シリコン膜用ＣＭＰスラリー
【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン膜用ＣＭＰスラリーに関する。特にコンタクトプラグ形成に使われるシリコン膜のＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）において、ポリシリコン膜をシリコン窒化膜に対して選択的に研磨し、ウエハー面内均一性を得るのに最適なシリコン研磨用ＣＭＰスラリーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化のため、特にＤＲＡＭ、ＳＲＡＭのようなメモリー素子では、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレインと上層配線の接続のため、セルフアライン方式によるコンタクトプラグの形成が必須となっている。図１に、セルフアライン方式でコンタクトホールを形成した後、導電材となるポリシリコン膜８をウエハー全面に形成したときの半導体素子の断面の模式図を示す。図１において、１はシリコン基板、２はゲート絶縁膜、３はゲート構造を示す。ゲート構造３は、導電層の上に絶縁膜のゲートキャップ層４を有した構造となっている。ゲートの導電層には、金属シリサイド９とポリシリコン１０からなる２層構造が用いられ、ゲートキャップ層４にはシリコン窒化膜が用いられる。５はゲートスペーサー、６はエッチストパーを示し、ゲートスペーサー５及びエッチストパー６にはシリコン窒化膜が用いられる。７は絶縁膜を示し、絶縁膜７にはシリコン酸化膜、ＢＰＳＧ膜（Boron Phosphor Silicate Glass）等が用いられる。
【０００３】
コンタクトホールは、フォトレジストを用いたドライエッチングにより、絶縁膜７を除去することで形成される。８はコンタクトプラグの導電材となるポリシリコン膜を示す。
【０００４】
コンタクトプラグを形成するためには、ポリシリコン膜８の不要な部分をＣＭＰによって除去し、さらに、コンタクトホール間の短絡を防ぐため、ゲートキャップ層４も一部除去する必要がある。但し、ゲートキャップ層４はＣＭＰ後も残す必要があるため、ゲートキャップ層４を構成するシリコン窒化膜の研磨速度は速すぎてはいけない。従って、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比、すなわち、ポリシリコン膜の研磨速度：シリコン窒化膜の研磨速度は４０〜１００：１が適切である。
【０００５】
ゲートキャップ層４の一部を除去し、ポリシリコン膜８の不要な部分を完全に除去するためのオーバー研磨は、絶縁膜７が露出した状態で行われる。この時、絶縁膜７の研磨速度が大きいと、ゲートキャップ層４が消失し、ゲートの導電層まで研磨が進行し、デバイスの歩留まりや信頼性の低下を招く。そのため、絶縁膜７を構成するシリコン酸化膜の研磨速度が、ゲートキャップ層４を構成するシリコン窒化膜に対して十分小さく、ＣＭＰがほぼ停止することが必要になる。但し、シリコン酸化膜が全く研磨されないと、逆に平坦性を損ねる。そのため、シリコン酸化膜の研磨速度は、５〜２０ｎｍ／分が適切である。ＣＭＰ後の半導体素子の断面図を図２に示す。
【０００６】
図１に示すような半導体素子において、ポリシリコン膜８の膜厚は１００〜４００ｎｍ、ゲートキャップ層４の膜厚は１０〜１００ｎｍ程度である。このような場合に、ＣＭＰを１種類のスラリーで実施するためには、ポリシリコン膜の研磨速度は１００〜６００ｎｍ／分、シリコン窒化膜の研磨速度は５〜２０ｎｍ／分が適切であり、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比、すなわち、ポリシリコン膜の研磨速度：シリコン窒化膜の研磨速度は４０〜１００：１が適切である。
【０００７】
しかし、従来の技術では、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜に対して、１種類のスラリーでは上記の研磨速度と研磨速度比が得られるスラリーはなかった。そのため、２種類のスラリーを用いて２段階のＣＭＰを行うなどの方法が必要であり、プロセスコストの増大が問題になっていた。
【０００８】
米国特許出願公開第２００６／０１０５５６９号明細書には、ポリシリコン膜の研磨速度：シリコン窒化膜の研磨速度が、１：１〜４：１となるＣＭＰ条件で１種類のスラリーでＣＭＰを行う方法が示されている。しかし、この方法では、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比、すなわち、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比が１〜４：１と小さいため、シリコン窒化膜がＣＭＰの停止層にならず、研磨量の制御が難しいと考えられる。
【０００９】
特許第３４５７１４４号公報には、塩基性有機化合物を含むポリシリコン研磨用組成物を用いる方法が示されている。この方法では、ポリシリコン膜とシリコン酸化膜の研磨速度比が大きいが、シリコン窒化膜の研磨速度が遅いため、コンタクトプラグ形成のＣＭＰを１種類で実施することはできない。
【００１０】
特許第３１９０７４２号公報には、燐酸を含む研磨剤を用いてシリコン窒化膜を研磨する方法が示されている。この方法では、シリコン窒化膜の研磨速度は１２０ｎｍ／分であるが、ポリシリコン膜の研磨速度が７０ｎｍ／分と遅い。そのため、この場合も、コンタクトプラグ形成のＣＭＰを１種類のスラリーで実施することはできない。このように、コンタクトプラグ形成のＣＭＰを１種類のスラリーで実施可能なＣＭＰスラリーは従来技術では得られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１０５５６９号明細書
【特許文献２】特許３４５７１４４号公報
【特許文献３】特許３１９０７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、ポリシリコン膜に対しては良好な研磨速度を示し、さらに、ポリシリコン膜以外の別の膜種に対する研磨速度比を大きくすることが可能なＣＭＰスラリーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、水酸化テトラメチルアンモニウム及びグリシンを用いることで上記課題を解決するシリコン膜用ＣＭＰスラリーに関する。また、本発明の別の側面としては、砥粒、水酸化テトラメチルアンモニウム、グリシン及び水を含有し、ｐＨを最適範囲に調整してなるシリコン膜用ＣＭＰスラリーに関する。
【００１４】
