【課題】ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第２半導体と、リン化合物からなる第３半導体とを含み、前記第２半導体と前記第３半導体とが接触しており、前記第２半導体が第１原子を第２濃度で含有し、かつ第２原子を含有し、前記第１原子が前記第２半導体に第１伝導型のキャリアを発生させ、前記第２濃度が、前記第２半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度以上の濃度であり、前記第２原子が前記第２半導体におけるフェルミ準位と電荷中性準位との差を小さくする半導体基板提供する。 （もっと読む）

【課題】保存性能に優れたリチウム二次電池用負極材料及びそれを用いたリチウム二次電池を提供することを課題とする。
【解決手段】ＬａＳｉ_ｘと表記されるＬａ−Ｓｉ系合金からなるリチウム二次電池用負極材料であって、ＬａＳｉ_２−ａ１相のみからなり、又は、ＬａＳｉ_２−ａ１相及びＬａＳｉ_２−ａ２相の両相からなり、１．７１≦ｘ≦１．８６であることを特徴とする。また、この負極材料を含有するリチウム二次電池用負極であり、このリチウム二次電池用負極を備えたリチウム二次電池である。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだ粉末及び熱硬化性樹脂を含有するはんだ接合剤組成物において、はんだ付け性が良好であり、かつ信頼性の高いはんだ接合剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明のはんだ接合剤組成物は、鉛フリーはんだ粉末と熱硬化性樹脂含有フラックスとを含有するはんだ接合剤組成物であって、平均粒径５〜１００ｎｍの無機フィラーを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｄとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素ＤがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（ＣｅおよびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＩｒからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である、球形状の第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｄとの化合物である第２の相を有し、前記第２の相の一部または全部が、前記第１の相に覆われていることを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｍとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、前記元素ＭがＣｕ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｍとの化合物または前記元素Ｍの単体もしくは固溶体である第２の相を有し、前記第１の相と前記第２の相の両方が外表面に露出し、前記第１の相と前記第２の相が球形状であることを特徴とするナノサイズ粒子と、ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【解決手段】Ｒ¹₂Ｔ₁₄Ｂ型化合物を主相とするＲ¹−Ｔ−Ｂ系焼結体に、Ｒ²（Ｓｃ及びＹを含む希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素）と、Ｍ（Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉから選ばれる１種又は２種以上の元素）とを含有する溶湯を急冷して得た急冷合金粉末を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結体の焼結温度以下の温度に加熱することによりＲ²元素を焼結体の内部に拡散させる。
【効果】Ｒ²とＭを含有する急冷合金粉末を焼結体上に塗布、拡散処理することにより、粉末の酸化が抑制されて取り扱い上の危険性が低減し、生産性に優れると共に、高価なＴｂやＤｙ使用量が少なく、残留磁束密度の低減を抑制しながら保磁力を増大させた高性能のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供することができる。 （もっと読む）

複合材料を作製するためのプロセス及び熱電特性を有する複合材料。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、低耐熱性電子部品等の実装、特にＴＳＶ技術やビルドアップ工法を利用した電子部品等の実装に適した流動性を有し、はんだ接合部の高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有した鉛フリーはんだ合金及び当該はんだ合金を用いたはんだ接合部の提供を目的とする。
【解決手段】 はんだ接合部及びはんだ接合界面において、ＮｉＡｓ型結晶構造を有する金属間化合物を形成する鉛フリーはんだ合金組成を用い、当該鉛フリーはんだ合金の組成がＩｎを必須組成とし、更にＣｕ及びＮｉに関して、Ｃｕを０．１〜２．０重量％、Ｎｉを０．０１〜０．１重量％添加させ、残部をＩｎからなる組成の鉛フリーはんだ合金を用いることにより、はんだ接合時の流動性に優れ、はんだ接合部のエージング劣化が抑制される効果、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有するはんだ接合部の提供が可能となる。 （もっと読む）

本発明は、電子器機、集積回路、半導体素子、太陽電池および／またはソーラーモジュールの製造において、導電性物質として使用するのに適した接着剤に関する。この接着剤は、少なくとも１種の樹脂成分、少なくとも１種の窒素含有硬化剤、少なくとも１種の低融点金属フィラー、および必要に応じて、金属フィラーとは異なる少なくとも１種の導電性フィラーを含有する。 （もっと読む）

【課題】緻密な組織を有すると共に、偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金、スパッタリングターゲット、Ｃｕ−Ｇａ合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金は、複数の相を含むＣｕ−Ｇａ合金であって、４０重量％以上６０重量％以下のガリウム（Ｇａ）を含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物からなり、Ｇａを８０重量％以上含む偏析相を含み、偏析相の体積の当該Ｃｕ−Ｇａ合金全体の体積に占める割合が１％以下である。 （もっと読む）