国際特許分類［C23C16/458］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの，すなわち化学蒸着 (14,497) | 被覆の方法に特徴のあるもの (8,485) | 反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの (620)
国際特許分類［C23C16/458］に分類される特許
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被処理物を受けるための支持体及び支持体の製造方法
本発明は、被処理物のための受座及び受座の下側に受座が支える被処理物に沿ってガス出口がある、被処理物（１２）とりわけ半導体部品の基板、例えばウエハのための支持体（１０）に関する。所望のガスがよく配量され、微細に配分されてガス出口から流出することができるように、支持体（１０）が少なくとも部分的に、安定化した繊維（１８、２０）で作られ、ガス出口をなす気孔を備えた材料からなることを提案する。 （もっと読む）
基板処理装置、基板保持具、及び半導体装置の製造方法
基板保持具を構成する支柱や基板載置部などの影響による基板上の膜厚不均一部分
を無くし、基板の膜厚均一性を向上する。
基板処理装置は、ボート（基板保持具）に保持された複数のウェハ（基板）を処理室に収容し、加熱された処理室に処理ガスを供給して、ウェハを成膜処理する。ボートは、略垂直に設けられた少なくとも３本の支柱１５と、支柱に多段に設けられて複数のウェハを所定の間隔で略水平に載置する複数のウェハ支持部１６（基板載置部）と、支柱１５に設置され、ウェハ支持部１６に支持されるウェハに対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート１３とを有する。
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半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法
本発明の半導体基板用熱処理治具によれば、半導体基板と直接接触して支持するシリコン材料から構成される第１の治具と、この第１の治具を保持するとともに熱処理ボートに載置するための第２の治具（ホルダ）とからなる２分割構造で構成し、さらに治具材料の最適化を図るとともに、表面粗さと表面平坦度を規定することにより、熱処理時に半導体基板の特定箇所への応力集中を抑制し、治具の変形を低減できる。これにより、自重応力の大きい半導体ウェーハを熱処理する場合、また熱応力の大きい条件で熱処理する場合でも、スリップの発生を有効に防止でき、安定した半導体基板用の熱処理
として広く適用できる。
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ＭＥＭＳ静電チャックの製造方法
本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第１電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第１電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第１電気導電層上に第１電気絶縁層が形成され、この第１電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第１距離だけ伸びるＭＥＭＳの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第１電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。 
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基板ヒーターアセンブリ
所定の規格化直径を有する基板を処理中に支持するための基板ヒーターアセンブリが提供される。一実施形態においては、基板ヒーターアセンブリは、上面を有する本体、下面、および内蔵加熱素子を含む。基板支持面が、本体の上面に形成され、基板収容ポケットの部分を画成する。環状壁が、上面に垂直に位置付けられ、基板の厚さの少なくとも１／２の長さを有する。壁は、基板収容ポケットの外周を画定し、所定の基板直径よりも多くとも約０．５ｍｍだけ大きい直径を有する。 （もっと読む）
連絡空間を用いた効率的な温度制御のための方法と装置
外側支持面と、冷却要素と、支持面に隣接し、この支持面と冷却要素との間に位置されている加熱要素と、この加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成される連絡空間とを有する、基板を支持するための基板ホルダ。連絡空間に流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される。
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微細形状ワークピース上の材料のバッチ堆積のための微細形状ワークピース処理装置及び方法
本発明の開示は、例えば原子層堆積を使用して超小型電子半導体上に材料を堆積させることによって、微細形状ワークピースを処理するための装置及び方法を説明する。これらの装置の幾つかは、ガス分配器を有する微細形状ワークピースホルダーを含む。１つの例示的な実施は、複数の微細形状ワークピースを保持するように適合されている微細形状ワークピースホルダーを提供する。このワークピースホルダーは、複数のワークピース支持体とガス分配器とを含む。ワークピース支持体は、離間した関係で複数の微細形状ワークピースを支持して各微細形状ワークピースの表面に隣接した処理スペースを定めるように適合されている。ガス分配器は、１つの注入口と複数の排出口とを含み、排出口の各々は、処理スペースの１つにプロセスガスの流れを向けるよう位置付けられる。 （もっと読む）
化学気相成長反応装置
化学気相成長反応装置は、反応装置のチャンバと協働して該チャンバ内で反応ガスの層流を促進させる回転可能なウエハキャリヤを有している。前記化学気相成長反応装置は、ＬＥＤ等の製造に使用され得る。 （もっと読む）
ＣＶＤコーティング装置
【課題】プロセスチャンバに導入され熱分解反応を行う反応ガスを用いてプロセスチャンバ内の1または複数の結晶基板の上に結晶層を蒸着する装置を提供する。
【解決手段】片面から加熱可能な搭載プレート２を具備しかつ該搭載プレート上に少なくとも１つの基板ホルダ９と基板ホルダを取り囲む少なくとも１つの補償プレートとが載置されることにより水平ギャップ３を形成し、補償プレート４の局所的表面温度に影響を及ぼすために、ガス流の方向における前記基板ホルダの上流側において水平ギャップ３のギャップ高さを変化させるかまたは局所的に異なるようにする。
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ウエハチャック装置および半導体製造装置
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