子数３乃至１８のヘテロアラルキル基；炭素原子数６乃至２０のアリール基；炭素原子数１乃至５のアルコキシ基−炭素原子数６乃至２０のアリール基；−（ＣＨ₂）_t−ＳＯ₃Ｈ；−（ＣＨ₂）_v−（ＣＯ）−Ｏ
Ｒ₇；−（ＣＨ₂）_t−Ｏ−炭素原子数６乃至１０のアリール基；炭素原子数２乃至１２の
ヘテロアリール基；−（ＣＨ₂）_u−ＳｉＲ₈Ｒ₉Ｒ₁₀；又は−Ｘ₂−Ｓｉｌ₂基を表し；
Ｒ₇は水素原子；炭素原子数１乃至２２のアルキル基；炭素原子数２乃至２２のアルケニ
ル基；炭素原子数２乃至２２のアルキニル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニル基；炭素原子数７乃至２０のアラルキル基；炭素原子数１乃至２０のヘテロアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロヘテロアルキル基；炭素原子数３乃至１８のヘテロアラルキル基；炭素原子数６乃至２０のアリール基；又は炭素原子数２乃至１２のヘテロアリール基を表し；
Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀は、それぞれ互いに独立して炭素原子数１乃至２２のアルキル基；炭素原子数６乃至２０のアリール基；炭素原子数１乃至２２のアルコキシ基；又はＯ−炭素原子数６乃至２０のアリール基を表し；
又は、
Ｌ₃及びＲ₁、Ｒ₃及びＲ₄、Ｒ₁及びＲ₂、Ｒ₅及びＲ₆は結合して１、２、３又は４員の炭素環、又は、Ｎ、Ｏ及び／又はＳ−ヘテロ環を形成し得、それらはさらに他の芳香環と融合し得、そしてＮ−ヘテロ環の各Ｎ原子は非置換であるか又はＲ₁₁で置換され得、
そして、各アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基又はシクロアルキレン基は非置換であるか又は１つ以上のＲ₁₂で置換され得、
そして各アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはアラルキレン基は非置換であるか又は１つ以上のＲ₁₃で置換され得、
Ｒ₁₁はＲ₁₄；ＣＯＲ₁₄；ＣＯＯＲ₁₄；又はＣＯＮＲ₁₄Ｒ₁₅を表し；
Ｒ₁₂は水素原子、ＯＨ；ＮＲ₁₆Ｒ₁₇；Ｏ−Ｒ₁₆；Ｓ−Ｒ₁₆；ＣＯ−Ｒ₁₆；Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₆；オキソ；チオノ；ＣＮ；ＣＯＯＲ₁₆；ＣＯＮＲ₁₆Ｒ₁₇；ＳＯ₂ＮＲ₁₆Ｒ₁₇；ＳＯ₂Ｒ₁₆；ＳＯ₃Ｒ₁₆；ＳｉＲ₈Ｒ₉Ｒ₁₀；ＯＳｉＲ₈Ｒ₉Ｒ₁₀；ＰＯＲ₈Ｒ₉；又は−Ｘ₃−Ｓｉｌ₃基を
表し；
Ｒ₁₃は、炭素原子数１乃至１２のアルキルチオ基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルキルチオ基；炭素原子数１乃至１２のアルケニルチオ基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニルチオ基；炭素原子数１乃至１２のアルコキシ基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルコキシ基；炭素原子数１乃至１２のアルケニルオキシ基；又は非置換の若しくは１つ以上のＲ₁₂で置換された炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニルオキシ基；ハロゲン原子；ＣＮ；ＳＨ；ＯＨ；ＣＨＯ；Ｒ₁₈；ＯＲ₁₈；ＳＲ₁₈；Ｃ（Ｒ₁₈）＝ＣＲ₁₉Ｒ₂₀；Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₉；ＮＲ₁₈Ｒ₁₉；ＣＯＮＲ₁₈Ｒ₁₉；ＳＯ₂ＮＲ₁₈Ｒ₁₉；ＳＯ₂Ｒ₁₈；ＣＯＯＲ₁₈；ＯＣＯＯＲ₁₈；ＮＲ₁₉ＣＯＲ₂₀；ＮＲ₁₉ＣＯＯＲ₂₀；ＳｉＲ₈Ｒ₉Ｒ₁₀；ＯＳｉＲ₈Ｒ₉Ｒ₁₀；Ｐ（＝Ｏ）Ｒ₈Ｒ₉；又は−Ｘ₄−Ｓｉｌ₄基を表し；
Ｒ₁₄、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、Ｒ₁₉及びＲ₂₀は、それぞれ互いに独立して水素原子；炭素原子数１乃至２２のアルキル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルキル基；炭素原子数２乃至１２のアルケニル基；炭素原子数３乃至１２のシクロアルケニル基；炭素原子数６乃至２０のアリール基；炭素原子数２乃至１２のヘテロアリール基；炭素原子数７乃至１８のアラルキル基；又は炭素原子数３乃至１８のヘテロアラルキル基を表し；
Ｒ₁₄及びＲ₁₅、Ｒ₁₆及びＲ₁₇、及び／又はＲ₁₈及びＲ₁₉は結合して非置換の、又は炭素原子数１乃至４のアルキル基で置換されたピロリドン環、ピペリジン環、ピペラジン環又はモルホリン環を形成し得；
Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃及びＸ₄は、それぞれ互いに独立してリンカーを表し；
Ｓｉｌ₁、Ｓｉｌ₂、Ｓｉｌ₃及びＳｉｌ₄は、それぞれ互いに独立してシラン−、オリゴシロキサン又はポリシロキサン部分を表し；
ｔは０乃至１２の数を表し；
ｕは０乃至１２の数を表し；そして
ｖは０乃至１２の数を表す。）で表されるものに対応するメロシアニン誘導体を開示する。該化合物は化粧品用途における紫外線吸収剤として有用である。 （もっと読む）

