【課題】 誘導結合方式のように電磁界強度が強い場合にも異常放電することなく、試料全面にわたって均一なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
処理室１と、第１誘電体の真空窓４と、誘導コイル９と、高周波電源１３と、ガス供給手段と、被処理体３を載置する試料台２０とを備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、真空窓４の下方に近接して設置され、中央部にガス放出口を備えた第２誘電体のガス放出板６と、真空窓４とガス放出板６との隙間に設けられ、第１及び第２誘電体よりも比誘電率の高い第３の誘電体の島状の部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応槽１１内で、化学気相法により原料ガスから基板７１上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式（１）を満たす原料ガス供給流量Ｇ_０で反応漕１１内に原料ガスを供給し、次式（２）を満たす排気流量Ｇ_２で反応漕１１内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。Ｇ_０≦１０×Ｓ×ｈ…（１）Ｇ_２≦０．９０×Ｇ_０…（２）ここで、Ｓは基板面積であり、ｈは結晶成長速度である。 （もっと読む）

【課題】1以上の窒化物材料を形成するためのＭＯＣＶＤシステム及び製造方法を提供する。
【解決手段】該システムは、中心軸１２８の周りを回転するように構成されているサセプタ１２０、及び該サセプタ上部に、サセプタとは直接接触していない状態で配置されるシャワーヘッド１１０を含む。加えて、該システムは、該サセプタ上に配置され、中心軸の周りを回転し、かつ対応するホルダ軸１２６の周りもそれぞれ回転するように構成されている1以上の基板ホルダ１３０を含む。更に該システムは、該中心部品内部に形成された1以上の第1の入口１０１、1以上の第2の入口１０２、及びシャワーヘッド内部に形成され、かつ中心部品からの距離が該1以上の第2の入口１０２より更に離れて配置される1以上の第3の入口１０３を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布や膜質に優れた薄膜を、成膜速度を維持しつつ堆積することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に基板を搬入し、真空容器内に回転可能に設けられた回転テーブルに基板を載置するステップと、回転テーブルを回転するステップと、第１の反応ガス供給部から基板に対して第１の反応ガスを供給し、第１の反応ガスを基板に吸着させる吸着ステップと、第２の反応ガス供給部から基板に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給し、基板に吸着される第１の反応ガスと第２の反応ガスを反応させて、基板に反応生成物を形成する形成ステップと、第１及び第２の反応ガス供給部からから回転テーブルの周方向に離間して設けられるプラズマ発生部に対して水素含有ガスを供給し、回転テーブルの上方にプラズマを生成するステップとを含む成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^1、2及び5が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法による酸化モリブデンを含有する薄膜の製造においてプレカーサの輸送性に優れ、基板への供給量の制御が容易かつ安定供給が可能であり、量産性良く良質な酸化モリブデンを含有する薄膜を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たモリブデンアミド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、さらに酸化性ガスを導入することで分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成する、酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法。式中、Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ³はｔ−ブチル基又はｔ−アミル基を表し、ｙは０又は２を表し、ｘはｙが０のときに４であり、ｙが２のときに２であり、複数存在するＲ¹、Ｒ²はそれぞれ同一でもよく、異なっても良い。
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【課題】膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１１内に半導体原料ガスを供給し、反応炉１１内の基板１２上に化合物半導体膜を成長させる気相成長装置１０において、反応炉１１内に半導体原料ガスの供給口１３を複数設け、複数の供給口１３からそれぞれ半導体原料ガスを供給して反応炉１１内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整するものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物の膜の堆積のために使用される固体有機金属化合物前駆体を連続して均一に供給するガス送達システムを提供する
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れ２０２は２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置１０２の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れ２０２および第２の流れ２０４は一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れ２０６における固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れ２０２のフロー方向、第２の流れ２０４のフロー方向および第３の流れ２０６のフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）