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国際特許分類[C23F1/20]の内容

国際特許分類[C23F1/20]に分類される特許

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【課題】複数の深さの異なる凹部が高い寸法精度で形成された凹部付き基板を製造する凹部付き基板の製造方法、および、かかる製造方法により製造された凹部付き基板を提供すること。
【解決手段】凹部付き基板10は、基板1の上面に、開口部31と他の部分より厚さが薄い薄肉部32とを有するマスク3を形成し、次いでマスク3の開口部31から露出する基板1を、ドライエッチング法により除去して、第1の凹部11を形成し、この際、基板1の一方の面側に形成された被膜5に対して紫外線を照射することにより、被膜5を分解した後、ウェットエッチング法により、マスク3を、その厚さ方向にほぼ均一に除去して、薄肉部32直下の基板1を露出させ、残存するマスク3から露出する基板1をドライエッチング法により除去して、第1の凹部11の深さを深くするとともに第2の凹部12を形成することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウム箔に無電解によってもエッチングピットを良好に形成することができるエッチング方法を得る。
【解決手段】 質量比で、Mn、Zn、Ni、Sn、Ag、Pt、Auの中から選択される1種又は2種以上を20〜200ppm含有し、残部がAlと不可避不純物からなるアルミニウム合金箔に、塩素イオン濃度が1000ppm未満の溶液を接触させて、通電することなく、該アルミニウム合金箔表面の酸化皮膜を含む表層部を20〜200Å除去する表層部除去を行い、その後、エッチングピット発生工程を行ない、さらに、その後、エッチングピット孔径拡大工程を行う。無電解によってもエッチングピットを均一かつ高密度に生成させることができ、低コストでの処理が可能になる。 (もっと読む)


【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を30〜90度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物の提供。
【解決手段】 ふっ素化合物の濃度(ただし、ふっ化水素酸を除く)が0.01〜5質量%、特定の酸化剤の濃度が0.1〜50質量%であるエッチング液組成物。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース/ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 (もっと読む)


【課題】 冷間圧延終了後最終焼鈍前に酸化性雰囲気中での加熱を実施する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造において、PbおよびCuの含有量が検討されていないため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法及びアルミニウム電解コンデンサを提供する。
【解決手段】 熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍、仕上げ冷間圧延、最終焼鈍を順次実施する、電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造において、アルミニウム材のPbの含有量を0.3質量ppm以上2.5質量ppm以下とし、中間焼鈍を酸化性雰囲気中で実施し、冷間圧延終了後最終焼鈍前のアルミニウム材を酸化性雰囲気中で加熱する。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム、モリブデン、インジウムスズ酸化物等から構成される各マスク工程における各金属層をエッチングし得るエッチング組成物を提供する。また、工程が簡単で製造費用が低廉であり、且つ生産性を向上させ得る液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】40〜70重量%の燐酸、3〜15重量%の硝酸、5〜35重量%の酢酸、0.05〜5重量%の塩素化合物、0.01〜5重量%の塩素安定剤、0.01〜5重量%のpH安定剤及び残量の水を含むエッチング組成物とする。また、上記エッチング組成物を用いて各金属層をエッチングする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低研磨圧力条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる研磨組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 シリコンを含有するアルミニウム系合金からなるハードディスクドライブ用のアクチュエータアームの表面に、成形加工によって生じるバリ、微細なキズや凹凸等がなく、かつシリコンの酸化物を含む第2相粒子の脱落がない、表面の清浄度が高められたアクチュエータアーム並びにこのアクチュエータアームを得るための表面処理方法を提供することにある。
【解決手段】 シリコンを含有するアルミニウム系合金からなるハードディスクドライブ用のアクチュエータアームの表面を、80〜110℃に調整したリン酸および硝酸を含む混合水溶液で化学研磨処理した後、フッ化物イオンを含む酸性水溶液中に5〜300sec浸漬処理するアクチュエータアームの表面処理方法とすることによって、解決される。 (もっと読む)


【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のTFTを構成するゲート配線材料であるAl−Nd/Mo二重膜またはMo/Al−Nd/Mo三重膜を、単一工程で、下部膜であるAl−NdまたはMoのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース/ドレイン配線材料であるMo単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 (もっと読む)


【課題】チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを溶液に浸漬させて、短時間に腐食量が少なく、あらゆる複雑な形状のチタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを表面粗さ2〜20μmに、歪みなく、粗面化する処理方法を提供することにある。
【解決手段】 チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを、弗化水素の濃度0.5〜60重量%の弗酸に増粘剤を加え、粘度1000〜1560000mPa・sにした溶液(液温が0〜60℃)中に浸漬することによって、チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレス表面を粗面化する処理方法を提供する。 (もっと読む)


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