【課題】プラズマ処理室のための選択的に二つの周波数のうちの任意の周波数にRFパワーを提供してプラズマ負荷にマッチングさせるための、二つの周波数入力に適用される単一マッチングネットワークを提供する。
【解決手段】単一マッチングネットワーク８００は、マルチ周波数入力ｆ１及びｆ２に接続される入力端子とプラズマ負荷に接続される出力端子を含み、入力端子と出力端子との間には互いに直列接続される容量値Ｃ０を有するコンデンサーとインダクタンス値Ｌ０を有するインダクタンスを含み、且つコンデンサーとインダクタンスはブランチ電路を構成し、ここで、容量値Ｃ０とインダクタンス値Ｌ０は、周波数ｆ１でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスｙ１及び周波数ｆ２でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスｙ２と特定な関係を満足するように設定される。 （もっと読む）

【課題】表面に付着した不要な膜を除去するブラスト処理を繰り返し行っても、ガス流通孔の開口周縁部の変形が小さく、ガス流通孔の開口面積が確保され、長期間連続して使用することが可能であるとともに、原料ガスの分散効果及び流量増大が図れ、低コスト化が実現可能な高周波電極板及びプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に薄膜を形成する成膜室内に配置され、基板の表面に原料ガスを供給するためのガス流通孔６が設けられている高周波電極のシャワー電極板３において、ガス流通孔のブラスト処理面側に位置する開口周縁部が傾斜面状に形成され、傾斜角度が２０°〜３０°、かつ、傾斜深さを、０．１ｍｍ以上、シャワー電極板の板厚の半分未満とする。 （もっと読む）

【課題】電極内で異常放電を発生させずに、プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】ガスを供給可能なプラズマ処理装置用の電極は、内部に所定の空間Ｕが形成された誘電体の基材１０５ａと、前記所定の空間Ｕを気密に閉塞することにより、前記電極がプラズマ処理装置に装着された際に該空間をプラズマ生成空間から隔絶する蓋体１０７と、基材１０５ａ及び蓋体１０７を貫通して、前記所定の空間を通るガス孔柱であって、ガス孔１０５ｃが前記所定の空間Ｕと隔絶された複数のガス孔柱１０５ｅと、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた基材とガスバリア層との密着性を有し、インラインでの処理が可能な高い生産能率のガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１００上に中間密着層１０１とガスバリア層１０２とを形成したガスバリア性フィルムの製造方法であって、基材が走行する金属ロール電極と、対向電極としてＳ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した接地電極とを備え、両電極間の最短距離を特定範囲としたＲＩＥ処理装置を用い、前記電極間に、酸化用ガスを含む処理ガスと、気化した有機シリコン化合物を導入して、処理空間内の圧力を０．５〜２０Ｐａとして、３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波を、特定値以上となるように印加し、基材表面に厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層面上にガスバリア層を形成する工程とを具備する製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の方式では不十分であった、密着性、ガスバリア性を改善するため、ガスバリア性能と密着性を有した下地層、セラミック層、ガスバリア性能を有した保護層を減圧環境下におけるインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性、ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルム１の片面または両面に、下地層２を形成する工程と、前記下地層２の表面にセラミック層３を形成する工程と、前記セラミック層３の表面に保護層４を形成する工程とを具備し、全工程が減圧環境下におけるインライン成膜で各層を形成することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、原料ガスが供給される真空容器２と、真空容器２内を減圧する真空ポンプ３と、真空容器２内に設置されたカソード電極４と、真空容器２内に設置されカソード電極４に対して基板８を略平行に支持する載置面５Ａを有するアノード電極５と、アノード電極５に設けられた基板加熱機構１０と、カソード電極４とアノード電極５との間にプラズマ９を発生させる高周波電源７とを備える。基板加熱機構１０は、相互に独立して駆動される第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を有し、第１加熱機構１１は載置面５Ａ内の略全面を加熱し、第２加熱機構１２は載置面５Ａ内を部分的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】
複数の凹部または複数の排気孔を設けたカソード電極を備えるプラズマ処理装置において、カソード電極の近傍のみにプラズマを発生させて基板近傍のプラズマ発生を抑制し、膜中への不要物質の混入を防ぐとともに、カソード電極の全ての凹部または全ての排気孔に均一にプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
凹部または排気孔を備えるカソード電極と基板保持機構との間にアノード電極を配置し、該アノード電極は前記カソード電極の凹部または排気孔に対向する位置に貫通孔を備え、前記カソード電極と前記アノード電極との間の距離が可変である、プラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源５Ａ，５Ｂを放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置から送り出す基板搬送装置４４と、高周波電力を供給する高周波電源５Ａ，５Ｂと、リッジ電極２１ａ，２１ｂと基板Ｓとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向(Ｈ方向)の寸法を、長さ方向(Ｌ方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向Ｈに沿わせた。 （もっと読む）