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国際特許分類[C23C18/50]の内容

国際特許分類[C23C18/50]に分類される特許

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本発明では、マイクロエレクトロニクス処理用無電解メッキにおける温度制御手順が開示されている。この手順は、堆積の均一性を改善し、メッキ浴液の寿命を延ばし、また費用効率が高い。浴液は、メッキ室の外の装置内で最低堆積温度未満の温度まで加熱される。浴液は、堆積の発生していないメッキ室へ導入される。メッキ室が満たされた後、浴液は所望の堆積温度まで加熱される。堆積が開始する。堆積後、浴液は元のタンクに戻される。 (もっと読む)


加工物30上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物30上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びpH調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物30を提供するステップと、加工物30上に絶縁材料層34を形成するステップとによって開始される。溝36が絶縁層34に形成され、バリア層40が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層46がバリア層40上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層34は、原子約1×1011個/cm未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第1錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第2錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 (もっと読む)


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