【課題】表層にＲＩＥ欠陥がなく、かつライフタイムが十分長いシリコン基板の製造方法及びシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の温度で１〜６０秒保持して急速熱処理を施した後、６００〜８００℃の範囲の温度まで降温速度５〜１５０℃／ｓｅｃで一段目の降温工程を行い、その後、冷却時間Ｘ秒と降温速度Ｙ℃／ｓｅｃが、Ｘ＜１００の場合はＹ≦０．１５Ｘ−４．５を、Ｘ≧１００の場合はＹ≦１０を満たすように二段目の降温工程を行うシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、単結晶内に不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、容易にかつ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法によりルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、ルツボ内でシリコン原料を溶融して原料融液とするとともに、ルツボ内に加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、原料融液から炭素ドープさせたシリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程とを含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】粒状多結晶シリコンの製造において、粉塵成分を減少させて、粒状多結晶シリコン中において許容し得る最大の粉塵成分を特定する、改善されたシステムの提供。
【解決手段】粒状多結晶シリコンＧＰから粉塵成分Ｄを引き離すための減圧ソースＶ、対向する第１の端部および第２の端部、粒状多結晶シリコンＧＰを通過させるための前記第１の端部における多結晶シリコン通路、および前記減圧ソースＶに連絡する減圧ポート５９を有してなるプロセス容器Ｐ、ならびに前記プロセス容器Ｐからの粒状多結晶シリコンＧＰを受け入れるためのコンテナ９１を有し、前記プロセス容器Ｐから粒状多結晶シリコンＧＰを注ぐために前記プロセス容器Ｐを直立した状態から回転させる際に、粒状多結晶シリコンＧＰが前記減圧ポート５９を塞ぐことがないように、前記減圧ポート５９は前記プロセス容器Ｐにおける第２の端部に隣接して配置されているシステム。 （もっと読む）

【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するＣＺ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が２以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成された熱分解炭素被膜４とから構成されている。被膜４は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔の内面まで生成されている。この被膜４はＣＶＩ法によって形成されたものである。被膜４形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成されたフェノール樹脂の炭素化物からなる被膜４とから構成されている。フェノール樹脂は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔５の内部まで含浸されている。被膜４の形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル欠陥がテイル部付近の直胴部で発生することを防止できる窒素ドープエピウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度Ｖ［ｍｍ／ｍｉｎ］と、融点〜１３５０℃までの結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ［℃／ｍｍ］との比をＶ／Ｇ［ｍｍ^２／℃ｍｉｎ］≧０．２５に設定し、かつ、８００〜７５０℃の温度領域の冷却速度Ｃｖ≧１．７℃／ｍｉｎとする。 （もっと読む）

【課題】大口径に対応可能なＣＺ法で製造したＶ領域のウェーハを用いて、バルク中の欠陥を無欠陥とし、さらに中性子照射を行わなくても、中性子照射を行った場合と同程度の面内抵抗率分布とすることにより、ＩＧＢＴ向けに適用可能な低コストのシリコン単結晶ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたＶ領域のシリコン単結晶インゴットから得られた酸素濃度７ｐｐｍａ未満、窒素濃度１×１０^１３〜１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のシリコン単結晶ウェーハに対して、非窒化性雰囲気下、１１５０〜１３００℃で、１〜１２０分の熱処理を行うことにより、バルク中の１５ｎｍ以上の結晶欠陥の密度が２×１０６／ｃｍ３以下となる。 （もっと読む）

【課題】融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液４を収容するルツボ２、前記原料融液４を加熱するヒーター３、冷却媒体によって強制冷却される冷却筒１６及びこれらを収容する冷却チャンバー１２ａを有する単結晶製造装置１であって、前記原料融液４と引上げ中の単結晶５との界面近傍において、前記引上げ中の単結晶５を囲繞するように、断熱材を有する遮熱部材１５が配置され、該遮熱部材１５の上方に、前記引上げ中の単結晶５を囲繞するように前記冷却筒１６が配置され、該冷却筒１６を囲繞するように、前記冷却筒外周との間に空隙を設けて冷却筒外周断熱材１４が配置された単結晶製造装置。 （もっと読む）