【課題】化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶構造が正方晶であるインジウムメタルターゲットであって、該ターゲットのスパッタ面が１０１が主配向であることを特徴とするインジウムメタルターゲット。インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を１０１主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｂａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料に比べて高い性能指数（ＺＴ）を示し、安価で軽いクラスレート化合物、熱電変換材料、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料のＧａの一部をＧａより軽くて安価なＡｌで置換する。この場合、Ａｌの仕込み比を０より大きく０．１７以下とする。これにより、クラスレート化合物におけるＡｌの組成比が０より大きく０．２０以下のものを得ることができる。このように、ＧａをＡｌで置換したクラスレート化合物は、ゼーベック係数、比抵抗、および性能指数（ＺＴ）についてＢａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料よりも良い数値を示す。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜および／または薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、３０原子％以上のＭｏを含有するＡｌ−Ｍｏ合金、またはＭｏと、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＦｅよりなるＸ群から選択される少なくとも１種とを含有するＡｌ−Ｍｏ−Ｘ合金の単層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきており、特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料若しくはインジウムに対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、インジウム及びインジウムを含有する合金のα線発生の現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるインジウムのα線量を低減させた高純度インジウムを提供する。
【解決手段】溶解・鋳造した後の試料のα線量が０．００２ｃｐｈ／ｃｍ^２以下であることを特徴とするインジウム。 （もっと読む）

【課題】有機機能素子の電極において、蒸着を用いること無く電極を形成でき、大型化が容易で製造コストが低減でき、また、撓みに対して電極断線することの無い高い信頼性を有する電極形成用の金属材料であるとともに、高い電子注入機能を有する電極形成用の金属材料、及びその金属材料を用いた有機機能素子を提供する。
【解決手段】融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】燃料電池の電気化学エネルギーデバイスの一時的な高出力運転時の不安定動作を改善することを課題とする。
【解決手段】水素酸化反応を促進する触媒を担持した電気伝導体と、高水素分圧下で水素を吸蔵し、かつ、低水素分圧下では水素を放出する性能を持つ平均粒径４００ｎｍ以下の金属水素化物と、を含む触媒層を有する触媒電極、この触媒電極を燃料極１０として用いる燃料電池１、および、燃料電池１を動力源として用いる機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

本発明は、電気接続素子を備えた窓ガラスに関し、窓ガラスは、
第１の熱膨張率を備えたガラス（１）からなる基板と、
基板（１）のある領域の５μｍ〜４０μｍの層厚みを備えた導電性構造（２）と、
第２の熱膨張率を備え、第１の膨張率と第２の膨張率との差が５×１０^−６／℃未満である接続素子（３）と、
接続素子（３）を導電性構造（２）のサブ領域に電気的に接続するハンダ材料（４）の層と、を含み、
５０μｍの層厚みｔを超えるハンダ材料（４）は、接続素子（３）と導電性構造（２）との間の中間スペースから、接続素子（３）の接触面に対して１ｍｍ未満の流出幅ｂで流出する。
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【課題】新規の組成をもつ水素吸蔵合金およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＹおよびＡｌの二元系合金またはＹ、ＡｌおよびＶの三元系合金からなり水素を吸蔵脱離可能な水素吸蔵合金であって、Ｙに対するＡｌの含有割合（Ａｌ／Ｙ）が原子比で０．８以上１．３以下である。Ｖを含む場合には、全体を１００原子％としたときにＶを２２原子％以下とする。ＣｒＢ型結晶構造のＹ−Ａｌ化合物相を含むことで、水素の吸蔵および放出が可能となる。 （もっと読む）