【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態（ドライアウトしていない状態）を保つことを特徴とするバフ研磨方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤を含まず、（イ）研磨粒子１０〜６０質量％、（ロ）潤滑油１０〜３０質量％、（ハ）増粘安定化剤０．１〜２．０質量％及び水８〜７９．９質量％を含むバフ研磨用水性乳化研磨組成物を用いて、バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態（ドライアウトしていない状態）を保つことを特徴とするバフ研磨方法。及び前記粒子としてアルミナ、シリカ、アルミノシリケート、酸化第二錫から選ばれる１種又は２種以上を用い、かつ、前記潤滑油としてリシノール酸トリグリセライド（ヒマシ油）及び流動パラフィン及びグリセリンを用い、かつ、（ハ）増粘安定化剤として会合型アルカリ可溶性アクリルポリマーを用いたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】非晶質固体が付着した酸化セリウム系研磨材から、酸化セリウム系研磨材を製造できる方法を提供する。
【解決手段】非晶質固体が表面に付着した酸化セリウム系研磨材を含む懸濁液を遠心分離し、非晶質固体が表面に付着した酸化セリウム系研磨材を含む分離堆積物を得る工程を行う。非晶質固体の溶解剤と分離堆積物とを水中で混合することにより、酸化セリウム系研磨材の表面に付着した非晶質固体を溶解させる溶解工程を行う。 （もっと読む）

【課題】繊維基材で補強しなくても、優れた機械的強度を有する摩擦材を、材料凝集や製造プロセス内での壁面付着や粉塵の発生等がなく、プロセスの簡易化が可能な方法による摩擦材用造粒物の製造方法を提供する。
【解決手段】摩擦調整用粒子材料を、平均粒径が０．１〜０．５μｍのチタン酸カリウム粒子、未架橋ゴム及び熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物含有溶液の存在下で造粒し、得られた造粒物を、水溶性または水分散性結合材含有溶液の存在下で造粒することを特徴とする摩擦材用造粒物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。 （もっと読む）

【課題】摩擦特性、摩耗特性を損なうことなく、接着性及び生産性を向上させることができるブレーキ摩擦材を提供する。
【解決手段】少なくとも繊維材、結合材、潤滑材、摩擦調整材、充填材、及びｐＨ調整材を含有してなるブレーキ摩擦材の全体量を１００質量％としたとき、結合材として速硬化性フェノール樹脂を４質量％以上かつ５質量％以下、かつ変性フェノール樹脂を２質量％以上かつ３質量％以下、含有している。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）