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国際特許分類[C08F38/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | 1個以上の炭素−炭素三重結合を含有する化合物の単独重合体または共重合体 (148)

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アセチレン (27)
ビニルアセチレン

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【課題】ジアセチレン基を持つ光重合性脂質を含む脂質二分子膜を支持体上に簡便に形成する方法を提供する。
【解決手段】ジアセチレン基を持つ光重合性脂質を含む脂質二分子膜を支持体上に形成する方法であって、前記光重合性脂質を含むベシクルを前記光重合性脂質の相転移温度よりも10℃以上高い温度に加熱して機械的ストレスをかけ、前記相転移温度よりも5℃以上低い温度の支持体に適用することを特徴とする、ジアセチレン基を持つ光重合性脂質を含む脂質二分子膜を支持体上に形成する方法。 (もっと読む)


【課題】 ゲル化せずに安定した品質が得られる絶縁膜形成用重合体の重合方法、また、低誘電率、高耐熱性、高機械強度を兼ね備えた有用な有機絶縁膜用材料、また、低誘電率、かつ高耐熱性、高機械強度に優れた有機絶縁膜及びその有機絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするカゴ型構造を有するカゴ型構造化合物を、少なくとも2段階以上の多段階反応により重合する方法であって、各段階の反応において、該1段階前の反応より、反応温度を1℃以上低温で重合することを特徴とする、絶縁膜形成用重合体の重合方法。前記重合方法で重合して得られた絶縁膜形成用重合体を含む有機絶縁膜用材料。前記有機絶縁膜用材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる有機絶縁膜。前記有機絶縁膜を具備する、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】双連続キュービック構造等の液晶構造を自己組織的に形成できる材料であって、しかも、イオン伝導体として用いる場合に優れた形状保持性を示す材料を提供する。
【解決手段】特定の(ベンゼン環に結合する3,4,5位の3つの置換オキシ基の少なくとも一つがアルカジエニルオキシ基又はアルカジイニルオキシ基であるトリ置換オキシ基ベンゼンアルキル)トリアルキルアンモニウム化合物又はその対応するホスホニウム化合物。これらの化合物又はその塩が、その構成要素である重合性基により重合したものであり、かつ双連続キュービック液晶構造を有するポリマー及び電解質材料にも関する。そこでマイクロメートルオーダーで連続的なイオン性のナノチャンネルを有するポリマーフィルム材料の提供が可能となり、高いイオン伝導性を有する固体電解質の開発やサイズ選択的イオン透過膜などへの応用が期待できる。 (もっと読む)


【課題】工業的に有利なcc型置換アセチレン重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】一般式(I)


[式中、nは10〜100,000の整数である。Rは置換基を有していてもよい炭素数1〜30のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数4〜30のアリール基、CO21で示されるエステル基、CONR23で示されるアミド基、CO2Mで示されるカルボキシル基またはその金属塩のいずれかを表す]で表されるcis-transoid型置換アセチレン重合体を50〜100℃で加熱処理することを特徴とするcis-cisoid型置換アセチレン重合体の製造方法および同製造方法で得られたcis-cisoid型置換アセチレン重合体である。 (もっと読む)


【課題】 低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を兼ね備えた絶縁膜用重合体を提供することにあり、さらに、それを用いた低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を有する絶縁膜およびこれを備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量20,000以上の絶縁膜用重合体。 (もっと読む)


【課題】立体規則性の高いポリジアセチレンを半導体層とする電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】エネルギーを照射し重合して形成されたポリジアセチレン膜のエネルギー照射面に、絶縁膜を介して電極を具備したことにより、該ポリジアセチレン膜の電気伝導度を制御したことを特徴とした電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低誘電性、高耐熱性、かつ優れた機械強度を達成できる膜を形成するための架橋性官能基を有する化合物を含む膜形成用組成物、この膜形成用組成物を用いて得られる膜、および絶縁膜、並びに、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式(1)で表される部分構造を少なくとも1つ有する化合物を含む膜形成用組成物。
【化1】


(一般式(1)中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。RとRは、互いに結合して環構造を形成してもよい。Rは、水素原子または置換基を表す。*は、結合位置を表す。) (もっと読む)


【課題】高耐熱、高機械的強度、低誘電率など優れた特性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、その膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、その絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物、および該化合物を用いて得られる重合体を含む膜形成用組成物。


(Aは有機結合基、または単結合を表す。Xは、炭素炭素三重結合を有する基を表す。nは、2〜4までの整数を表す。) (もっと読む)


【課題】有機溶剤を用いてデバイス作製可能なトランジスタに応用可能な螺旋状高分子を提供する。
【解決手段】重合部位と側鎖に非共役部位と共役部位を有し、前記非共役部位が前記重合部位と前記共役部位に挟まれた構造を少なくとも一部に含む螺旋状高分子。さらに、非共役部位がアルキル鎖103であり、共役部位が芳香環であり、重合部位がアセチレン骨格であり、側鎖に非共役部位を有している有機分子が重合した構造からなるブロックを少なくとも一部に含む又は側鎖に共役部位を有している有機分子が重合した構造からなるブロックを少なくとも一部に含む螺旋状高分子である。本螺旋状高分子の共重合部位又は重合部位の少なくともいずれかが、電極と接するように配置されていることを特徴とするデバイス。 (もっと読む)


【課題】 低誘電率、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を得ることができる有用な有機絶縁材料を提供し、また、低誘電率、低密度、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を提供し、さらにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機絶縁材料は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするかご型構造を有するかご型構造化合物のプレポリマーを含む有機絶縁材料であって、前記プレポリマーは、GPC−RALLS法により測定される重量平均分子量及び慣性半径の両対数グラフにおける重量平均分子量が50万以上200万以下の範囲の直線の傾きが、0.33以上0.47以下である。本発明の樹脂膜は、前記有機絶縁材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる。本発明の半導体装置は、前記樹脂膜を具備する。 (もっと読む)


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