説明

国際特許分類[C22C28/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | グループ5/00から27/00に分類されない金属を基とする合金 (276)

国際特許分類[C22C28/00]に分類される特許

11 - 20 / 276


【課題】インジウム及びインジウム合金に含まれる不純物を、低コストで、効果的に除去することができる高純度インジウム及び高純度インジウム合金の精製方法を提供する。
【解決手段】予めインジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化させると共に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を溶解し、この溶解した後のインジウム及びインジウム合金の溶湯の上に形成された酸化インジウムを主成分とするスラグの中に、不純物を吸着、結合又は複合させた後、このスラグを除去してインジウム又はインジウム合金を精製する。表面を酸化する方法は、酸素含有雰囲気中で50°C以上に加熱して表面酸化するか、又は電解により酸化する。インジウムの不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下に低減する。 (もっと読む)


【課題】同一基板上で隣り合う電極間の十分な絶縁性と対向配置された電極間の十分な導電性とを高水準で両立することができ、かつ良好な絶縁性と良好な導電性とを長期間にわたって維持することが可能である接続信頼性に十分に優れる回路接続材料に適した導電粒子を提供すること。
【解決手段】融点または軟化点がT(℃)の材料を主成分とするコア12と、コア12の表面を被覆する、融点がT(℃)の低融点金属を主成分とする導電層14と、該導電層14の表面を被覆する、軟化点がT(℃)の樹脂組成物からなる絶縁層16と、を備えており、T、T及びTが下記式(1)を満たし、Tが130〜250℃である導電粒子を提供する。
>T>T (1) (もっと読む)


【課題】 260℃以下のはんだ付け温度で接合でき、チップとパッケージの熱膨張係数差による機械的ストレスを吸収できると共に、表面実装時にも機械的ストレスの吸収が可能なサーバー用CPU向けとして好適な無鉛In基はんだ合金を提供する。
【解決手段】 Inを主成分とし、Pbを含まず、Au、Ag、Cu、Sb、Znのいずれか1元素以上を添加した無鉛In基はんだ合金であって、溶解鋳造時の熔湯温度と鋳型温度との温度差ΔTを300℃以上に設定して鋳造し、その鋳塊を30〜100℃にて温間押出加工する。これにより、はんだ合金内の金属間化合物あるいは初晶の平均粒径が25μm以下に制御された無鉛In基はんだ合金が得られる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの70%以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】本発明は、HDDR処理などの細粒化処理を施した後にNd−Cuを拡散させてNdFeB系希土類磁石を製造する際に、更に保磁力を向上させることができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】NdFeB系希土類磁石を製造する際に、細粒化処理後に、Nd−Cuの拡散処理を行なう製造方法において、上記NdFeB系希土類磁石の原料に、Al、ZrおよびNbの少なくとも1種を添加することを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。上記細粒化処理を、HDDR処理により行なうことが望ましい。AlおよびZrを共に添加することが望ましい。Al添加量は1〜8at%、Zr添加量は0.5〜2at%が望ましい。 (もっと読む)


【課題】高磁化残留と高保磁力を兼ね備えたNdFeB磁石の製法を提供すること。
【解決手段】NdFe14B相を含んでなる磁性組織に非磁性相を接触させる工程、
前記非磁性相をその融点以上の温度まで加熱する工程、および
前記非磁性相を前記磁性組織に粒界拡散させる工程を含んでなり、
ここで前記NdFe14B相を含んでなる磁性組織の少なくとも一部は、粒子径が10〜300nmのナノ結晶粒子である、
磁石の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末とCu粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なCuGa合金相と純Cu相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 (もっと読む)


【課題】HDDR法を用いて良好な角型性と高い保磁力を有するR−T−B系永久磁石を提供する。
【解決手段】50%体積中心粒径が1μm以上10μm未満であり、R214B相を含むR−T−B系合金粉末(RはNdおよび/またはPrを50原子%以上含む希土類元素、TはFe、またはFeとCo)と、粒径75μm未満のR’(R’はNd、Pr、Dy、Tbから選ばれる1種以上)、またはR’−M系合金(MはAl、Ga、Cu、Co、Ni、Cr、Fe、Si、Geから選ばれる1種以上)の粉末との混合粉末の圧粉体を200℃以上600℃以下の水素雰囲気中で熱処理を施す第一熱処理工程と、圧粉体に対し水素雰囲気中で650℃以上1000℃以下の温度で熱処理を施す第二熱処理工程と、真空または不活性雰囲気中で圧粉体に対し650℃以上1000℃以下の温度で熱処理を施す第三熱処理工程とを実行する。 (もっと読む)


【課題】水素の吸蔵・放出特性を改善した水素吸蔵合金を提供する。
【解決手段】下記一般式(16)で表され、かつCuKα線を用いたX線回折パターンにおける2θ=8〜13゜の範囲に現れる最強ピークの強度(I1)と、全ピークの最強線ピークの強度(I2)との強度比(I1/I2)が0.15未満である合金を含む水素吸蔵合金。
R41-a-bMgaM8b(Ni1-xM9xz …(16)
ただし、R4はイットリウムを含む希土類元素およびCaから選ばれる少なくとも1つの元素、M8はMgより電気陰性度の大きな元素(ただし、R4、Ni、M9を除く)、M9はCo,Mn,Fe,V,Cr,Nb,Al,Ga,Zn,Sn,Cu,Si,P,Bから選ばれる少なくとも1つの元素であり、a、b、x、zはそれぞれ0<a≦0.6、0≦b≦0.5,0≦x≦0.9,2.5≦z<4.5を示す。 (もっと読む)


【課題】耐ピックアップ性に優れた搬送用ロールを提供する。
【解決手段】本発明の搬送用ロールは、温度600〜1100℃の鋼板ストリップを搬送する搬送用ロールであって、前記ロールの最表面層は、金属酸化物、純金属、及び合金の少なくとも一方を含有し、前記最表面層は厚さが1μm以上であり、且つ、600〜1100℃の全ての温度で比べたとき、酸化物生成反応の平衡酸素分圧が、Fe−FeO間の平衡酸素分圧よりも常に低い元素Lの、純金属又は合金として存在する量が、前記最表面層において5質量%以下である。 (もっと読む)


11 - 20 / 276