国際特許分類[C08F38/00]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | 1個以上の炭素−炭素三重結合を含有する化合物の単独重合体または共重合体 (148)
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アセチレン (27)
ビニルアセチレン
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層間絶縁膜用組成物
【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
(A)少なくとも一般式(1)の化合物を一種含む原料を重合して得られる重合体。
(B)溶媒。
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膜形成用組成物、及び、膜
【課題】優れた硬化性及び低誘電率を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、並びに、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜を提供。
【解決手段】(A)ラジカル開始剤と、下記式(1)の化合物及び/又は下記式(1)の化合物を用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。R1は炭素と水素からなり、お互い連結し、6員環以上の環構造を形成していてもよい。
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絶縁膜形成用組成物および電子デバイス
【課題】 低誘電性であり、かつ塗膜形成後の経時によって一旦上昇した誘電率を加熱処理によって回復させる能力(k値回復性)を良化させた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 (A)少なくとも一種の有機ポリマーまたは2つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、(B)溶剤、(C)下記一般式(C-1)〜(C-3)の何れかで表される少なくとも一種の有機シリコーン化合物を含有することを特徴とする。
【化1】
(R1はメチル基等を表し、x1は0〜95mol%, x2は5〜100mol%、x1+ x2 = 100mol%であり、R2, R3はアルキル基等を、R4はメチル基等を表し、X3は5〜100mol%, x4は0〜95mol%、x3 +
x4 = 100mol%であり、Rfはフルオロアルキル基を表し、x5は0〜95mol%, yは5〜100mol%、x5 + x6 = 100mol%である。)
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新規アセチレン系化合物及びその利用
【課題】気体透過膜の単量体として有用な、新規のアセチレン系化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)
(lは1又は2であり、mは0、1又は2であり、nは0又は1であり、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれメチル基又は水素原子であって、nが1のとき、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも1つがメチル基であり、nが0のとき、R1及びR2のうち少なくとも1つがメチル基であり、R7及びR8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜3の有機基であって、上記有機基はハロゲン原子及び珪素原子のうち1つ以上の原子を含んでよい)で示される化合物。
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膜形成用組成物、膜及び電子デバイス
【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜、並びに、前記膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式(1)で示される化合物、及び/又は、式(1)で示される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成された膜、並びに、前記膜を有する電子デバイス。なお、式(1)中、A1は2〜4価の有機基を表し、A2はアルケニル基又はアルキニル基を表し、Arは(2+a1)価のアリール基を表し、Rは水素原子又は炭素数1〜30のアルキル基を表し、a1は1〜4の整数を表し、a2は2〜4の整数を表す。
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膜形成用組成物、膜及び電子デバイス
【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、表面平滑性、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜、並びに、前記膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式(1)で示される化合物、及び/又は、式(1)で示される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成された膜、並びに、前記膜を有する電子デバイス。なお、式(1)中、A1は4又は6価の有機基を表し、A2はアルケニル基又はアルキニル基を表し、Arは(a1+1)価のアリール基を表し、Rは水素原子又は炭素数1〜30のアルキル基を表し、a1は1〜5の整数を表し、a2は2又は3を表す。
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エチニル基含有有橋脂環式化合物、絶縁膜形成材料、絶縁膜及びその製造方法
【課題】半導体の製造に有用な高い耐熱性及び極めて低い比誘電率を有するとともに、比誘電率のばらつきの少ない絶縁膜を形成しうる重合性化合物、該化合物を含む絶縁膜形成材料、該絶縁膜形成材料を重合反応に付して得られる空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜の提供。
【解決手段】絶縁膜を形成しうる重合性化合物として、下記式(1)
(式中、Zは有橋脂環骨格を示し、Xは複素環又はその前駆構造を含む2価以上の有機基を示し、Yは置換基を有していてもよいエチニル基を含む基を示す。Rは水素原子又は炭化水素基を示す。mは1〜5の整数、nは2〜7の整数、kは0〜5の整数を示す。n+k=2〜7である。分子内の複数のX、Y、及び複数存在する場合のRは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい)で表されるエチニル基含有有橋脂環式化合物。特に、Zとしてアダマンタン骨格、Xとしてベンズイミダゾリル基を有する化合物が好ましい。
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塩基性アミノ酸を有するらせん状ポリマー
【課題】温度変化、極性変化に対しても高い高次構造を取ることができ、酸に対する応答性に優れる、光学分割材料、不斉認識材料、pHセンサー等として有用な塩基性アミノ酸を有する新規ならせん状ポリマーおよびその製造方法の提供。
【解決手段】主鎖が実質的に下記の繰り返し単位(I):
(式中、R1およびR2は同一または異なって、tert-ブトキシカルボニル (Boc)、ベンジルオキシカルボニル (CBZ)、p-ニトロベンジルオキシカルボニル (Z(NO2))、p-メトキシベンジルオキシカルボニル (Z(OMe))、9-フルオレニルメチルオキシカルボニル (Fmoc)、トリフェニルメチル (Trt)等を表し、mは3または4を表す)からなるポリマー、その製造方法および使用を提供する。
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ラジエーション硬化性樹脂組成物、並びにこれを用いた硬化物の製造方法および光半導体装置
【課題】耐熱性、耐紫外線性、耐煮沸性、光透過性、耐収縮・クラック性に優れたラジエーション硬化性樹脂組成物、並びにこれを用いた硬化物の製造方法および光半導体装置を提供する。
【解決手段】ラジエーション硬化性官能基を有する特定の置換基を有するモノフォスファゼン化合物を含むことを特徴とする硬化性樹脂組成物を提供し、発光ダイオード素子を封止、および/または前記発光ダイオード素子と他部材とを接着する。
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負の光学的分散を有する複屈折ポリマーフィルム
【課題】負の光学的分散を有する複屈折ポリマーフィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、負の光学的分散を有するポリマーフィルム、それを調製するための新規な重合性化合物および液晶(LC)材料、および光学的、電気光学的、電子的、半導体性または発光性部品または装置におけるポリマーフィルムおよび新規な化合物および材料の使用に関する。
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