【課題】電気化学デバイスで使用するのに充分な電解質特性を示し、かつ用途に対し充分な耐熱性、耐酸化性および機械的強度を有し、廃棄の際に環境負荷の大きなフッ素を含まず、製膜性など加工性に優れた電解質膜を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される繰り返し単位を有するホスホン酸基を有する置換ポリアセチレン化合物、および、該化合物による電解質膜。


〔ただし、式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６の一部又は全部がホスホン酸基であり、残りがＨ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｉ、含珪素置換基、水酸基、炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルコキシ基、フェノキシ基、スルホン酸基からなる群から選択されるいずれかである。〕 （もっと読む）

【課題】有機半導体デバイスの材料とするための、酸化されにくく、材料の劣化に問題がなく、また塗膜の均一性に問題のないアルキル基を有するペンタセン化合物を提供する。
【解決手段】下記に示すジイン構造化合物。
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【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とする籠型構造を有する籠型構造化合物の重合体を含む樹脂組成物であって、前記重合体は、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、重合体を検出するピークＰのピーク面積Ａｐと残存モノマーを検出するピークＭのピーク面積Ａｍを足し合わせたピーク全面積（Ａｐ＋Ａｍ）に占める、ポリスチレン換算の重量平均分子量が９０００に相当する溶出時間よりも遅い溶出時間で検出されるピークＬのピーク面積Ａｌの面積の割合が０〜５％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。さらには該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜及び該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表されるモノマー単位を含み、重量平均分子量が１，５００以上である重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


式（１）中、ＸはＯ、Ｓ又はＣＨ₂を表し、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Ｒはさらに置換基を有していてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。ｎは０〜４の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。さらには該組成物を用いた電子デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される置換スチレン誘導体の重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
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【課題】有機溶媒に可溶で利用し易い硬化性樹脂組成物、およびその硬化性樹脂組成物を硬化してなり、耐熱性や耐薬品性、耐溶剤性に優れた樹脂硬化物の提供。
【解決手段】溶解性を付与するため、複数の芳香環又はヘテロ環の一部または全てがケタール構造の連結基によって結合され、その構造の末端に架橋基が結合した化合物、または複数の芳香環又はヘテロ環が単結合、エーテル結合、ケトン結合などの２価の連結基で結合され、その末端に架橋性基としてケトン付加体等で保護されたアセチレンが結合する化合物とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、かつ、機械強度に優れた膜を形成することができる膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物及び／又は式（１）で表される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。Ｒ¹はそれぞれ独立に水素原子又は−（Ｒ²）_n−Ｒ³を表し、Ｒ¹のうちの少なくとも２つは−（Ｒ²）_n−Ｒ³であり、Ｒ²はそれぞれ独立に式（２）〜（５）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、Ｒ³はそれぞれ独立に水素原子又は式（６）〜（８）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、波線部分は他と結合する部分を表す。ただし、−（Ｒ²）_n−Ｒ³は式（９）又は式（１０）で表される基を除く。
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【課題】本発明は、高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】分子内に、一般式（１）で表される部分構造を少なくとも一つ有する化合物（Ａ）と絶縁膜用樹脂またはその前駆体（Ｂ）とを含有する絶縁膜形成用組成物。


一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ独立に任意の置換基を表し、任意のＲ^１〜Ｒ^６がそれぞれ互いに連結して環構造を形成していてもよい。同一炭素上の置換基（Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６）が２つ合わせて二重結合を表してもよい。） （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な絶縁膜性能と各積層膜間の密着性を達成でき、さらには優れた生産性を有する絶縁膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合体を含有する塗布液を基板上に塗布し、乾燥して銅拡散防止膜を形成する工程と、前記銅拡散防止膜上に無機ポリマーを含有する塗布液を塗布し、乾燥して無機ポリマー膜を形成する工程と、前記無機ポリマー膜上に絶縁膜用樹脂を含有する塗布液を塗布し、乾燥して有機ポリマー膜を形成する工程と、その後、加熱またはエネルギー線の照射により、前記銅拡散防止膜、前記無機ポリマー膜、および前記有機ポリマー膜を一度に硬化する工程、を有する積層型絶縁膜の製造方法。
(Ｘ)_ｍ−Ｑ−(Ｙ)_ｎ 一般式（Ｉ）
（一般式（Ｉ）中、Ｑは環員数５または６の含窒素複素環基、またはそれらのベンゾ縮合環基を表す。Ｘは任意の置換基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｍが２以上の場合は、Ｘは同一でも異なっていてもよい。Ｙは下記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−６）のいずれかで表される基を表す。ｎは1〜１０の整数を表す。ｎが２以上の場合は、Ｙは同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、樹脂膜を形成するために用いる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、カゴ型構造を有する化合物を含み、前記カゴ型構造を有する化合物は、該カゴ型構造を有する化合物を製膜して陽電子消滅寿命測定法で測定して得られる空孔サイズに対応した陽電子消滅寿命の第１ピークトップが、１０ｎｓ以上の領域にあることを特徴とする。また、本発明の樹脂膜は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）