ある局面では、本発明は、耐加水分解性シリコーン化合物に関する。具体的には、立体障害性耐加水分解性シリコーン化合物と高純度耐加水分解性シリコーン化合物が開示される。また、耐加水分解性シリコーン化合物の製造方法も開示されており、開示される方法による生成物；開示される化合物及び開示される方法による生成物を含む組成物及びポリマー；そして、開示される組成物、開示されるポリマー、開示される化合物及び開示される方法による生成物を含むコンタクトレンズ、眼内レンズ、人工角膜及び眼鏡レンズなどの眼用レンズも開示される。本要約は、特定の技術分野での調査のための検索ツールとして意図されるものであり、本発明を制限することを意図するものではない。 （もっと読む）

【課題】従来安定した分散ができなかった複数種の溶質分子を含む溶媒においても、安定して目的の溶質分子を分散させることが可能なナノ粒子複合体を提供すること。
【解決手段】親水基と両末端のフルオロアルキル基を有する鎖状オリゴマー部位と、３次元シリカネットワーク部位とから成り、次式
【化１９】


（式中のＸは親水基であって、それぞれ独立してＯＨ基、ＮＣＯ基、ＮＨ_２基、ＮＨＲ基（Ｒ：アルキル基）又はＯＣＹ基（Ｙ：親水基）、Ｒ_Ｆは炭素数２〜１０個で、分子量１１９〜１０００のフルオロアルキル基、３Ｄ‐ＳＮは３次元シリカネットワーク部位、Ｂはそれぞれ独立してＯ、Ｏ＝Ｃ−Ｏ、ＮＨ−Ｃ＝Ｏ又はＮＲ−Ｃ＝Ｏ（Ｒ：アルキル基）を示す。ｎは１≦ｎ≦１０、ｍは１≦ｍ≦ｎを示す。）で表される構造を有するホスト分子と、これに包摂されたゲスト分子を含有することを特徴とするナノ粒子複合体である。 （もっと読む）

【課題】かご状シルセスキオキサン、特にｎ＝８のＴ−８シルセスキオキサンを高い選択率で簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】アルコキシ基を有するかご状シルセスキオキサンの製造方法において、溶媒および塩基存在下、１当量のＳｉ−Ｈ結合を有するかご状シルセスキオキサンと、３０〜４０当量のアルコールとを２０〜３０℃で反応させるアルコキシ基を有するかご状シルセスキオキサンの製造方法。 （もっと読む）