より具体的には、本発明は以下の通りである。
１． 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、ＴＭＡＨと略すことがある）を０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
２． ｐＨが９．０〜１１．５である上記１に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
３． 砥粒の量が、０．５〜５．０％である上記１又は上記２に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
４．砥粒が、コロイダルシリカを含有する上記１〜３のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
５． 水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５〜１．５質量％含む上記１〜４のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
６． グリシンを０．２〜５．０質量％含む上記１〜５のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーによれば、ポリシリコン膜とポリシリコン膜以外の別の膜種を適切な研磨速度と研磨速度比でＣＭＰすることができるため、例えば、半導体素子のセルフアラインコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで行うことができる。それによって、半導体素子の製造コスト低減ならびに研磨時間の短縮が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ＣＭＰ前の半導体素子を示す断面図である。
【図２】ＣＭＰ後の半導体素子を示す断面図である。
【図３】実施例におけるグリシン/ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）のモル比とポリシリコン膜の研磨速度の関係を示すグラフである。
【図４】実施例におけるＣＭＰスラリーのｐＨとポリシリコン膜の研磨速度の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に発明を実施するための最良の形態について詳述する。
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーは、その実施形態の一つとして、水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含有するものであり、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜などのシリコン膜のＣＭＰに有用である。特に、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜に対して、１種類のスラリーで上述の研磨速度と研磨速度比が得られるスラリーを提供することができる。
【００１８】
本発明で用いられる砥粒は、特に制限はなく、具体的には例えば、シリカ、アルミナ、セリア、ジルコニア等が挙げられ、中でもシリカが好ましく、特にコロイダルシリカは粒径が小さい砥粒を低コストで得られ、研磨傷を低減できる点で好ましい。
【００１９】
研磨傷の発生はＬＳＩの歩留まりを低下させるため、微細化したＬＳＩほど研磨傷の要求が厳しくなっている。従って、砥粒の平均粒径として、ＣＭＰスラリー作製前の砥粒の二次粒子の平均粒径は、好ましくは１０〜２００ｎｍ、より好ましくは２０〜１５０ｎｍである。また、ＣＭＰスラリー作製後の砥粒の二次粒子の平均粒径は、好ましくは１０〜２５０ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。ＣＭＰスラリー作製前後おける二次粒子の平均粒径が上記範囲にある場合は、研磨傷を抑制しやすくなる傾向がある。ここで、ＣＭＰスラリー作製後とは、ＣＭＰスラリー作製から約２４時間経過後を指す。また、砥粒の二次粒子の平均粒径は、動的光散乱法により測定できる。具体的には、ベックマンコールター社製のサブミクロン粒子アナライザーＮ５などにより測定することができる。
【００２０】
シリコン膜用ＣＭＰスラリー中の砥粒の濃度（量）は、好ましくは０．５〜５．０質量％、より好ましくは１．０〜３．０質量％である。前記砥粒の濃度が０．５質量％以上である場合はシリコン膜の研磨速度が速くなる傾向にあり、５．０質量％以下である場合は研磨傷やＣＭＰスラリーの凝集を抑制しやすくなる傾向にある。
【００２１】
本発明において、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上添加することで、ｐＨを塩基性領域にするとともに、ｐＨ緩衝材としてグリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０を含有させることにより、ｐＨの著しい上昇を抑えてｐＨを制御する。
【００２２】
水酸化テトラメチルアンモニウムの添加量を０．５質量％以上とすることで、ポリシリコン膜の研磨速度が十分に得られ、また、ウエハー面内均一性を高めることができる。
【００２３】
本発明に於いて、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）は０．５〜４．０とする。前記モル比を０．５以上とすることで、グリシンがｐＨ緩衝材としての効果を十分に発揮でき、ｐＨを９．０〜１１．５以内に保つことができる。このような観点で、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）は、０．７以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましい。一方、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）を４．０以下とすることで、ｐＨを９．０以上にしつつ、安定性を確保することができる。このような観点で、前記モル比は、３．０以下が好ましく、２．５以下がより好ましい。
【００２４】
ｐＨが１１．５より小さい場合には、研磨部以外でのエッチングの発生を抑制でき、又は粒子の凝集が抑制され組成物の安定性が保たれるため好ましい。ｐＨが９．０以上の場合には、シリコン膜の研磨速度が速く、シリコン窒化膜の研磨速度に対するシリコン膜の研磨速度比が大きくなるので好ましい。
【００２５】
