アミン官能基を含む酸性キレート剤の塩であって、該塩がキレート剤がもたらす酸性プロトン１モル当たり少なくとも０．２５モルのアルカリ土類金属を含み、酸性キレート剤がエチレンジアミン二コハク酸ではない塩。 （もっと読む）

【課題】バイオフィルムを効果的に除去することができる組成物を提供する。
【解決手段】分子内に、１若しくは２のグアニジル基と炭素数８〜１８の炭化水素基とを有する化合物又はその塩を含有するバイオフィルム除去剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 不燃性で、剥離性能の優れたシアノアクリレート系接着剤剥離用組成物を提供する。
【解決の手段】水酸化第４級アンモニウムの水溶液よりなるシアノアクリレート系接着剤剥離用組成物である。好ましくは、水酸化第４級アンモニウムの配合量が、１．０質量％以上２５．０質量％以下である剥離用組成物である。さらには、本発明の剥離用組成物には、該水溶液１００質量部に対して、特に、界面活性剤を０．１質量部以上５．０質量部以下含有させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶等の製造工程における銅、アルミニウム及びこれらからなる合金等の腐食性金属の酸化等による腐食防止を特徴とするビアリール化合物を用いた防食剤及び当該化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物の提供を課題とする。
【解決手段】
本願発明者らは、上記課題を達成するために研究を重ねた結果、ビアリール化合物から、銅等の腐食しやすい金属に対し、高い防食効果を発揮しつつ、廃液からの回収も可能な防食剤、及び同化合物と剥離性能を有する化合物とからなる防食性能と剥離性能とを併せ持つ組成物を見出した。 （もっと読む）

【課題】光重合性インクジェット材料の硬化膜を十分に除去すると共に、当該硬化膜により皮膜される基板や金属配線などを腐食しない、優れた剥離特性を有する剥離液の提供。
【解決手段】テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（Ａ）を０．０５重量％以上２重量％以下、有機アミン（Ｂ）を１重量％以上１０重量％以下、水溶性有機溶媒（Ｃ）を６０重量％以上９５重量％以下、及び水（Ｄ）を０．５重量％以上２０重量％以下含有する、剥離液。 （もっと読む）

【課題】光触媒及びアパタイト複合体並びにシクロデキストリンの効果により、優れた洗浄効果を発揮するとともに、二酸化ケイ素により水分の吸収による光触媒の効果低減と粉末団結を防ぐことができる洗浄剤を提供する。
【解決手段】洗浄剤を、光触媒及びアパタイト及び二酸化ケイ素、若しくは光触媒とアパタイトの複合体粒子及び二酸化ケイ素、若しくは光触媒と二酸化ケイ素の複合体粒子と、シクロデキストリン粒子と、を含有する粉末とする。 （もっと読む）

【課題】低ｋ誘電体材料又は銅相互接続材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのＣＭＰ後の残渣及び汚染物質材料を効果的に洗浄を達成すること。
【解決手段】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後の残渣及び汚染物質を、自身上に前記残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから洗浄する洗浄組成物及びプロセス。洗浄組成物は新規の腐食防止剤を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、特定のトリアゾール化合物またはテトラゾール化合物を腐食防止剤化合物として含有する半導体基板表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】高い熱安定性を供える新規炭化水素組成物を提供すること。
【解決手段】イソパラフィン、ノルマルパラフィン、および、ナフテンからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の炭化水素１００重量部と、ニトロエタン０．５重量部〜５重量部と、１，２−ブチレンオキサイド０．５重量部〜５重量部とを含有する炭化水素組成物とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供すること。
【解決手段】１分子中にカルボキシル基を２つ有する有機酸と１分子中にカルボキシル基を３つ以上有する有機酸を洗浄剤成分として用い、更に特定のアミノポリカルボン酸を用いることにより、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を効果的に除去しうる効果を達成しうる。 （もっと読む）