【課題】結晶シリコンインゴットの製造方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る製造方法は、方向性凝固法を用いてシリコン原料を溶融及び冷却するために形成された鋳型を供給し、鋳型内部にバリア層を配置し、バリア層の上に１つ以上のシリコン種結晶を配置し、シリコン種結晶の上にシリコン原料を入れ、鋳型を加熱してシリコン融液を得て、鋳型を方向性凝固法で冷却することでシリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを得ることを含む。鋳型は、シリコン原料が完全に溶融し且つシリコン種結晶が少なくとも部分的に溶融するまで加熱される。 （もっと読む）

本発明は、サファイア単結晶成長方法とその装置に関し、より詳細には矩形の長い坩堝を使って、ｃ−軸方向に長い種晶を使うに当たり、短い時間内に高品質の長い単結晶を獲得できるサファイア単結晶成長方法とその装置に関する。本発明に係るサファイア単結晶成長方法及びその装置を利用すると、矩形の坩堝を利用しても坩堝内部の水平方向の温度を均一に維持できて、高品質の単結晶を獲得できるだけでなく、単結晶成長において失敗率を低くする効果がある。
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【課題】エピタキシャル結晶構造を伝播させる修復方法を提供する。
【解決手段】この修復方法は、概して、修復する基体を供給するステップと、予成形された形状で、該修復する基体の領域上に添加材料を配置するステップと、添加材料の全体積とその添加材料に隣接する領域とを溶融温度まで加熱するために熱源を使用するステップと、結晶粒の成長と配向が生じるのに十分な時間、溶融温度を維持するステップと、熱源を凝固が完了するまで所定の制御された速度でランピングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶化過程、特に結晶成長過程を経時的にモニターする方法、当該モニター方法を利用することを特徴とする結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の化合物の結晶化過程のモニター方法は、近赤外（ＮＩＲ）スペクトルを用いて行うものであり、具体的には、化合物を融点以上に加熱して溶融状態とした後から一定の温度で保存して結晶化に至るまでの間、化合物の分子構造を構成する官能基の吸光度がどのように変化するかを、近赤外分光計を用いて追跡することにより行われ、該モニター方法により得られる知見を用いて、粒度または結晶形が制御された結晶を製造することにより行われる。 （もっと読む）

化学式ｓ[L]−ｘ[P]ｙ[M]ｚ[N]ｐ[T]の組成を有する強誘電体セラミック化合物およびその製造方法並びに強誘電体単結晶およびその製造方法を提供する。本発明による強誘電体セラミック及びその単結晶は、圧電性が大きく、電気機械結合係数が高く、かつ、電気光学係数の大きい緩和型強誘電体であり、無線通信用可変素子、光通信用素子、弾性表面波素子やＦＢＡＲ素子、超音波探触子デバイス、微細変位制御用アクチュエータ、不揮発性メモリ素子、小型蓄電池などの製造に有用であり、特に、本発明による単結晶製造方法は、直径５ｃｍ以上の単結晶とその組成が非常に均一なウエハの製造を可能にし、商用化及び大量生産が図られる。
上記の化学式中、[Ｐ]は酸化鉛、[Ｍ]は酸化マグネシウムまたは酸化亜鉛、[Ｎ]は酸化ニオビウム、[Ｔ]は酸化チタンであり、[Ｌ]は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム、リチウム、リチウム酸化物、白金、インジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、ストロンチウム、スカンジウム、ルテニウム、銅、イットリウム、イッテルビウムからなる群から選ばれた単一物質またはその混合物であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｐ及びｓはそれぞれ、０．５５＜ｘ＜０．６０、０．０９＜ｙ＜０．２０、０．０９＜ｚ＜０．２０、０．０１＜ｐ＜０．２７、０．０１＜ｓ＜０．１を満足する範囲である。
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