シリコン膜用ＣＭＰスラリー中の水酸化テトラメチルアンモニウムの量は、０．５〜１．５質量％であることが好ましい。
前記水酸化テトラメチルアンモニウムの量が０．５質量％以上の場合は、シリコン膜の研磨速度が速くなり、シリコン窒化膜の研磨速度に対するシリコン膜の研磨速度比が高くなる傾向にあり、この観点で、０．７質量％以上がより好ましい。また、１．５質量％以下の場合には、ｐＨが著しく大きくなることはなく、それに伴ってｐＨ緩衝材のグリシンの添加量を増量する必要がなく、結果的に砥粒の凝集を抑制でき、ＣＭＰスラリーの保存安定性を向上させることができる傾向があり、この観点で、１．２質量％以下であることがより好ましい。
【００２６】
シリコン膜用ＣＭＰスラリー中のグリシンの量は、０．２〜５．０質量％であることが好ましい。前記グリシンの量が０．２質量％以上の場合は、塩基である水酸化テトラメチルアンモニウムのｐＨ緩衝材としての働きが十分であり、ｐＨを制御することができる。同様の観点で、前記グリシンの量は０．５質量％以上であることがより好ましい。一方、グリシンの量が５．０質量％以下の場合には、ｐＨの低下を抑制でき、シリコン膜の研磨速度の低下を招くことがなく、また、砥粒の凝集を防止でき、ＣＭＰスラリーの保存安定性が保つことができる傾向がある。この観点で、前記グリシンの量は４．０質量％以下であることがより好ましい。
【００２７】
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーは、ポリシリコン部材を研磨するためのものである。研磨されるポリシリコン部材としては、任意のものを選択できるが、具体的には、半導体デバイスが挙げられ、特に半導体基盤表面上に施されたキャパシタ、ゲート電極、及びその他に使用されているポリシリコン膜を研磨するのに適している。尚、このような基材に対して本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリー（研磨用組成物）を適用して研磨加工を行った場合、ポリシリコン膜とともに二酸化ケイ素膜、金属膜、又は基材材料も研磨されることがある。
【００２８】
また、本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーは、水酸化テトラメチルアンモニウム、グリシン、水を含むケミカル成分と、砥粒と水を含む砥粒成分の２液とすることにより、比較的高濃度の原液として調製して貯蔵又は輸送することができ、実際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして記載したのであり、このような使用方法をとる場合、貯蔵又は輸送などをされる状態においてはより高濃度の溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性の観点から、そのような濃縮された形態で製造されることが好ましい。加えて、ＣＭＰスラリーのコストをさらに低減させることが可能である。尚、シリコン膜用ＣＭＰスラリーについて前述した濃度などは、このような製造時の濃度ではなく、使用時の濃度を記載したものである。
【００２９】
セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成時のシリコン膜のＣＭＰ工程では、シリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の各膜の厚さに合わせて、各膜の適切な研磨速度及び研磨速度比が得られるように研磨条件を調節する必要がある。しかし、各膜の研磨速度は、膜質や、研磨パッドの種類、研磨装置の種類など様々な要因によって変化すると考えられる。それらの要因に対して、研磨圧力や研磨定盤の回転数などの研磨条件によって調節可能な範囲は限られるため、研磨条件の最適化のみで、各膜の適切な研磨速度及び研磨速度比を得るのは困難である。従って、ＣＭＰスラリーによる研磨速度及び研磨速度比を調節することが好ましい。
【００３０】
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーでは、グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比の調整によって、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の研磨速度はほぼ一定に保ちつつ、シリコン膜の研磨速度のみを調節できるため、各膜の研磨速度比の調節が容易となり、適切な研磨速度と研磨速度比を容易に達成することが可能となる。
【００３１】
被研磨膜の研磨は化学機械研磨により行なわれ、具体的には、被研磨面が形成された基板を研磨定盤の研磨布（パッド）上に押圧した状態で、本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーを供給しながら研磨定盤と基板とを相対的に動かすことによって被研磨面を研磨する。
【００３２】
研磨する装置としては、例えば研磨布により研磨する場合、研磨される基板を保持できるホルダと、回転数が変更可能なモータ等に接続し、研磨布を貼り付けられる定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、アプライドマテリアルズ社製のＭｉｒｒａが使用できる。
【００３３】
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように１３０ｒｐｍ以下が好ましい。被研磨面を有する基板の研磨布への押し付け圧力（研磨圧力）が３〜６０ｋＰａであることが好ましく、ＣＭＰ速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、６〜４０ｋＰａであることがより好ましい。
【００３４】
研磨している間、研磨布にはシリコン膜用ＣＭＰスラリーをポンプ等で連続的に供給する。シリコン膜用ＣＭＰスラリーの供給量に制限はないが、研磨布の表面が常にシリコン膜用ＣＭＰスラリーで覆われていることが好ましい。
【００３５】
研磨終了後の基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。研磨布の表面状態を常に同一にしてＣＭＰを行うために、研磨の前に研磨布のコンディショニング工程を入れることが好ましい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて少なくとも水を含む液で研磨布のコンディショニングを行う。続いてＣＭＰ研磨工程を実施し、さらに、基板洗浄工程を加えることが好ましい。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の実施例を説明する。本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
