【課題】 十分な選択めっき性が得られるとともに、耐食性に優れる無電解ニッケル／金めっきを施すことが可能な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成された金属導体配線上に第１の無電解ニッケルめっき皮膜を、当該第１無電解ニッケルめっき皮膜全量を基準としたリン含有量が６〜８質量％となるように形成する第１の無電解ニッケルめっき工程と、上記第１のニッケルめっき皮膜上に、上記第１のニッケルめっき皮膜よりもリン含有量が高い第２の無電解ニッケルめっき皮膜を形成する第２の無電解ニッケルめっき工程と、を有することを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【課題】基材表面の凹凸及び膜が、外部物質に対する優れた防付着性、防汚性、撥油性等を発揮する物品を提供する。
【解決手段】ステンレス等の金属あるいはテフロン（登録商標）含有ニッケルめっき等のメッキを表面に施すことが可能な同等の物質からなる基材１の表面に、テフロン（登録商標）含有ニッケルめっきによってセラミック粒子３をできるだけ均一にあるいは所望の分布密度で固着させ、同時にテフロン（登録商標）含有ニッケル被膜３中のテフロン（登録商標）の粒子も固着させる。適度な密度でセラミック粒子２の頂部がテフロン（登録商標）含有ニッケル被膜３の表面上に突出し、適当な凹凸を形成することによって、耐磨耗性、離塑性（潤滑性）、通電性を同時に得られる。その結果、優れた防付着性、防汚性、撥油性等を発揮し得るものとなる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）

【課題】高温に曝される状況下であっても、下地めっき層に含まれる成分（たとえばニッケル）が、表面めっき層に拡散するのを効果的に抑制し、表面めっき層と導電性接続材との接続安定性および信頼性を向上させ、またリペア性を向上させる
【解決手段】絶縁部材３０に形成された配線層３１，３２の所定部分に、下地めっき層３５，３６および表面めっき層３７，３８が積層形成された配線付き絶縁部材３において、下地めっき層３５，３６における表面めっき層３７，３８と接する表層部の全体３５Ｂ，３６Ｂを、ニッケルと、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも一方とを含んだ固溶体を有するものとした。 （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 接続端子部分の銅回路上にニッケルめっき皮膜／置換型無電解金めっき皮膜／還元型無電解金めっき皮膜を形成した配線基板を用いて半導体チップとを半田接合した場合、その接合強度は、半田ボールを基板に搭載するときのリフロー等の加熱工程を繰り返すごとに大きく低下する。本発明はこうした問題点のない配線基板の製造方法とこれに用いる無電解ニッケルめっき液の提供を課題とする。
【解決手段】 接続端子部にニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜を設けて半田接合用の配線基板を製造する方法において、マンガンのカルボン酸塩を添加した無電解ニッケルめっき液、好ましくは液中のマンガン濃度が液中のニッケル濃度の１〜１０％である無電解ニッケル液を用いてニッケルめっき皮膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】初期摺動特性等の諸特性が改善された無電解ニッケルめっき膜を提供すること。
【解決手段】表面にリン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬して無電解ニッケルめっき膜を形成し、次いで、前記無電解ニッケルめっき膜をリン酸塩溶液と接触させることにより前記無電解ニッケルめっき膜上にリン酸塩被膜を形成する。表面にリン酸塩被膜を有することを特徴とするニッケル合金めっき膜。 （もっと読む）

【課題】パターンの直線性を改善し且つ不めっきの発生を防止することにより、めっきの外観不良を改善するとともに、めっきの密着性を確保することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の少なくとも一方の面にＡｌまたはＡｌ合金からなる金属板１２を接合して回路パターンを形成した後、 金属板１２の表面の所定の部分に無電解Ｎｉ合金めっき１８を施す、金属−セラミックス接合基板の製造方法において、金属板の表面全体にめっきを施した後に、めっきが必要な部分にレジスト２０を塗布し、酸性エッチング液によりレジスト２０が付着していない部分のめっきを除去する。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）