【課題】ヒューズエレメントの溶断温度が９２℃〜９８℃の温度ヒューズにおいて、その溶断温度未満と固相線温度との間の温度で繰返し加熱を受けても、ヒューズエレメントの損傷をよく軽減できる温度ヒューズを提供する。
【解決手段】Ｉｎ４８〜５４％、Ｂｉ７〜１０％、Ｚｎ１．５〜３．０％、Ａｇ０．１〜１．０％、残部Ｓｎの合金組成を有する。 （もっと読む）

【課題】ガリウム以外の金属を多量に添加することなく、室温以下の温度で液体状態を長時間保持するように液体ガリウムの液体状態保持温度を低下させる方法および室温以下の温度で液体状態を長時間保持するガリウム組成物を提供する。
【解決手段】液体ガリウムに平均粒径が１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以下、最も好ましくは１〜１０ｎｍ以下のシリカ微粒子を０．１質量％以上、好ましくは０．３〜２．０質量％、さらに好ましくは０．５〜１．５質量％、最も好ましくは０．５〜１．０質量％添加した後、超音波などによって分散させることにより、液体ガリウムの液体状態保持温度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面側に微細パターンを形成するために設ける合金層を一層だけとすることができる上に、数百ｎｍ周期までの極めて狭い周期で微細パターン穴を確実に形成することができる微細パターン形成材料、および積層構造体、ならびにスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】基板の表面側に設けられ、レーザー光の照射によって溶融することで穴が形成される微細パターン形成材料であって、Ｃｏを３０〜６０原子％含有するＩｎ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 加熱装置の上に裁置され、加熱された鋳型に所定量の純度９９．９９％以上、酸素含有量が０．００１ｗｔ％以下のインジウム原料を投入して溶解し、表面に浮遊する酸化インジウムを除去し、冷却してインゴットを得、得たインゴット表面を研削してインジウムターゲットを得るに際し、所定量のインジウム原料を一度に鋳型に投入せずに複数回に分けて投入し、都度生成した溶湯表面の酸化インジウムを除去し、その後、冷却して得られたインゴットを表面研削して得る。用いる原料の形態は、インゴット、リボン状、粉末いずれでもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、充電時にデンドライトの生成がなく、充放電時に電極の損傷も起こらない二次電池用負極活物質およびそれを用いた二次電池を提供することを目的とする。
【解決手段】ガリウムと、リチウムと、融点がアルミニウムの融点以下の金属からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属としてのアルミニウムと、を含有し、充電時には少なくとも前記リチウムを含む液相を有する二次電池用負極活物質４ｄが収納保持された負極４と、正極２と、負極４と正極２間に配置されたイオン伝導性電解液とを備えた二次電池であって、前記リチウムは、放電時にはイオンとして前記電解液内に拡散し、充電時には前記イオンが二次電池用負極活物質４ｄの表面で再び金属に戻り、二次電池用負極活物質４ｄ内へ拡散するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高保磁力かつ高磁化のＮｄＦｅＢ純三元系磁石を得ることを目的とする。該磁石は、室温だけでなく、高温でも優れた磁気特性を有する。
【解決手段】単磁区粒子径以下の粒子径の粒子で構成される、孤立微細集合組織および／または等方性微細集合組織を含んでなる、純三元系Ｎｄ-Ｆｅ-Ｂ磁石を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末およびＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末を用意し、前記Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末に前記Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末をＣｕ_ａＩｎ_ｂＧａ_ｃＳｅ_ｄ（但し、単位は原子％、２５≦ａ≦６５、０≦ｂ≦５０、０≦ｃ≦３０、３０≦ｄ≦５０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００）からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスしてホットプレス体を作製し、このホットプレス体の表面を切削することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な少ない工程数の処理により、少ないエネルギー消費で、希土類磁石のような大量に排出される廃棄物から効率よく不純分の含有量の少ない希土類金属を分離回収する方法を提供する。
【解決手段】溶融塩電解に際し、陽極５と陰極６との間を、希土類金属合金からなるバイポーラー電極型隔膜１で分画して陽極室３及び陰極室４を形成し、陽極室３側に希土類金属イオンＲＥｎ＋を供給しながら、陽極５と陰極６との間に電圧を印加して電解を行わせて、希土類金属ＲＥをバイポーラー電極型隔膜１中で拡散透過させ、陰極６表面に希土類金属又はその合金を析出させることにより希土類金属を回収する。 （もっと読む）

【課題】クラスレート化合物をその構成成分の溶融物から製造するための方法を提供する。
【解決手段】目的の元素を目的の比率で含有する均質な溶融物を急速冷却、すなわちクエンチすることによって前記溶融物を固化させてクラスレート化合物を得ることで製造される。好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。これらの元素は、熱電気および半導体用途のクラスレートの製造に好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｂａ及び／又はＧａを含む熱電材料を製造する場合において、Ｂａ及び／又はＧａの流出を抑制し、組成の精密な制御が可能な熱電材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｂａ及びＧａの少なくとも一方を構成元素に持ち、室温におけるゼーベック係数Ｓの絶対値が２０μＶ／Ｋ以上である熱電材料、又は、固相反応により前記熱電材料となる前駆体からなる主部材と、前記構成元素の少なくとも一方を含む化合物からなる補助部材とを共存させ、前記主部材を熱処理する熱処理工程を備えた熱電材料の製造方法。 （もっと読む）