【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程（1）、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程（2）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（3）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（4）を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみｃ軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザを照射することによって形成されるリッジに伴う太陽電池の性能の低下を軽減させるレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面にドーパントを接触させる接触工程と、半導体基板の表面の第１照射領域にレーザ光を照射する第１照射工程と、第１照射領域に形成されたリッジを含んだ第２照射領域を定め、当該第２照射領域にレーザ光を照射する第２照射工程とを有する、レーザ光を照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板２０は、第１領域２０ｊと、第１領域２０ｊに比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域２０ｉとを含み、第２領域２０ｉは、一方の主面２０ｍから所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、深さＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差が、深さＤ＋ΔＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差の３倍であり、第２領域２０ｉのＧａ／Ｎ組成比が、第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上であるので、外部から加えられるエネルギーにより、第２領域２０ｉで容易に分離される。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＣＺ法で引き上げ育成したシリコン単結晶へのリン不純物ドープのためのＮＴＤに要する時間を短縮しその低コスト化を容易にする。
【解決手段】 シリコン単結晶インゴットの引き上げ育成において、ステップＳ１で石英ルツボに多結晶シリコンとＮ型不純物を供給し、これ等をステップＳ２で融解し適度なＮ型不純物の添加量を有するシリコン融液を形成する。そして、ステップＳ３でＭＣＺ法によるインゴット引上げを行い、ステップＳ４において上記インゴットの加工を行い中性子線照射に適するシリコン単結晶の形状にする。そして、ステップＳ５で目標の抵抗率となるようにシリコン単結晶に中性子線照射を施し、ステップＳ６においてシリコン単結晶の熱処理を行い照射欠陥を除去する。その後は、公知のスライス・ラップ加工等でウェーハに加工する。 （もっと読む）

【課題】窒素が添加された高抵抗のシリコン単結晶インゴットを原料として用いた場合においても、本来必要とされる中性子照射量を正確に把握し、目標抵抗率を正確に得るための中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら平均抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程と、該中性子照射によって受けた損傷を回復する熱処理を行う工程とを有する中性子照射シリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程の前に、シリコン単結晶にドナー消去熱処理を行い、該ドナー消去熱処理を行ったシリコン単結晶の抵抗率から中性子照射量を算出して中性子照射を行う。 （もっと読む）

本発明は、ｎ−型ダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明の方法は、ｎ−ドーピングステップを含み、その間において、アクセプタとドナー種との間に形成された錯体の解離温度以下、またはその温度と等しい温度で、ドナー種を含んだドナー基を形成するために、ドナー種が、最初にアクセプタ（１２）でドーピングされたダイヤモンド中で真空拡散される。
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