【課題】高精度化および動作速度の高速化を図ることが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ部１とチョッパアンプ３の一方の入力端子との間を接続する第１状態とチョッパアンプ３の一方の入力端子と他方の入力端子との間を短絡する第２状態とを切り替える第１の切替部２を備えている。制御回路（制御手段）９は、２つの積分器６，６の一方の積分器６の第２積分期間Ｔ２と他方の積分器６の第１積分期間Ｔ１とが重なるように第３の切替部５，５を制御する。ディジタル回路１２は、制御回路９からの読み出しタイミング信号が入力される度に、ディジタル値を出力するように構成されている。ディジタル回路１２は、第１状態のときに第１積分期間Ｔ１が設定された積分器６の第２積分期間Ｔ２に対応したカウント値と第２状態のときに第１積分期間Ｔ１が設定された積分器６の第２積分期間Ｔ２に対応したカウント値との差分値をディジタル値として出力する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によって偏波間のパワー偏差を測定すること。
【解決手段】変調部は、複数の光にそれぞれ異なる周波数の各信号を重畳する。偏波合成部は、変調部によって各信号を重畳された各光を偏波多重する。受信部は、偏波合成部によって偏波多重されて送信された偏波多重光の伝送路上に設けられた測定装置で測定された各信号の強度に基づく所定情報を受信する。制御部は、受信部によって受信された所定情報に基づいて偏波多重光の偏波間の強度偏差を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、電磁波強度分布の測定を高精度に行う電磁波強度分布測定装置を提供する。
【解決手段】一定の立体角を有する筒状のセンサ保持部材２１の一端に紫外線センサ２２を固定し、他端側を、半円球状のセンサ取付け部材１０に形成した貫通孔１１を貫通して、センサ取付け部材１０の表面側に突出させ、センサ取付け部材１０を挟んで両側から六角ナット２３で締めつけて固定する。同様にして同一の立体角を有するセンサ保持部材２１に固定された全ての紫外線センサ２２をセンサ取付け部材１０に取り付ける。そして、各紫外線センサ２２のセンサ信号をデータ処理装置６０で取り込み、これを現在時刻と対応付けて記憶装置６５に格納する。 （もっと読む）

【課題】紫外線用の照度計において、紫外線が入射する受光口を紫外線が照射領域内に配置できているのかどうか、また受光口をどの方向に移動させれば、受光口全体を紫外線の照射領域内に配置できるのかを、容易に確認できるようにすること。
【解決手段】紫外線が入射する受光口と、この受光口から入射した紫外線を受光し受光した光の強度に応じた電気信号を送信する受光素子を備える受光部と、受光部からの信号に基づき紫外線の照度値を計算する演算部を備える本体部とを有する紫外線用の照度計において、受光部の受光口の周囲に紫外線を可視光に変換する蛍光材を設ける。 （もっと読む）

【課題】信号処理回路に対して斜めに入射することで遮光層により遮られない光によって、信号処理回路の動作が不安定にならないようにし、且つ遮光層に照射される光によって生じる浮遊電荷の影響で信号処理回路の動作が不安定にならないようにする。
【解決手段】受光素子３６と受光素子３６から出力される信号を処理する信号処理回路３８とがＳＯＩ基板上に形成された光入射部１２において、信号処理回路３８上の配線層のうち最上層を、太陽光を遮光する遮光層４２とし、遮光層４２と電気的に接続される複数のコンタクトプラグ５２が遮光層の端部に沿ってＳＯＩ基板の厚さ方向に積層される。複数のコンタクトプラグ５２は、グランドもしくは遮光層に生じる浮遊電荷を引き抜くのに十分な電位とされている。 （もっと読む）

【課題】光の入射方向の検出精度が向上された光センサ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に受光素子が複数形成され、半導体基板における受光素子の形成面上に透光膜が形成され、透光膜に遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子の受光面に入射する光の角度を規定する開口部が形成された光センサと、受光素子の出力信号に基づいて光の仰角と左右角を算出する角度算出部と、を有する光センサ装置であって、対応する開口部によって規定される光の左右角が互いに同一であり、仰角が互いに異なる複数の受光素子によって、受光素子群が複数構成され、複数の受光素子群それぞれの左右角が異なっており、角度算出部は、各受光素子の出力信号の強度を比べることで、最も強い出力信号を出力している受光素子を特定し、特定された受光素子の受光面に入射する光の角度を特定する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の波長を有した露光光を容易に評価する露光量評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、フォトマスクが、露光光のうちＥＵＶ光よりも長い波長を有した長波長光を反射し且つ前記ＥＵＶ光を吸収する長波長光反射膜を有している。また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。そして、フォトマスクと、レジストが塗布された露光対象の基板と、をＥＵＶ露光装置内にセットする。前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。そして、前記基板に照射された露光光の露光量に基づいて、前記基板に照射された長波長光の光量分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】
微小な欠陥を検出すること、検出した欠陥の寸法を高精度に計測することなどが求められる。
【解決手段】
光源から出射した光を、調整する照明光調整工程と、前記照明光調整工程により得られる光束を所望の照明強度分布に形成する照明強度分布制御工程と、前記照明強度分布の長手方向に対して実質的に垂直な方向に試料を変位させる試料走査工程と、照明光が照射される領域内の複数の小領域各々から出射される散乱光の光子数を計数して対応する複数の散乱光検出信号を出力する散乱光検出工程と、複数の散乱光検出信号を処理して欠陥の存在を判定する欠陥判定工程と、欠陥と判定される箇所各々について欠陥の寸法を判定する欠陥寸法判定工程と、前記欠陥と判定される箇所各々について、前記試料表面上における位置および前記欠陥の寸法を表示する表示工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】検出器の両端に必要とされるバイアスを増大させずに単一光子による信号の存在を強調するため、従来より高い周波数で動作させることができる光子検出システム。
【解決手段】単一光子を検出するように構成された光子検出器５１と、光子検出器の出力信号を、第１の部分が第２の部分と実質的に同一である第１の部分と第２の部分とに分配する信号分配器５５と、第２の部分を第１の部分に対して遅延させる遅延手段５６と、信号の第１の部分と遅延させた第２の部分とを、遅延させた第２の部分が出力信号の第１の部分における周期的変動を打ち消すために使用されるように合成する合成器６１とを備える光子検出システム。 （もっと読む）

【解決手段】光子検出器 光子検出システムはアバランシェフォトダイオードを具備し、アバランシェフォトダイオードは、第１導電型を有する第１半導体層と第２導電型を有する第２半導体層とから形成されたｐｎ接合を具備し、第１導電型はｎ型またはｐ型から選択され、第２導電型は第１導電型とは異なりかつｎ型またはｐ型から選択され、第１半導体層は第１導電型のドーパントでドープされるドープ層であり、低い場の複数ゾーンに囲まれた高い場の複数ゾーンの複数のアイランドを第１層が具備するように、第１導電型のドーパントの濃度に変化があり、高いおよび低い場の複数ゾーンは、ｐｎ接合の平面で横方向に分布していて、ドーパント濃度は、高い場の複数ゾーンでは低い場の複数ゾーンよりも高く、前記システムは、さらにバイアス部を具備し、前記バイアス部は、時間に関して静的である電圧、および時間変動する電圧を印加する。 （もっと読む）