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国際特許分類[C08F38/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | 1個以上の炭素−炭素三重結合を含有する化合物の単独重合体または共重合体 (148)

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アセチレン (27)
ビニルアセチレン

国際特許分類[C08F38/00]に分類される特許

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【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式(1)で示される化合物と、カゴ型構造を有する化合物とを含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。なお、式(1)中、Aはエステル結合又はアミド結合を表し、Bはn1価の有機基を表し、R1は水素原子又は一価の置換基を表し、R2は水素原子又は一価の有機基を表し、n1は1から6までの整数を表し、n2は0から4までの整数を表し、n3は1から5までの整数を表し、n2+n3=5を満たす。
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【課題】低い比誘電率であり、高い機械強度を有し、かつ面状が優れた膜を得ることができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、及び、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式(I)で表される化合物を重合させた重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。なお、式(I)中、Xは、それぞれ独立に、炭素−炭素三重結合又は炭素−炭素二重結合を含む基を表し、Yは、それぞれ独立に、置換基を表し、mは、3〜6の整数を表し、nは、0〜17の整数を表す。
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【課題】螺旋型置換ポリアセチレン構造体およびその螺旋型置換ポリアセチレン構造体を電極間に配置した高効率のデバイス構造を提供する。
【解決手段】基体と、主鎖が周期的な螺旋周期構造を有する置換ポリアセチレンからなる構造体であって、前記基体の表面に置換ポリアセチレンが螺旋の主軸と基体の表面の間の傾斜角が60°以上90°以下の範囲となる様に傾斜して配置している螺旋型置換ポリアセチレン構造体。基体の上に第一の電極、上記の主鎖が周期的な螺旋周期構造を有する置換ポリアセチレンおよび第二の電極を順次設けてなるデバイス構造。 (もっと読む)


【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、2つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、炭素−炭素不飽和結合を有する耐熱性有機高分子化合物および有機溶剤を含む。該組成物を基板上に塗布した後、硬膜することにより絶縁膜を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】高容量で充放電サイクルの安定性に優れた二次電池の活物質として好適な重合体を提供する。
【解決手段】式(6)または(7)で表される重合体(式中のR1〜R3、X、n、YおよびZは明細書中に定義される)。
【化1】
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【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有し、さらには膜の経時安定性の良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】(A)カゴ型構造を有する化合物および(B)一般式(1)で示される基を有する化合物を含むことを特徴とする。該膜形成用組成物からなる塗布液を用いて、電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを得ることができる。
【化1】


(式中、Ar1、Ar2は芳香族炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていても良い。) (もっと読む)


【課題】螺旋型置換ポリアセチレンの少なくとも一部の分子鎖が一方向に配向している配向膜、該配向膜を用いた動作速度が向上したデバイスを提供する。
【解決手段】主鎖が周期的な螺旋構造を有する螺旋型置換ポリアセチレンと、前記螺旋型置換ポリアセチレンに電圧を印加または電流を供給するための離間した一対の電極とを備えたデバイスであって、前記一対の電極を結ぶ方向に前記螺旋型置換ポリアセチレンを構成する分子鎖が配向しているデバイス。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどの層間膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する絶縁膜形成用組成物とその製造方法を提供すること。さらには該組成物を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】(1)炭素-炭素三重結合を有する化合物を含む反応液を少なくともラジカル発生剤のラジカル発生温度に加熱する工程と、(2)ラジカル発生剤を含む液体を、該反応液に添加する工程とを含む反応工程によって該化合物を重合させることを特徴とする炭素-炭素三重結合を有する化合物の重合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】低い誘電率を有する高純度のカゴ型構造を有するポリマーを得ること、それを含有する電子デバイスなどの層間膜用の低い誘電率で優れた機械強度の絶縁膜形成用組成物を提供すること。さらには該組成物を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】炭素-炭素三重結合を有する化合物を、ポリマー化もしくはオリゴマー化する方法であって、ポリマー化もしくはオリゴマー化の開始剤としてラジカル発生剤を用い、且つ、溶媒として、特定構造のフェノキシ化合物を用いることを特徴とする炭素-炭素三重結合を有する化合物の重合方法。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる組成物を提供する。さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】三重結合及びまたは二重結合を合計で複数個有するトリプチセン誘導体を重合単位として重合した重合体を含有することを特徴とする組成物、該組成物を用いた絶縁膜及び電子デバイス。 (もっと読む)


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