【００３７】
実施例１〜４及び比較例１〜３
実施例１〜４及び比較例１〜３の調整は以下のようにして行った。
容量１リットルのポリ容器に、グリシン：１０ｇ(和光純薬工業株式会社製)、純水：８８６．２ｇ、水酸化テトラメチルアンモニウム(和光純薬工業株式会社製、濃度２５質量％)：２８．８ｇ、コロイダルシリカ（扶桑化学工業株式会社製、濃度２０質量％）：７５ｇを投入し、室温（２５℃）で３０分撹拌し、ＣＭＰ研磨液を作製した。また、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウム量を変化する以外は、同様にしてＣＭＰ研磨液を作製した。
【００３８】
ｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製の型番ＨＭ−２１Ｐ）で測定した。具体的には、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性りん酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ６．８６（２５℃）、ホウ酸塩標準液ｐＨ：９．１８（２５℃））を用いて、３点校正した後、電極をＣＭＰスラリーに入れて、１０分以上経過して安定した後の値を測定した。
【００３９】
ＣＭＰスラリー中のコロイダルシリカの濃度は１．５質量％とした。コロイダルシリカの二次粒子の平均粒径はＣＭＰスラリー作製前が９０ｎｍ程度、スラリー作製後は１００ｎｍ程度であり、この平均粒径はスラリー作製後１ヶ月室温放置した後も殆ど変化しなかった。平均粒径はサブミクロン粒子アナライザーＮ５（ベックマンコールター社製）を用いて測定した。
【００４０】
ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜が形成された以下に示す各ウエハーを使用し、上記実施例１〜４の各ＣＭＰスラリーを定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す研磨条件でＣＭＰ処理を行った。ＣＭＰ処理前後の各膜厚を光干渉膜厚計で測定し、その膜厚差と研磨時間とから研磨速度を算出した。その結果を表１に示した。また、図３には、グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比とポリシリコン膜の研磨速度との関係をプロットしたグラフを示した。さらに、図４には、研磨ペーストのｐＨとポリシリコン膜の研磨速度との関係をプロットしたグラフを示した。
【００４１】
（ウエハ）
ポリシリコン膜のＣＭＰ用としては、直径（φ）１２インチのシリコンウエハーにシリコン酸化膜１００ｎｍを形成後、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってポリシリコン膜４００ｎｍを形成したウエハーを用いた。
【００４２】
シリコン窒化膜のＣＭＰ用としては、直径（φ）１２インチのシリコンウエハーにＣＶＤによってシリコン窒化膜１５０ｎｍを形成したウエハーを用いた。
【００４３】
シリコン酸化膜のＣＭＰ用としては、直径（φ）１２インチのシリコンウエハーにＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜５００ｎｍを形成したウエハーを用いた。
【００４４】
（研磨条件）
研磨装置：定盤寸法 直径６００ｍｍ、ロータリータイプ
研磨パッド：発泡ポリウレタン樹脂
パッドグルーブ：同心円状のもの
研磨圧力：２．５ｐｓｉ（１７．２ｋＰａ）
ウエハー基板の回転数：９０ｍｉｎ−１
研磨定盤の回転数：９０ｍｉｎ−１
スラリー流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間：ポリシリコン膜３０秒、シリコン窒化膜１２０秒、シリコン酸化膜１２０秒
【００４５】
【表１】
上記表中、ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウムを示す。
【００４６】
ＣＭＰスラリーのｐＨが低い比較例１は、ポリシリコン膜の研磨速度が遅く、シリコン窒化膜に対するポリシリコン膜の研磨速度比が不十分である。ＣＭＰスラリーのｐＨが高い比較例２及び３においても同様にシリコン窒化膜に対するポリシリコン膜の研磨速度が不十分である。これにより、ｐＨが９．５未満又は１１．５よりも大きい場合には、適切な研磨速度、研磨速度比が得られないことが分かる。また、グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウムが０．５〜４．０となるモル比で研磨速度が大きくなる。
【符号の説明】
【００４７】
１：シリコン基板
２：ゲート絶縁膜
３：ゲート構造
４：ゲートキャップ層
５：ゲートスペーサー
６：エッチストパー
７：絶縁膜
８：ポリシリコン膜
９：金属シリサイド
１０：ポリシリコン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン膜用ＣＭＰスラリーに関する。特にコンタクトプラグ形成に使われるシリコン膜のＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）において、ポリシリコン膜をシリコン窒化膜に対して選択的に研磨し、ウエハー面内均一性を得るのに最適なシリコン研磨用ＣＭＰスラリーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化のため、特にＤＲＡＭ、ＳＲＡＭのようなメモリー素子では、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレインと上層配線の接続のため、セルフアライン方式によるコンタクトプラグの形成が必須となっている。図１に、セルフアライン方式でコンタクトホールを形成した後、導電材となるポリシリコン膜８をウエハー全面に形成したときの半導体素子の断面の模式図を示す。図１において、１はシリコン基板、２はゲート絶縁膜、３はゲート構造を示す。ゲート構造３は、導電層の上に絶縁膜のゲートキャップ層４を有した構造となっている。ゲートの導電層には、金属シリサイド９とポリシリコン１０からなる２層構造が用いられ、ゲートキャップ層４にはシリコン窒化膜が用いられる。５はゲートスペーサー、６はエッチストパーを示し、ゲートスペーサー５及びエッチストパー６にはシリコン窒化膜が用いられる。７は絶縁膜を示し、絶縁膜７にはシリコン酸化膜、ＢＰＳＧ膜（Boron Phosphor Silicate Glass）等が用いられる。
