【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】軽量で、かつ高強度であり、更に成形性に優れたブレーキパッドとその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維、結合材、摩擦調整剤、ゴム成分を含む摩擦ライニング層と、繊維強化プラスチックで形成されるバックプレートとが積層され、一体に固着されてなるブレーキパッドであって、前記バックプレートを１３０〜２００℃の条件で成形し、次いで前記摩擦ライニング層と前記バックプレートを０〜１００℃で一体に成形したのちに、ブレーキパッド全体を加熱硬化して得られるブレーキパッド及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】軽量で、剛性が高いバックプレートを有して、かつ鳴きにくいブレーキパッドを提供する事。
【解決手段】摩擦ライニング層とバックプレートとが積層され、一体に固着されてなるブレーキパッドであって、バックプレートが、繊維強化プラスチックの両面に比弾性率が２．０×１０^５ｍ以上の補強板が設置されて形成されているブレーキパッド。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】ダマシン法においてバリア膜を研磨するためのＣＭＰ研磨液であって、媒体と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、ｐＨが酸性領域にあるＣＭＰ研磨液であって、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】タイルやガラス等に傷をつけることがなく、消しゴムで字を消す如く、手軽に汚れを除去することができる、タイル及びガラスの汚れ除去用消しゴム状クリーナーを提供する。
【解決手段】スチレン系エラストマー５〜８５重量％と、モース硬度が２．０〜４．０の研磨剤９５〜１５重量％を混練し成形してなることを特徴とする、タイル及びガラスの汚れ除去用消しゴム状クリーナーである。 （もっと読む）

【課題】便器や洗面台等に傷をつけることがなく、消しゴムで字を消す如く、手軽に汚れを除去することができる水垢除去用消しゴム状クリーナーを提供する。
【解決手段】スチレン系エラストマー５〜８５重量％と、モース硬度が２．０〜４．０の研磨剤９５〜１５重量％を混練し成形してなることを特徴とする水垢除去用消しゴム状クリーナーである。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、ウエハ上の絶縁膜に形成された孔または溝に銅または銅合金を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰の銅または銅合金を除去することによって配線を形成する手法に用いる化学機械研磨用水系分散体であって、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカと、水と、過酸化水素と、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムから選択される少なくとも１種と、を含有し、前記ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび前記ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの合計量が０．００２質量％以上１質量％未満であり、ｐＨが７．５以上９．０以下である （もっと読む）

【課題】乾式摩擦材の全体から前記乾式摩擦材の含有する配合ゴムの反応ガスによってフクレが発生したり、硬度低下となったりして板厚差を悪化することなく、配合ゴムの反応ガスの影響をなくすこと。
【解決手段】配合ゴムを含有する乾式摩擦材において、前記乾式摩擦材の反摩擦面に、その乾式摩擦材の厚みの２０％乃至６０％の深さの反応ガス抜き孔または反応ガス排出溝を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された無機絶縁膜を研磨するＣＭＰ技術において、無機絶縁膜に対する研磨速度を維持しつつ、研磨後の表面の平坦性を向上させることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムと、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基、−ＯＳＯ_３Ｈ基、−ＰＯ_４Ｍ_２基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基（式中、ＭはＨ、ＮＨ_４、Ｎａ及びＫから選択されるいずれか一種、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示す。）から選択される少なくとも一つの基を有する有機酸と、カルボキシル基を有する高分子化合物及び水を含み、ｐＨが４．５〜７．０であり、高分子化合物の含有量が全質量に対して０．０１〜０．３０質量％であるＣＭＰ研磨液と、複数の溝と複数の穴が形成された研磨パッドを使用して、基板に設けられた被研磨膜の少なくとも一部を研磨で除去する基板の研磨方法。 （もっと読む）