【課題】表面処理における基板の面内均一性を維持しながら、基板に供給する原料流体の使用量を低減する表面処理装置を提供する。
【解決手段】回転する基板１８面に垂直方向を軸方向とした時の基板１８に対する前記原料流体の軸方向速度分布に基づいて算出された流量で、前記原料流体が基板１８に向かって縦型流として供給され、基板１８の径（ｄ）に対する原料流体供給流路部２８の流入口の径（Ｄ）の割合（Ｄ／ｄ）が、１〜１．１２５の範囲である表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】装置全体を小型化可能として、多層の成膜を形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置を、処理ドラムに被成膜基板を所定角巻き付け連続的または断続的に搬送しながら、被成膜基板の内面に成膜する構成として、装置全体を小型化した。そして、処理ドラムに成膜源が設けられた回転ドラムを回転させることにより、多層の成膜を容易に形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】
ライン数を抑え簡素な装置構成により界面急峻性の優れた薄膜の形成が可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、反応炉に接続された材料ガス供給ラインと、べントラインと、材料ガス供給ラインに第１バルブを介して接続され且つべントラインに第２バルブを介して接続された配管を有する少なくとも１以上の材料ガス供給源と、材料ガス供給ラインに第３バルブを介して接続され且つべントラインに第４バルブを介して接続された第１流量調整ラインと、材料ガス供給ラインに第５バルブを介して接続され且つべントラインに第６バルブを介して接続された第２流量調整ラインと、第３バルブと第６バルブが開いた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが閉じた状態とし、第３バルブと第６バルブが閉じた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが開いた状態とする制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】効率的に高品質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台３４と、支持台３４の上方側を覆って支持台３４との間に小容積領域Ｓを形成可能な第一の位置および第一の位置と異なる第二の位置に移動可能であって、成膜ガスを供給する第一のガス供給孔６８が一方面側に開口するように設けられている板状のヘッド部６２を有し、成膜ガス等の供給を行うガス供給機構６１と、支持台３４上に支持された被処理基板Ｗの外方側に設けられたガス排気孔７０を有し、ガスの排気を行うガス排気機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】III族原料ガスとＶ族原料ガスとを用いて基板上に窒化物系半導体層を気相成長させる気相成長装置が提供される。気相成長装置は、基板が配置される反応室と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか一方を基板に向けて供給する第１ガス供給部と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか他方を基板に向けて供給する第２ガス供給部と、を備える。第１及び第２ガス供給部の少なくともいずれかは、III族及びＶ族原料ガスを混合する混合部を有する。ガス供給部は、III族及びＶ族原料ガスの一方を供給して第１半導体層を成長させる動作と、混合されたガスを供給してIII組成比が第１半導体層とは異なる第２半導体層を成長させる動作と、を切り替え可能である。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、ガス導入部、及びこのガス導入部と連続するようにして設けられたガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の前記ガス導入部において、前記反応管の高さ方向において順次に配置されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置とを具える。 （もっと読む）

【課題】ガス流出部の昇降時に、精度良くガス流出部の表面高さを維持しつつ、重量物であるガス流出部の落下を防止する停止機構を備えた気相成長装置を提供する
【解決手段】ガス流出部１０５を昇降するボールねじ２２の回転を強制的停止し、ガス流出部１０５の落下機構を備えた気相成長装置であって、ガス流出部１０５にシャフト２１を介して複数のボールねじ２２を相互に連結した上、それぞれのボールねじ２２とモータ２６とを連結するタイミングベルト２７の全てに複数のベルト破断検知センサ２８、２９、３０、３１を設置している。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスを負圧で供給することにより、半導体製造装置の稼働に要する電力以外に必要となる用役電力を低減できるガス減圧供給装置を提供する。
【解決手段】大気圧よりも低いプロセス圧力にてプロセスが行われるチャンバへガスを供給するガス減圧供給装置が提供される。このガス減圧供給装置は、一次圧を減圧し、大気圧よりも低くプロセス圧力よりも高い圧力に二次圧を調整する圧力調整器；圧力調整器の二次側配管内の圧力を測定する圧力測定器；二次側配管に設けられる第１の開閉バルブ；第１の開閉バルブを開閉する開閉バルブ制御器；圧力測定器により測定される二次側配管内の圧力を第１の設定圧力と比較する圧力比較器；及び二次側配管内の圧力が第１の設定圧力以下であると圧力比較器により判定された場合に、第１の開閉バルブを閉止する閉止信号を開閉バルブ制御器へ出力する制御部を備える。 （もっと読む）