【課題】粗面の割合が低い、高純度シリコンからの多結晶ロッドを、より経済的に製造する。
【解決手段】反応器壁、少なくとも２０本のフィラメントロッド、並びに反応器チャンバー内での反応ガス用のガス取り込み口を有する反応器チャンバーを包含する、多結晶シリコンを析出させるための装置であって、その際、各々のフィラメントロッドには、反応器壁付近のフィラメントロッドを除いて、１５０〜４５０ｍｍの間隔で、更に別の３本の隣接するフィラメントロッドと、１つ乃至３つの隣接するガス取り込み口とが存在している、多結晶シリコンを析出させるための装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】非粘着性のチューインガムベース材料、該材料から製造されるチューインガムコンパウンド、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】当該組成物は、その全質量に対して、それぞれ２５〜９０質量％の量でのポリ酢酸ビニル、５〜７０質量％の量でのラウリン酸ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ならびに１〜１５質量％の量での可塑剤からなる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを包装する方法において、シリコンの引っ掛かりを抑制すること
【解決手段】充填装置を用いて多結晶シリコンをプラスチックバッグに充填し、前記充填装置は非金属の汚染の少ない材料からなる懸吊されたエネルギー吸収体を有する多結晶シリコンの包装方法において、前記プラスチックバッグをエネルギー吸収体に被せ、多結晶シリコンを充填し、かつ前記プラスチックバッグを充填の間に下方向へ降下させて、シリコンを前記プラスチックバッグ中へ滑り込ませることを特徴とする、多結晶シリコンの包装方法 （もっと読む）

【課題】酸性の清浄化浴中での多結晶シリコン破砕物の清浄化方法において、安定なプロセス管理を可能にすること
【解決手段】清浄化が複数の清浄化サイクルを有し、各清浄化サイクルで所定量の酸が消費され、計算機制御された計量供給システムのインテグレータを用いて、各清浄化サイクルにおいて消費されたそれぞれの酸量を合計して清浄化浴中の酸の現在の全消費量とし、清浄化浴中で、この計量供給システムの最適な計量供給量に一致する酸の全消費量に達した後に、この計量供給システムが、貯蔵容器から取り出した新たな酸の最適な計量供給量を清浄化浴に供給する、酸性の清浄化浴中での多結晶シリコン破砕物の清浄化方法 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】明細書の背景技術に記載した欠点を有さないオルガノポリシロキサンの製造方法を提供する。
【解決手段】第一工程で、テトラクロロシランと、１．０〜７．０モルの一価アルコール及び０〜２モルの水からなる混合物とを反応させ、第二工程で、前記工程で得られた反応混合物と、水中に不溶性の０．９５ｋｇ／ｌ未満の密度を有する有機溶剤及び式Ｒ₃ＳｉＸのシランと混合し、その際、前記混合物には撹拌しながら水が、Ｓｉ成分１モルあたり０．２〜１００モルの水の量で計量供給され、かつ第三工程で、加水分解の水添加の完了後に、場合によりもう一度、式Ｒ₃ＳｉＸのシラン又は式Ｒ₃ＳｉＯＳｉＲ₃のジシロキサンを添加してよいオルガノポリシロキサンの製造方法において、第二工程で添加される一官能性シランの使用量が、テトラクロロシラン１モルに対して０．４３モルから２モルの間であることによって解決される。 （もっと読む）

【課題】析出サイクルにおける不純物の濃度を減らす方法を提供する
【解決手段】ａ）ＴＣＳを包含するシリコン含有成分及び水素を含有する反応ガスにより析出反応器中でフィラメント上に多結晶シリコンを析出させ、その際、水素を基準とした該シリコン含有成分のモル飽和度が少なくとも２５％である；ｂ）該析出からの排ガスを、該排ガスを冷却するための装置に供給し、ｃ）その際、吸着によって精製された、この凝縮しない成分の第一の物質流を取得し；かつ、ｄ）その際、該吸着ユニットの再生中に、脱着及び洗浄ガスを用いた洗浄により、この凝縮しない成分の第二の物質流を取得し、該物質流はＳＴＣを含有し、かつ、好ましくはＳＴＣをＴＣＳに変換するための変換器に供給することを包含する、ポリシリコンを製造する方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を解消すること。
【解決手段】チャンバ内には導電性材料からなる少なくとも４つの加熱素子または加熱素子の群が配置されており、各加熱素子または加熱素子の群は、電気エネルギー網の別個に閉ループおよび／または開ループ制御可能なサブシステムに接続されており、かつ直接的な電流通過によって加熱可能であり、別個に閉ループおよび／または開ループ制御可能な加熱素子または別個に閉ループおよび／または開ループ制御可能な加熱素子の群は、温度、加熱電力、電流、電圧、抵抗またはこの装置により影響される加熱素子のプロセス量からなる群からのパラメタの少なくとも１つの同じ値または異なる値に閉ループおよび／または開ループ制御可能であり、少なくとも４つの閉ループおよび／または開ループ制御可能なサブシステムがアースに対してガルバニック絶縁されている、腐食性ガスの温度処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】反応器の給電において、封止部を破壊する漏れ電流ないしはアークを検出して早期に遮断できるようにすると同時に、導電性の汚染物があっても、次の分解および洗浄を行うまでの反応器の動作時間を可能な限り長く維持できるようにすること。
【解決手段】電気エネルギー網の絶縁不良を監視し、所定の絶縁抵抗値を下回ることにより、電気エネルギー供給の遮断がトリガされる、ただし、前記電気エネルギー供給の遮断を行うスイッチング閾値は、前記封止部の幾何学的形状と、該封止部の材料と、給電電圧と、該封止部に流れる最大可能なクリープ電流によってトリガされ前記遮断直前に該封止部に入力可能な最大電気エネルギーとから成る群のうち、少なくとも１つのパラメータを考慮して求める。 （もっと読む）