【課題】均一性の高いプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理容器Ｃと、処理容器Ｃに設けられた下部電極１２に高周波電力を印加するＲＦジェネレータ１４と、ＲＦジェネレータ１４と下部電極１２との間に設けられ、同軸ケーブル１６を用いてＲＦジェネレータ１４に接続された整合器１５と、を備え、同軸ケーブル１６のグラウンド側の線１６ａを下部電極１２に対向する上部電極１１に接続するバイパス経路３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】成膜対象の被成膜面に施される薄膜の均一性を向上して成膜精度を向上する。
【解決手段】真空状態に減圧可能な成膜室１０にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバ１と、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、両電極棒の基端が真空チャンバに固定され、両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、高周波電源からの電力供給により成膜室内でプラズマを発生させるアレイアンテナユニット３０と、基板Ｗの被成膜面を両電極棒に対向させて保持可能な基板保持部材６３と、を備える。基板保持部材に保持された基板Ｗの被成膜面と電極棒との対向間隔は、両電極棒の先端よりも基端の方が大きくなる関係を維持している。 （もっと読む）

【課題】多数の基材に対して一度に成膜を行う、絶縁膜の堆積に伴う動作の不安定をきたさず、長時間に亘って使用しても安定した成膜を行うプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２内を真空排気する真空排気手段３と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部４と、複数の自転保持部４を自転保持部４の回転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給部９と、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源１０とを備え、複数の自転保持部４の各々は、プラズマ発生電源１０の一方極に接続された第１の群１８と、プラズマ発生電源１０の他方極に接続される第２の群１９とに分けられ、互いに異なる極性とされた第１の群１８の基材と、第２の群１９の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 （もっと読む）

【課題】給電側電極棒と接地側電極棒とを通電可能に接続する接続部材の取り付け容易性を向上させるプラズマ処理装置のアンテナ構造の提供。
【解決手段】交流電源の給電側に接続され、真空チャンバに設けられた処理室内で軸心を鉛直方向に沿わせて垂下支持される給電側電極棒５１と、交流電源の接地側に接続され、給電側電極棒５１に対向して処理室内で垂下支持される接地側電極棒５２と、両電極棒５１、５２の先端を通電可能に接続する接続部材５３と、を備える。給電側電極棒５１および接地側電極棒５２は、先端を軸心に対して１８０度湾曲させた懸架部を有し、給電側電極棒５１の懸架部と接地側電極棒５２の懸架部とに接続部材５３が自重によって懸架可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を成膜することができるとともに、大面積の成膜に容易に対応することができるプラズマ処理装置および薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理体４を収納する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体４を保持するステージ５と、反応チャンバー１内に配置され、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる内部アンテナ７と、反応チャンバー１内を、下部空間１０ａと、上部空間１０ｂとに仕切る仕切板１１と、プラズマエリア１０ａ２に第１のガスを供給する第１のガス供給部と、プラズマ抑制エリア１０ａ１に第２のガスを供給する第２のガス供給部とを備え、反応チャンバー１内で、プラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて被処理体４上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する複数の放電空間毎の処理のばらつきが小さく、パワーロスが小さく、かつ高周波電力を任意の数に均等に分配することができる高周波電力分配装置を提供すること。
【解決手段】高周波電源からの高周波電力を均等に分配して供給する高周波電力分配装置４ａは、入力された高周波電力を複数に分岐する分電部材３０と、分電部材３０で分岐された高周波電力を複数の平行平板電極に伝送する、中心の給電線およびその周囲の接地線からなる同軸伝送線３５と、入力側のインピーダンスを調整して電流値を低下させるためのインピーダンス調整機構３６とを有し、分電部材３０は、板状の導体からなる本体３１と、本体３１の一方の主面の入力点３１ａに高周波電力を入力する高周波電力入力部３２と、本体３１の他方の主面の入力点３１ａに対応する点を中心とした円周上に等間隔で複数配置された高周波電力出力部３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る（波長が異なる）高周波電力をプラズマＣＶＤ装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用の基板をプラズマ処理する際に異常放電やパーティクルの問題が生じ難いプラズマ生成用電極を提供すること。
【解決手段】プラズマ生成用電極２０は、チャンバ２内に配置されたフラットパネルディスプレイ用の基板Ｇとの対向面Ｆを有し、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材２０ａの表面に陽極酸化処理されて陽極酸化皮膜２０ｂを有する本体と、本体の対向面Ｆに開口した複数のガス吐出孔２２と、対向面Ｆにおいて、少なくともガス吐出孔２２の開口部２２ｃに形成されたセラミックス溶射皮膜２３とを有し、対向面Ｆにおいてセラミックス溶射皮膜２３の間の部分は、本体の面が露出している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法が、より高い動作周波数で向上した入力インピーダンスを有するＲＦ電力を複数の電極に、より均一に分配するように提供される。
【解決手段】プラズマ処理システムは、電力バス及び接地バスと、正相一次電極バス及び負相一次電極バスと、正相二次電極バス及び負相二次電極バスとを含む。電力バス及び接地バスは、負相二次電極バスに、正相二次電極バスに供給されるＲＦ信号と１８０度位相がずれたＲＦ信号が提供されるように、絶縁トランスにより二次電極バスに結合される。二次電極バスは、コンデンサーにより各正相一次電極バス及び負相一次電極バスに結合される。一次電極バスのそれぞれは、真空チャンバー内の電極に結合される。一次電極バスをＲＦ接地に結合する負荷コイルが、コンデンサーと協働して、電力バスでの入力インピーダンスを調整することができる。 （もっと読む）