【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、これら一対の支柱７５ａ、７５ｂ間に懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。移動制限部７８ｂは、延在部７８ａの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空状態に減圧可能な内部にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、真空チャンバに設けられ高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタと、これらコネクタそれぞれに接続可能な複数本の電極棒５１を有し、高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させるアレイアンテナユニットと、を備える。アンテナ搬送体７０は、真空チャンバ内を移動可能であって、アレイアンテナユニットを着脱自在に保持するアンテナ保持部材７３、および、このアンテナ保持部材７３に保持されたアレイアンテナユニットを昇降するエアシリンダ７６を有する。アンテナ保持部材７３には、アレイアンテナユニットを揺動可能に保持する荷重受け部７７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置内に堆積した堆積物を除去してクリーニングする際に、チャンバー内部品のダメージを低減しつつ、短時間での処理が可能なクリーニング方法を得る。
【解決手段】窒素ガスを主成分として１０〜２０体積％のフッ素ガスを含むフッ素含有ガスに、流量比で１：０．１〜１：１の範囲となるようにヘリウムガスが添加された混合ガスを用い、混合ガス中のフッ素ガスをプラズマ化してクリーニングを実施する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上に膜厚及び膜質が均一な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】平行平板電極を構成するサセプタ２６にウエハＷを載置し、シャワーヘッド９に高周波を供給してサセプタ２６との間にプラズマを生成し、ウエハＷに薄膜を形成する際に、シャワーヘッド９を内側電極部９１と外側電極部９２に分割するとともに、シャワーヘッド９全体に一応に同じレベルの電圧を供給して薄膜を形成したときに、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成し、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極５３の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極５３のメンテナンス作業を簡略化すること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の内壁面に可動ガイドレール２９が上下方向へ移動可能に設けられ、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓが左右方向に移動可能に支持され、各分割ホルダ４１Ｓにおける各一対の第１保持孔４５及び第２保持孔４７に誘導結合型電極５３が挿通した状態で保持され、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓをセットした状態で、可動ガイドレール２９を基準のレール高さ位置まで上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ５７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ６１が第２天井側コネクタ１９に接続すること。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極４５の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極４５のメンテナンス作業を簡略化する。
【解決手段】一対の可動支持部材３１に梁部材６３の両端部が着脱可能に支持され、梁部材６３に複数の分割サポート部材６９Ｓが左右方向に沿って設けられ、分割サポート部材６９Ｓに複数の第１支持孔７５及び複数の第２支持孔７７が左右方向に沿って形成され、一対の可動支持部材３１にアレイアンテナユニット３５をセットした状態で、一対の可動支持部材３１を上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ４７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ５１が第２天井側コネクタ１９に接続するようになっていること。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度やエッチングの均一性を向上させる。
【解決手段】空隙を形成するために下部電極１０４と反対側に上部電極１１４を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。下部電極１０４は、基板を支持するために構成され、ＲＦ電源１１０に結合されている。空隙に注入されたプロセスガスは、動作中にプラズマ状態に励起される。装置は、下部電極を同心円状に取り囲み、内部にスロットセットを有するグランドリングと、スロットを通してガスフローを制御するための機構１０８を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の部材の表面に形成される膜の膜剥がれが抑制されたプラズマプロセス装置を得ること。
【解決手段】処理室１と、処理室１内で被処理基板３を載置する第１電極４と、処理室１内で第１電極４と平行に向かい合う第２電極２と、第１電極４と第２電極２との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段８と、処理室１内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を第２電極２に供給する電源７と、を備え、第１電極４は、被処理基板３を載置する側の面において、載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶質半導体薄膜を大面積基板上に均一に高速で形成すること。
【解決手段】真空容器１０と、基板１００に対向して設けられる電極１２と、真空容器１０に水素を主成分に含むガスを一定量で連続的に供給するガス供給手段２２ａ、２２ｂ、２２ｃと、基板１００と電極１２との間を基板１００の面内において複数に分割した分割領域に対して半導体材料ガスを分割領域毎に個別に且つ周期的に供給するガス供給手段２２ｄ、２２ｅ、２２ｆと、半導体材料ガスの供給と同期して電極１２における半導体材料ガスが供給された分割領域に対応する領域に個別に高周波電圧を印加する高周波電源４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、分割領域への半導体材料ガスの供給のオン／オフを制御するとともに半導体材料ガスの供給に同期させて電極１２に印加する高周波電圧に振幅変調を加える制御手段６０と、真空容器１０内のガスを排気する排気手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を維持するとともに、成膜速度を向上させることができるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に原料ガスを供給する原料ガス供給口１１２と、前記原料ガスを排気する排気口１１４と、を備える成膜容器１１０と、前記成膜容器内に設けられ、基板Ｓを支持する基板支持部１２０と、前記成膜容器内に設けられ、前記原料ガスに曝され、複数の第１開口部１３５を備える第１電極１３０と、前記成膜容器内に設けられ、誘電体で覆われ、複数の第２開口部１４５を備える第２電極１４０と、プラズマを発生させるため、第１電極と第２電極とに高周波電力を印加する高周波電源１５０と、を備え、第２電極は第１電極に対して、前記原料ガス供給口から供給される原料ガスの下流側に設けられる。 （もっと読む）