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国際特許分類[C08G61/10]の内容

国際特許分類[C08G61/10]に分類される特許

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抗酸化物を含むマクロモノマーを重合させることを含む、抗酸化ポリマーの調製方法が記載される。マクロモノマーの一部分として抗酸化物を有することによって、すでに形成されたポリマーに抗酸化物を配位結合させることよりも効率的に、高密度の抗酸化物を有するポリマーが調製される。重合の方法はまた、種々の抗酸化物を含む種々のマクロモノマーが用いられ得る共重合を包含する。あるいは、他のマクロモノマーまたはモノマーは、共重合体の意図される用途および所望の特性に応じて、抗酸化物を含まなくてもよい。抗酸化物を含むマクロモノマーは、同じであり得るか、または異なり得る、1つより多くの抗酸化物を含み得る。一態様において、マクロモノマーは、抗酸化物で置換されている、ベンゼンまたはオレフィン系である。
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本発明は、式(I)の新規構造単位を含むポリマーに関する。本発明による材料は、ポリマー有機発光ダイオードにおける使用時に、改善された効率とより長い寿命を示す。
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1価の末端キャップ化剤、2価の線状単位、及び多価の枝分かれ単位を含む枝分かれしたポリアリーレンポリマーが提供される。ポリマーの組成は、3種類のモノマーの比を調整することによって制御される。 (もっと読む)


置換ポリフェニレン及び担持された遷移金属触媒を使用する該置換ポリフェニレンの製造方法を提供する。 (もっと読む)


低濃度のアルカリ水溶液または中性水により現像することができ、オゾン水により容易に剥離することができ、また、スカムが残り難く、コスト及び環境負担を軽減することができるポジ型フォトレジスト及び該フォトレジストを用いたレジストパターンによる回路が形成された構造体の製造方法を提供する。 水酸基が2個以上結合されているベンゼン核を有し、重量平均分子量が1000〜20000の範囲にあるノボラック樹脂を含むポジ型フォトレジスト、並びに該ポジ型フォトレジストを用いた、レジストパターンによる回路が形成された回路が形成された構造体の製造方法であって、上記ポジ型フォトレジストを用いて基板表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に露光して現像する工程と、現像されたレジストパターンを用いて回路を形成する工程と、レジスト膜を除去する工程とを含む構造体の製造方法。 (もっと読む)


i)1個又はそれ以上のジエノフィル基(A−官能基)、ii)1個又はそれ以上の、2個の共役炭素−炭素二重結合及び離脱基Lを含む環構造(B−官能基)並びにiii)1個又はそれ以上の化学的に結合したメソゲン性ポラゲン形成性部分を含む化合物(モノマー)であって、A−官能基が、環化付加反応条件下で、B−官能基と反応し、それによって架橋したポリフェニレンポリマーを形成することができることを特徴とする化合物。 (もっと読む)


i)1個又はそれ以上のジエノフィル基(A−官能基)、ii)1個又はそれ以上の、2個の共役炭素−炭素二重結合及び離脱基Lからなる環構造(B−官能基)並びにiii)1個又はそれ以上の化学的に結合したポラゲンを含んでなる化合物(モノマー)であって、1個のモノマーのA−官能基が、環化付加反応条件下で、第二のモノマーのB−官能基と反応し、それによって架橋したポリフェニレンポリマーを形成できることを特徴とする化合物。 (もっと読む)



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