トリクロロシランからシクロヘキサシラン化合物を調製する方法が提供される。該方法は、トリクロロシランと試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を生成する工程を含む。試薬組成物は、(a) 第三級ポリアミン配位子; および(b) 少なくとも約10.5のpKaを有する第三級アミンなどの脱プロトン化試薬を典型的に含む。テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物をシクロヘキサシランまたはドデカオルガノシクロヘキサシランに変換する方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】防湿性が向上された無機蛍光体粒子及びその製造方法並びに発光装置を提供する。
【解決手段】無機蛍光体粒子１０の表面の一部または全面に、架橋により硬化されたシルセスキオキサンの被覆層１２が形成されている。シルセスキオキサンは、以下の構造式で表される繰り返し単位を有し、式中Ｒは、炭素数１〜２０の有機基であり、Ｒの少なくとも一部は炭素−炭素二重結合、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基のいずれかを含む。このシルセスキオキサンにより、無機蛍光体粒子１０の表面に緻密な層を形成し、無機蛍光体粒子１０の防湿性を向上する。
【化１】
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【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】フェニル基にトリアルキルシリル基を有するＰＯＳＳの選択的合成と単離、及びニトロ化の提供。
【解決手段】トリアルキルシリルフェニル基を有する式（１）で表される完全縮合シルセスキオキサンを、トリアルキルシリルフェニル基を有するトリアルコキシシランから合成及び単離する。


トリアルキルシリル基をニトロ基に変換すれば、更に他の機能性官能基の導入を可能にする。 （もっと読む）

本発明の主題は、一般式（ＩＩＩ）：（Ｗ₄ＮＯＳｉＯ_3/2）_zのシリケート１００Ｍｏｌを、一般式（ＩＶ）：Ｒ¹₂ＹＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ¹₂Ｙのジシロキサン化合物 最高で１．３×５０×ｚＭｏｌと反応させることによる、一般式（Ｉ）：［ＲＳｉＯ_3/2］_zのオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した低誘電率絶縁膜用材料として有用な、新規な環状シロキサン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（２０）
【化１】


（式中、Ｒ^１８は炭化水素基を表し、Ｒ^１９は水素原子又は炭化水素基を表す。ｇは２乃至１０の整数を表し、ｈは１乃至３の整数を表す。）で示される環状シロキサン化合物［具体的例示:２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン］。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属）。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

Ｓｉ−Ｓｉ又はＳｉ−Ｎの単結合によって結合されている一般式（Ｉ）＝ＳｉＹ₂、及び（ＩＩ）＝ＮＲ³の単位４〜１０個から構成されている環状アザシラ化合物であって、前記式中、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²、水素、及びハロゲンから選択されており、Ｒ¹及びＲ²は水素、及び１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基から選択されており、Ｒ³は１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ただし環中で一般式（Ｉ）の単位の少なくとも２つはＳｉ−Ｓｉ単結合で相互に結合されており、基Ｙの最大３５ｍｏｌ％が水素であり、基Ｙの最大１５ｍｏｌ％がハロゲンである、前記環状アザシラ化合物、及びその製造方法。
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【課題】基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。
【解決手段】多孔質膜は、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じる官能基を有する化合物（Ｘ）を用いて形成され、空孔分布曲線における最大ピークを示す空孔直径が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】安全且つ容易に原子状水素を包接させることができる包接化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】籠状ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンを放電状況下に介在させることで籠状ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンに原子状水素を包接させる。放電により、籠状ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンが励起され、籠状ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンの置換基中の水素が脱離して水素イオンとなる。この水素イオンが籠状ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンに入り込んだ後、電子と再結合することによって原子状水素が包接された包接化合物が得られるものと考えられる。 （もっと読む）