【０００３】
コンタクトホールは、フォトレジストを用いたドライエッチングにより、絶縁膜７を除去することで形成される。８はコンタクトプラグの導電材となるポリシリコン膜を示す。
【０００４】
コンタクトプラグを形成するためには、ポリシリコン膜８の不要な部分をＣＭＰによって除去し、さらに、コンタクトホール間の短絡を防ぐため、ゲートキャップ層４も一部除去する必要がある。但し、ゲートキャップ層４はＣＭＰ後も残す必要があるため、ゲートキャップ層４を構成するシリコン窒化膜の研磨速度は速すぎてはいけない。従って、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比、すなわち、ポリシリコン膜の研磨速度：シリコン窒化膜の研磨速度は４０〜１００：１が適切である。
【０００５】
ゲートキャップ層４の一部を除去し、ポリシリコン膜８の不要な部分を完全に除去するためのオーバー研磨は、絶縁膜７が露出した状態で行われる。この時、絶縁膜７の研磨速度が大きいと、ゲートキャップ層４が消失し、ゲートの導電層まで研磨が進行し、デバイスの歩留まりや信頼性の低下を招く。そのため、絶縁膜７を構成するシリコン酸化膜の研磨速度が、ゲートキャップ層４を構成するシリコン窒化膜に対して十分小さく、ＣＭＰがほぼ停止することが必要になる。但し、シリコン酸化膜が全く研磨されないと、逆に平坦性を損ねる。そのため、シリコン酸化膜の研磨速度は、５〜２０ｎｍ／分が適切である。ＣＭＰ後の半導体素子の断面図を図２に示す。
【０００６】
図１に示すような半導体素子において、ポリシリコン膜８の膜厚は１００〜４００ｎｍ、ゲートキャップ層４の膜厚は１０〜１００ｎｍ程度である。このような場合に、ＣＭＰを１種類のスラリーで実施するためには、ポリシリコン膜の研磨速度は１００〜６００ｎｍ／分、シリコン窒化膜の研磨速度は５〜２０ｎｍ／分が適切であり、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比、すなわち、ポリシリコン膜の研磨速度：シリコン窒化膜の研磨速度は４０〜１００：１が適切である。
【０００７】
しかし、従来の技術では、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜に対して、１種類のスラリーでは上記の研磨速度と研磨速度比が得られるスラリーはなかった。そのため、２種類のスラリーを用いて２段階のＣＭＰを行うなどの方法が必要であり、プロセスコストの増大が問題になっていた。
【０００８】
米国特許出願公開第２００６／０１０５５６９号明細書には、ポリシリコン膜の研磨速度：シリコン窒化膜の研磨速度が、１：１〜４：１となるＣＭＰ条件で１種類のスラリーでＣＭＰを行う方法が示されている。しかし、この方法では、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比、すなわち、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の研磨速度比が１〜４：１と小さいため、シリコン窒化膜がＣＭＰの停止層にならず、研磨量の制御が難しいと考えられる。
【０００９】
特許第３４５７１４４号公報には、塩基性有機化合物を含むポリシリコン研磨用組成物を用いる方法が示されている。この方法では、ポリシリコン膜とシリコン酸化膜の研磨速度比が大きいが、シリコン窒化膜の研磨速度が遅いため、コンタクトプラグ形成のＣＭＰを１種類で実施することはできない。
【００１０】
特許第３１９０７４２号公報には、燐酸を含む研磨剤を用いてシリコン窒化膜を研磨する方法が示されている。この方法では、シリコン窒化膜の研磨速度は１２０ｎｍ／分であるが、ポリシリコン膜の研磨速度が７０ｎｍ／分と遅い。そのため、この場合も、コンタクトプラグ形成のＣＭＰを１種類のスラリーで実施することはできない。このように、コンタクトプラグ形成のＣＭＰを１種類のスラリーで実施可能なＣＭＰスラリーは従来技術では得られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１０５５６９号明細書
【特許文献２】特許３４５７１４４号公報
【特許文献３】特許３１９０７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、ポリシリコン膜に対しては良好な研磨速度を示し、さらに、ポリシリコン膜以外の別の膜種に対する研磨速度比を大きくすることが可能なＣＭＰスラリーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、水酸化テトラメチルアンモニウム及びグリシンを用いることで上記課題を解決するシリコン膜用ＣＭＰスラリーに関する。また、本発明の別の側面としては、砥粒、水酸化テトラメチルアンモニウム、グリシン及び水を含有し、ｐＨを最適範囲に調整してなるシリコン膜用ＣＭＰスラリーに関する。
【００１４】
より具体的には、本発明は以下の通りである。
１． 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、ＴＭＡＨと略すことがある）を０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
２． ｐＨが９．０〜１１．５である上記１に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
３． 砥粒の量が、０．５〜５．０％である上記１又は上記２に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
４．砥粒が、コロイダルシリカを含有する上記１〜３のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
５． 水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５〜１．５質量％含む上記１〜４のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
