【課題】坩堝の損傷や破損を防止すると共に育成されるシリコン単結晶インゴットの単結晶化率や品質の低下を抑制しつつ、大きな塊の多結晶シリコンをリチャージすることができる多結晶シリコン原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン塊のリチャージにおいて、最初にスモールサイズ多結晶シリコン塊又はミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２である緩衝層形成多結晶シリコン塊Ｓｂが投入され、緩衝層形成多結晶シリコン塊Ｓｂが坩堝２０内のシリコン融液４０の表面４１に積層されて緩衝層５０を形成する。次いでこの緩衝層５０上に大きな大きさのラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３が投入されるので、緩衝層５０が落下するラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３の衝撃を緩衝する。 （もっと読む）

【課題】耐熱強度が高く長時間の引き上げに使用することができ、さらに低コストで製造可能なルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合ルツボ１０は、石英ガラスルツボ本体１１と、ルツボの上端部に設けられた補強層１４を備え、補強層１４は、アルミナとシリカを主成分とするムライト質な材料で構成されている。石英ガラスルツボ本体１１は、ルツボの外表面側に形成された不透明石英ガラス層１２と、ルツボの内表面側に形成された透明石英ガラス層１３とを備えており、不透明石英ガラス層１２と補強層１４はルツボの外層を構成しており、透明石英ガラス層１３はルツボの内層を構成している。 （もっと読む）

【課題】アニール後の残留ボイド、およびアニールウエハに形成した酸化膜のＴＤＤＢ特性劣化を回避し、シリコン単結晶に含有可能な窒素濃度範囲を拡張することが可能となるアニールウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】アニールウエハの製造方法では、結晶引上速度Ｖと結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇとの比であるＶ／Ｇについて、Ｖ／Ｇが０．９×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以上２．５×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以下となるように制御するとともに、結晶引上炉内の水素分圧を３Ｐａ以上４０Ｐａ未満とする。シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボ製造時の熔融状態を制御して、シリコン単結晶製造時のルツボ内表面のブラウンリング発生を防止し、湯面振動を抑制するシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボ製造方法は、原料シリカ粉をルツボ成形用のモールド内に供給してシリカ粉層を形成し、そのシリカ粉層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する方法であって、原料シリカ粉を前記モールド内部に供給してシリカ粉シリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉シリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、前記アーク熔融工程では、前記シリカ粉層の温度を測定し、上記アーク熔融工程の初期に現れる最初の温度の極大点Ｔｐを基準温度とし、上記基準温度に基づいてシリカガラス熔融状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】製造工程でのルツボの取り違えを防止することができるシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスルツボの外形を規定するモールドの内面にシリカ粉を堆積させてシリカ粉層を形成するシリカ粉層形成工程と、前記モールド内で前記シリカ粉層をアーク加熱により溶融させると共に前記シリカガラス層と前記モールドの間に未溶融シリカ粉層が残留するようにアーク加熱を終了するアーク加熱工程と、取り出した前記シリカガラスルツボの外面にある未溶融シリカ粉層を除去するホーニング工程とを備え、前記ホーニング工程の前に、１又は複数の溝線で構成された識別子を前記シリカガラスルツボの外面にマーキングするマーキング工程をさらに備える。前記溝線は、前記ホーニング工程後の深さが０．２〜０．５ｍｍであり、前記溝線の開口部での幅が０．８ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの形成を大幅に抑制し、実質的に防止することができるシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法の多結晶シリコンの充填工程において、供給される多結晶シリコン塊Ｓとしてスモールサイズ多結晶シリコンＳ１は用いられておらず、ミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２とラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３のみが用いられている。また、多結晶シリコンの充填工程において、多結晶シリコン塊Ｓを無作為に坩堝１内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶融中のシリカガラスルツボ外層から内層へ拡散される汚染を効果的に抑制しつつ、高強度かつ高純度のシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明に係るシリカガラスルツボは、ＯＨ基が０．１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下のシリカからなる内層と、前記内層の外側に形成されＯＨ基が２００ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下のシリカからなる中間層と、前記中間層の外側に形成されシリカガラスまたは無機材料からなる外層と、から構成されている。より好ましくは、中間層が、酸素欠乏型欠陥の濃度が１×１０^１４atoms/cm^３以上１×１０^１８atoms/cm^３以下である。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、ポリシラザンコーティングによる厚さ０．０２〜０．２ｍｍのシリカガラス膜からなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、塩素又はフッ素濃度が５０〜１００００ｐｐｍ、厚さ０．０５〜０．２ｍｍの透明シリカガラスからなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）