【課題】誘電率が低く、基板（絶縁膜を形成される部材）との密着性に優れ、信頼性が高く、製造時の歩留まりに優れた絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、面方向での線膨張係数が９×１０^−６Ｋ^−１以上２５×１０^−６Ｋ^−１以下であることを特徴とする。前記重合性化合物の前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する化合物Ｃを含む重合性化合物を重合することにより得られる、分散比が１．０以上２．５以下の重合体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 螺旋型ポリアセチレンを用いた均一な配向膜を得ることができるＬＢ法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 螺旋型ポリアセチレンを液面上に展開し、前記液面上に形成された螺旋型ポリアセチレンの単分子膜を基板に転写して成膜するＬＢ法による成膜方法において、成膜時における、下記式（１）で表される圧縮率Ｐが１×１０^−２ｍ／ｍＮ以下で成膜するＬＢ法による成膜方法。Ｐ＝（１／（ｄＨ／ｄＳ））×（１／Ｓ）・・（１［式中、Ｈは螺旋型ポリアセチレンの単分子膜の表面圧（ｍＮ／ｍ）を表す。Ｓは水面上に展開した螺旋型ポリアセチレンの単分子膜の面積（ｍ^２）を表す。］ （もっと読む）

【課題】 重合収率が向上し、金属不純物の含有量が低減されたかご型構造を有する重合体の製造方法を提供するものである。さらには、金属不純物の含有量が低減された膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を含む有機膜及び前記有機膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する重合性反応基Ｂとを有する化合物を重合して、かご型構造を有する重合体を製造する方法であって、前記かご型構造を含む部分構造Ａと重合性反応基Ｂを有する化合物と、界面活性剤とを水相中で超音波処理により混合する工程を含むことを特徴とする重合体の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加により光透過率が変化し、着色時の刺激純度が低い調光シート及び該調光シートを備える調光体を提供する。また、該調光シートを用いた合わせガラス用中間膜及び該合わせガラス用中間膜を備える合わせガラスを提供する。
【解決手段】エレクトロクロミック化合物を含有するエレクトロクロミック層と、支持電解質塩とエレクトロクロミック層の色調を補正する色調補正剤とを含有する色調補正電解質層とが積層されていることを特徴とする調光シート。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを生じにくい膜形成用組成物入り容器を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物入り容器は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物を含む液状の膜形成用組成物を容器に収納してなるものであって、前記容器の前記膜形成用組成物を収納する収納部の収納量をＶ［ｃｍ^３］、前記収納部の内表面積をＳ［ｃｍ^２］としたとき、Ｓ／Ｖ≦０．８５の関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、重合性の液晶組成物を構成した場合他の液晶化合物と優れた溶解性を有し、前記重合性の液晶組成物を硬化させた場合に優れた耐熱性及び機械強度を示す重合性化合物を提供すること及び屈折率異方性の値が大きく且つ良好な光学特性を示す光学異方体を提供することである。
【解決手段】 一般式（Ｉ）
【化１】


で表される重合性化合物を提供し、当該化合物を構成部材とする液晶組成物、更に、当該液晶組成物を用いた光学異方体、又は液晶デバイスを提供する。本願発明の重合性化合物は、他の液晶化合物との優れた溶解性を有することから重合性組成物の構成部材として有用である。又、本願発明の重合性化合物を含有する重合性成物は、液晶相温度範囲が広く当該重合性組成物を用いた光学異方体は、耐熱性が高く、偏向板、位相差板等の用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電率などの特性に優れた膜を効率よく製造することができる絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させて得られる高分子化合物と、空孔形成剤とを含有する膜を基板上に形成する膜形成工程と、該膜に電子線を照射する電子線照射工程と、電子線照射工程後に膜を加熱して、絶縁膜を形成する加熱工程とを備える、絶縁膜形成方法。 （もっと読む）