【課題】誘電率、ヤング率等の膜特性の観点において優れた絶縁膜、およびそれを用いた電子デバイスを得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有するモノマーからカゴ型構造を有する重合体を製造する際、沈殿重合法を用いることを特徴とする重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、低誘電率であるとともに、耐熱性、機械的強度に優れた膜、該膜を提供できる膜形成用組成物、該膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】アダマンタン、ビアダマンタン、ジアマンタン、トリマンタン、テトラマンタンのカゴ型構造を有するモノマーの重合体よりなり、ラマン分光測定において、ラマンシフト３００〜３１００ｃｍ^-1の領域において最も強度が高いピークが６９０〜８００ｃｍ^-1に存在する膜、該膜を形成する膜形成用組成物、さらには該膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】誘電率、金属拡散バリア性等の膜特性に優れた絶縁膜、およびそれを用いた電子デバイスを得るための膜形成用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式で表される化合物の重合体を含有する膜形成用組成物。


式中、Ｑは、炭素原子で形成された環構造を含む基または炭素原子で形成されたカゴ構造を含む基を表す。ｌは１〜１０の整数を表し、ｍは０〜１０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。Ｘは任意の置換基を表す。Ｙは炭素−炭素不飽和結合を有する基を表す。ＲはＯ，Ｎ，Ｓ，Ｐ等の原子を含有する官能基を有する基を表す。 （もっと読む）

【課題】誘電率、金属拡散バリア性などの膜特性が良好な絶縁膜を形成するための膜形成組成物、該膜形成組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物の重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
(Ｘ)_ｍ−Ｑ−(Ｙ)_ｎ （Ｉ）
一般式（Ｉ）中、Ｑは環員数５または６の含窒素複素環を表す。
Ｘは任意の置換基を表す。
ｍは０〜１０の整数を表し、
ｎは１〜１０の整数を表す。
Ｙは所定の基を表す。 （もっと読む）

【課題】化学的および電気的に安定し、信頼性のある有機半導体薄膜を製造することができる新規な芳香族エンジイン誘導体を提供する。
【解決手段】下記化学式１〜化学式３のいずれかで表わされる芳香族エンジイン誘導体。
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【課題】耐溶剤性、耐熱性が高く、種々の有機溶媒に可溶で、長い主鎖共役を有し、簡便な化学的酸化／還元処理により、高い透明性を示すことが可能な新規な置換ポリアセチレン化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される、繰り返し単位をｎ個有してなるアセチレン系ポリマー。


（式中、ｎは、10から10000である整数を示す。Ａは、ナフチル基、フェナントリル基、ピレニル基、又はアントリル基を表し、アルキル基、芳香族炭化水素基により置換されているアルキル基、Ｒ^１−Ｏ−基、−Ｓ−Ｒ^２基、−ＮＲ^３Ｒ^４、シアノ基、カルボキシル基、Ｒ^５ＳＯ_２−、−ＣＯＯＲ^６基、−ＣＯＮ（Ｒ^７）（Ｒ^８）基及び−ＣＯＲ^９から選ばれる基によりモノ置換又はジ置換されている（Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^９はアルキル基、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^８は水素原子又はアルキル基である）。繰り返し単位は必ずしも互いに同一である必要はない。） （もっと読む）

【課題】耐溶剤性、耐熱性が高く種々の有機溶媒に可溶で、簡便な化学的酸化／還元処理により、高い透明性を示すことが可能な新規な置換ポリアセチレン化合物の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される、繰り返し単位をｎ個有してなるアセチレン系ポリマー。


（式中、ｎは、１０から１００００の整数。Ａは、ナフタレン基又はアントラセン基から選ばれる基、Ｂは、置換基Ｘによりｍ又はｐの位置が置換されているフェニル基を表す。置換基Ｘは、アルキル基、Ｒ^１−Ｏ−基、−Ｓ−Ｒ^２基、−ＮＲ^３Ｒ^４、シアノ基、カルボキシル基、Ｒ^５ＳＯ_２−、−ＣＯＯＲ^６基、−ＣＯＮ（Ｒ^７）（Ｒ^８）基及び−ＣＯＲ^９から選ばれる基（Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^９はアルキル基、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^８は水素原子又はアルキル基）である。） （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜、さらには該絶縁膜の形成に用いる膜形成用組成物および該絶縁膜を有する電子デバイス等を提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物と有機溶媒とを含有する膜形成用組成物を用いて形成され、ガラス転移温度が３００℃以上であることを特徴とする絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス、カゴ型構造を有するモノマーの重合体でありガラス転移温度が２００℃以上であることを特徴とする化合物、該化合物と有機溶媒とを含有する膜形成用組成物、該膜形成用組成物を用いて形成したガラス転移温度が３００℃以上である絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、低誘電率、高い機械強度とともに、焼成時の膜厚の変化が少なく、良好な密着性を有する絶縁膜を提供できる膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物を含有する膜形成用組成物であって，該組成物から３５０℃から４００℃の温度範囲で１時間の焼成によって得られる膜を、３５０℃から４００℃の温度範囲で２０時間加熱したときの膜の減少率が０％以上１０％以下であることを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であるとともに、経時保存後も良好な膜を提供できる重合体、さらには該重合体を含む膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物を重合開始剤の存在下で重合して得られることを特徴とする重合体。
【化１】


式（Ｉ）中、
Ｒはアセチレン性炭素−炭素三重結合を含む置換基を表わす。
Ｘは置換基を表す。
ＲおよびＸは複数存在するときは、各々同一でも異なっていてもよい。
ｍは１〜１６の整数を表す。
ｎは０〜１５の整数を表す。 （もっと読む）