６． グリシンを０．２〜５．０質量％含む上記１〜５のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーによれば、ポリシリコン膜とポリシリコン膜以外の別の膜種を適切な研磨速度と研磨速度比でＣＭＰすることができるため、例えば、半導体素子のセルフアラインコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで行うことができる。それによって、半導体素子の製造コスト低減ならびに研磨時間の短縮が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ＣＭＰ前の半導体素子を示す断面図である。
【図２】ＣＭＰ後の半導体素子を示す断面図である。
【図３】実施例におけるグリシン/ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）のモル比とポリシリコン膜の研磨速度の関係を示すグラフである。
【図４】実施例におけるＣＭＰスラリーのｐＨとポリシリコン膜の研磨速度の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に発明を実施するための最良の形態について詳述する。
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーは、その実施形態の一つとして、水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含有するものであり、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜などのシリコン膜のＣＭＰに有用である。特に、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜に対して、１種類のスラリーで上述の研磨速度と研磨速度比が得られるスラリーを提供することができる。
【００１８】
本発明で用いられる砥粒は、特に制限はなく、具体的には例えば、シリカ、アルミナ、セリア、ジルコニア等が挙げられ、中でもシリカが好ましく、特にコロイダルシリカは粒径が小さい砥粒を低コストで得られ、研磨傷を低減できる点で好ましい。
【００１９】
研磨傷の発生はＬＳＩの歩留まりを低下させるため、微細化したＬＳＩほど研磨傷の要求が厳しくなっている。従って、砥粒の平均粒径として、ＣＭＰスラリー作製前の砥粒の二次粒子の平均粒径は、好ましくは１０〜２００ｎｍ、より好ましくは２０〜１５０ｎｍである。また、ＣＭＰスラリー作製後の砥粒の二次粒子の平均粒径は、好ましくは１０〜２５０ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。ＣＭＰスラリー作製前後おける二次粒子の平均粒径が上記範囲にある場合は、研磨傷を抑制しやすくなる傾向がある。ここで、ＣＭＰスラリー作製後とは、ＣＭＰスラリー作製から約２４時間経過後を指す。また、砥粒の二次粒子の平均粒径は、動的光散乱法により測定できる。具体的には、ベックマンコールター社製のサブミクロン粒子アナライザーＮ５などにより測定することができる。
【００２０】
シリコン膜用ＣＭＰスラリー中の砥粒の濃度（量）は、好ましくは０．５〜５．０質量％、より好ましくは１．０〜３．０質量％である。前記砥粒の濃度が０．５質量％以上である場合はシリコン膜の研磨速度が速くなる傾向にあり、５．０質量％以下である場合は研磨傷やＣＭＰスラリーの凝集を抑制しやすくなる傾向にある。
【００２１】
本発明において、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上添加することで、ｐＨを塩基性領域にするとともに、ｐＨ緩衝材としてグリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０を含有させることにより、ｐＨの著しい上昇を抑えてｐＨを制御する。
【００２２】
水酸化テトラメチルアンモニウムの添加量を０．５質量％以上とすることで、ポリシリコン膜の研磨速度が十分に得られ、また、ウエハー面内均一性を高めることができる。
【００２３】
本発明に於いて、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）は０．５〜４．０とする。前記モル比を０．５以上とすることで、グリシンがｐＨ緩衝材としての効果を十分に発揮でき、ｐＨを９．０〜１１．５以内に保つことができる。このような観点で、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）は、０．７以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましい。一方、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）を４．０以下とすることで、ｐＨを９．０以上にしつつ、安定性を確保することができる。このような観点で、前記モル比は、３．０以下が好ましく、２．５以下がより好ましい。
【００２４】
ｐＨが１１．５より小さい場合には、研磨部以外でのエッチングの発生を抑制でき、又は粒子の凝集が抑制され組成物の安定性が保たれるため好ましい。ｐＨが９．０以上の場合には、シリコン膜の研磨速度が速く、シリコン窒化膜の研磨速度に対するシリコン膜の研磨速度比が大きくなるので好ましい。
【００２５】
シリコン膜用ＣＭＰスラリー中の水酸化テトラメチルアンモニウムの量は、０．５〜１．５質量％であることが好ましい。
前記水酸化テトラメチルアンモニウムの量が０．５質量％以上の場合は、シリコン膜の研磨速度が速くなり、シリコン窒化膜の研磨速度に対するシリコン膜の研磨速度比が高くなる傾向にあり、この観点で、０．７質量％以上がより好ましい。また、１．５質量％以下の場合には、ｐＨが著しく大きくなることはなく、それに伴ってｐＨ緩衝材のグリシンの添加量を増量する必要がなく、結果的に砥粒の凝集を抑制でき、ＣＭＰスラリーの保存安定性を向上させることができる傾向があり、この観点で、１．２質量％以下であることがより好ましい。
【００２６】
シリコン膜用ＣＭＰスラリー中のグリシンの量は、０．２〜５．０質量％であることが好ましい。前記グリシンの量が０．２質量％以上の場合は、塩基である水酸化テトラメチルアンモニウムのｐＨ緩衝材としての働きが十分であり、ｐＨを制御することができる。同様の観点で、前記グリシンの量は０．５質量％以上であることがより好ましい。一方、グリシンの量が５．０質量％以下の場合には、ｐＨの低下を抑制でき、シリコン膜の研磨速度の低下を招くことがなく、また、砥粒の凝集を防止でき、ＣＭＰスラリーの保存安定性が保つことができる傾向がある。この観点で、前記グリシンの量は４．０質量％以下であることがより好ましい。
【００２７】
