本発明は、金属物品に適用するための、溶解されたＺを含むＮｄ_ｘＺｒ_１−ｘＯ_ｙの式を有するセラミックコーティングによる遮熱セラミックコーティングを提供し、ここで０＜ｘ＜０．５及び１．７５＜ｙ＜２であり、そしてここにおいて、Ｚは、Ｙ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｈｆ及びこれらの混合物からなる群から選択される金属の酸化物である。一つの態様において、Ｎｄが７モル％の濃度まで加えられる。もう一つの態様において、Ｚは、イットリウムであり、そして少なくとも６重量％の濃度で加えられる。 （もっと読む）

半導体処理に用いるための清浄な基板を製造する方法であって、基板を粗面化処理してミクロ割れを発生させ、次いで、高濃度強酸で処理し、その後、少なくとも1種の金属酸化物を含有する物質で被覆する方法。
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接触面および上側と下側の側面を少なくとも含み、この接触面は、いわゆる高速酸素燃料溶射法（ＨＶＯＦ）にしたがって形成された被覆層を有し、この被覆層の表面粗さがＲｋ＜０．１０μｍである、ピストンリング。
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本発明は、スパッタリングにおいてスパッタターゲットの熱応力を緩和する方法に関する。本方法は、ターゲットホルダを用意する工程と、このターゲットホルダ上にインジウムスズ酸化物を含むターゲット材料を吹き付けによって付着させる工程と、ターゲットホルダ上のターゲット材料を付着させている間に、ターゲット材料に気孔を導入する工程とを含む。これら気孔により、吹き付けられたターゲット材料は少なくとも２％の気孔率を有するようになり、熱応力が緩和する。また、本発明は、緩和された熱応力を有するスパッタターゲットに関するとともに、インジウムスズ酸化物で基材表面を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

原料ガスを扱うガス製造設備、並びに、ガス供給容器に起因する原料ガスの汚染を防止する。 反応性の高い原料ガス、特に、フッ素化炭化水素によるガス製造設備及び供給容器における接ガス表面の表面粗さを中心平均粗さＲａで１μｍ以下にする。表面粗さを制御された接ガス表面には、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム等の酸化性不働態膜が形成されることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、ガスシールドを使用して、延長されたスタンドオフで、セラミック材料等の高融点材料を溶射して、ガスシールドなしで短いスタンドオフを使用した場合と同じ性質を有する微細構造を生成する独特な方法を提供する。それは、複雑な形状を持つ構成部品のコーティングを促進するために、延長されたスタンドオフにおいてセラミックコーティングの微細構造を制御するのに特に有用である。 （もっと読む）

基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
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本発明は、溶射装置の流出液を取り囲んでおり、溶射装置とコートされる表面との間の作動距離又はスタンドオフを効果的に拡張する独特のガスシールド又はシュラウドを提供する。本発明は、セラミック材料及び反応性材料を含む材料を長いスタンドオフで溶射する方法及び加熱したガスシールドを用いて溶着させる流出液の温度を制御する方法を提供する。 （もっと読む）