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーは、ポリシリコン部材を研磨するためのものである。研磨されるポリシリコン部材としては、任意のものを選択できるが、具体的には、半導体デバイスが挙げられ、特に半導体基盤表面上に施されたキャパシタ、ゲート電極、及びその他に使用されているポリシリコン膜を研磨するのに適している。尚、このような基材に対して本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリー（研磨用組成物）を適用して研磨加工を行った場合、ポリシリコン膜とともに二酸化ケイ素膜、金属膜、又は基材材料も研磨されることがある。
【００２８】
また、本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーは、水酸化テトラメチルアンモニウム、グリシン、水を含むケミカル成分と、砥粒と水を含む砥粒成分の２液とすることにより、比較的高濃度の原液として調製して貯蔵又は輸送することができ、実際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして記載したのであり、このような使用方法をとる場合、貯蔵又は輸送などをされる状態においてはより高濃度の溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性の観点から、そのような濃縮された形態で製造されることが好ましい。加えて、ＣＭＰスラリーのコストをさらに低減させることが可能である。尚、シリコン膜用ＣＭＰスラリーについて前述した濃度などは、このような製造時の濃度ではなく、使用時の濃度を記載したものである。
【００２９】
セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成時のシリコン膜のＣＭＰ工程では、シリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の各膜の厚さに合わせて、各膜の適切な研磨速度及び研磨速度比が得られるように研磨条件を調節する必要がある。しかし、各膜の研磨速度は、膜質や、研磨パッドの種類、研磨装置の種類など様々な要因によって変化すると考えられる。それらの要因に対して、研磨圧力や研磨定盤の回転数などの研磨条件によって調節可能な範囲は限られるため、研磨条件の最適化のみで、各膜の適切な研磨速度及び研磨速度比を得るのは困難である。従って、ＣＭＰスラリーによる研磨速度及び研磨速度比を調節することが好ましい。
【００３０】
本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーでは、グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比の調整によって、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の研磨速度はほぼ一定に保ちつつ、シリコン膜の研磨速度のみを調節できるため、各膜の研磨速度比の調節が容易となり、適切な研磨速度と研磨速度比を容易に達成することが可能となる。
【００３１】
被研磨膜の研磨は化学機械研磨により行なわれ、具体的には、被研磨面が形成された基板を研磨定盤の研磨布（パッド）上に押圧した状態で、本発明のシリコン膜用ＣＭＰスラリーを供給しながら研磨定盤と基板とを相対的に動かすことによって被研磨面を研磨する。
【００３２】
研磨する装置としては、例えば研磨布により研磨する場合、研磨される基板を保持できるホルダと、回転数が変更可能なモータ等に接続し、研磨布を貼り付けられる定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、アプライドマテリアルズ社製のＭｉｒｒａが使用できる。
【００３３】
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように１３０ｒｐｍ以下が好ましい。被研磨面を有する基板の研磨布への押し付け圧力（研磨圧力）が３〜６０ｋＰａであることが好ましく、ＣＭＰ速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、６〜４０ｋＰａであることがより好ましい。
【００３４】
研磨している間、研磨布にはシリコン膜用ＣＭＰスラリーをポンプ等で連続的に供給する。シリコン膜用ＣＭＰスラリーの供給量に制限はないが、研磨布の表面が常にシリコン膜用ＣＭＰスラリーで覆われていることが好ましい。
【００３５】
研磨終了後の基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。研磨布の表面状態を常に同一にしてＣＭＰを行うために、研磨の前に研磨布のコンディショニング工程を入れることが好ましい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて少なくとも水を含む液で研磨布のコンディショニングを行う。続いてＣＭＰ研磨工程を実施し、さらに、基板洗浄工程を加えることが好ましい。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の実施例を説明する。本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
【００３７】
実施例１〜４及び比較例１〜３
実施例１〜４及び比較例１〜３の調整は以下のようにして行った。
容量１リットルのポリ容器に、グリシン：１０ｇ(和光純薬工業株式会社製)、純水：８８６．２ｇ、水酸化テトラメチルアンモニウム(和光純薬工業株式会社製、濃度２５質量％)：２８．８ｇ、コロイダルシリカ（扶桑化学工業株式会社製、濃度２０質量％）：７５ｇを投入し、室温（２５℃）で３０分撹拌し、ＣＭＰ研磨液を作製した。また、グリシンと水酸化テトラメチルアンモニウム量を変化する以外は、同様にしてＣＭＰ研磨液を作製した。
【００３８】
ｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製の型番ＨＭ−２１Ｐ）で測定した。具体的には、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性りん酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ６．８６（２５℃）、ホウ酸塩標準液ｐＨ：９．１８（２５℃））を用いて、３点校正した後、電極をＣＭＰスラリーに入れて、１０分以上経過して安定した後の値を測定した。
【００３９】
ＣＭＰスラリー中のコロイダルシリカの濃度は１．５質量％とした。コロイダルシリカの二次粒子の平均粒径はＣＭＰスラリー作製前が９０ｎｍ程度、スラリー作製後は１００ｎｍ程度であり、この平均粒径はスラリー作製後１ヶ月室温放置した後も殆ど変化しなかった。平均粒径はサブミクロン粒子アナライザーＮ５（ベックマンコールター社製）を用いて測定した。
【００４０】
ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜が形成された以下に示す各ウエハーを使用し、上記実施例１〜４の各ＣＭＰスラリーを定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す研磨条件でＣＭＰ処理を行った。ＣＭＰ処理前後の各膜厚を光干渉膜厚計で測定し、その膜厚差と研磨時間とから研磨速度を算出した。その結果を表１に示した。また、図３には、グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウムのモル比とポリシリコン膜の研磨速度との関係をプロットしたグラフを示した。さらに、図４には、研磨ペーストのｐＨとポリシリコン膜の研磨速度との関係をプロットしたグラフを示した。
【００４１】
（ウエハ）
ポリシリコン膜のＣＭＰ用としては、直径（φ）１２インチのシリコンウエハーにシリコン酸化膜１００ｎｍを形成後、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってポリシリコン膜４００ｎｍを形成したウエハーを用いた。
【００４２】
シリコン窒化膜のＣＭＰ用としては、直径（φ）１２インチのシリコンウエハーにＣＶＤによってシリコン窒化膜１５０ｎｍを形成したウエハーを用いた。
【００４３】
シリコン酸化膜のＣＭＰ用としては、直径（φ）１２インチのシリコンウエハーにＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜５００ｎｍを形成したウエハーを用いた。
【００４４】
（研磨条件）
研磨装置：定盤寸法 直径６００ｍｍ、ロータリータイプ
研磨パッド：発泡ポリウレタン樹脂
パッドグルーブ：同心円状のもの
研磨圧力：２．５ｐｓｉ（１７．２ｋＰａ）
ウエハー基板の回転数：９０ｍｉｎ−１
研磨定盤の回転数：９０ｍｉｎ−１
スラリー流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間：ポリシリコン膜３０秒、シリコン窒化膜１２０秒、シリコン酸化膜１２０秒
【００４５】
【表１】
上記表中、ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウムを示す。
【００４６】
ＣＭＰスラリーのｐＨが低い比較例１は、ポリシリコン膜の研磨速度が遅く、シリコン窒化膜に対するポリシリコン膜の研磨速度比が不十分である。ＣＭＰスラリーのｐＨが高い比較例２及び３においても同様にシリコン窒化膜に対するポリシリコン膜の研磨速度が不十分である。これにより、ｐＨが９．５未満又は１１．５よりも大きい場合には、適切な研磨速度、研磨速度比が得られないことが分かる。また、グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウムが０．５〜４．０となるモル比で研磨速度が大きくなる。
【符号の説明】
【００４７】
１：シリコン基板
２：ゲート絶縁膜
３：ゲート構造
４：ゲートキャップ層
５：ゲートスペーサー
６：エッチストパー
７：絶縁膜
８：ポリシリコン膜
９：金属シリサイド
１０：ポリシリコン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項２】
ｐＨが９．０〜１１．５である請求項１に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項３】
砥粒の量が、０．５〜５．０質量％である請求項１又は請求項２に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項４】
砥粒が、コロイダルシリカを含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項５】
水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５〜１．５質量％含む請求項１〜４のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項６】
グリシンを０．２〜５．０質量％含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項１】
水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項２】
ｐＨが９．０〜１１．５である請求項１に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項３】
砥粒の量が、０．５〜５．０質量％である請求項１又は請求項２に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項４】
砥粒が、コロイダルシリカを含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項５】
水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５〜１．５質量％含む請求項１〜４のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【請求項６】
グリシンを０．２〜５．０質量％含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のシリコン膜用ＣＭＰスラリー。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２３５０４５（Ｐ２０１２−２３５０４５Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０４２３０（Ｐ２０１１−１０４２３０）
【出願日】平成２３年５月９日（２０１１．５．９）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月９日（２０１１．５．９）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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