【課題】３層チップスケールＭＥＭＳデバイスのためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのためのシステムおよび方法が提供される。一実施形態では、システムは、第１の外側層と、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む第１のデバイス層とを備え、第１のデバイス層は第１の外側層に接合される。システムは、第２の外側層と、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む第２のデバイス層とをさらに備え、第２のデバイス層は第２の外側層に接合される。さらに、システムは、第１の側と、第１の側と反対側の第２の側とを有する中央層を備え、第１の側は第１のデバイス層に接合され、第２の側は第２のデバイス層に接合される。 （もっと読む）

【課題】複数の物理量を検出できる複合センサにおいて、それぞれのセンサ間で共有できる要素を増やすことにより、性能を維持しながらも小型化や低コスト化を実現することができる複合センサを提供する。
【解決手段】角速度検知部に使用されている錘Ｍ２と検出電極ＤＴＥ２を、Ｚ方向の加速度を検出するＺ方向加速度検知部の参照容量素子としても使用する。すなわち、Ｚ方向加速度検知部は、検出電極ＤＴＥ５と錘Ｍ４からなる検出容量素子に対する参照容量素子として、角速度検知部を構成する錘Ｍ２と検出電極ＤＴＥ２からなる検出容量素子を使用している。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】より簡素な構成で寄生容量のオフセット量を低減させることのできる加速度センサを得る。
【解決手段】検出電極８ａ、８ｂと一方の可動電極４との間、および検出電極９ａ、９ｂと他方の可動電極５との間にそれぞれ形成された隙間部分に、これら検出電極８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂと可動電極４、５とを画成するフレーム壁３０をフレーム３から一体に延設した。そして、このフレーム壁３０によって寄生容量のバランスをとるようにした。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の下面に形成された凹部１１ｂ，１１ｄ，１２を塞いだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出精度をより向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】可動電極４の中央部に、一対のビーム６ａ、６ｂを結ぶ境界線Ｂに対して対称に窪み５０を設けることで、可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂとの相対的なアライメントがｍだけずれた場合であっても、それら可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂとの対向面積が変化するのを抑制できるようにした。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の上面のエアダンピング効果が高い領域４ａ，４ｂに掘り込みを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３次元の検出が可能で、高温環境でも使用できる加速度計を提供する。
【解決手段】プルーフマスを支持するばね取付け要素３０は、径方向の内周および径方向の外周をもつ内側リング１１１０と、径方向の内周および径方向の外周を有する外側リング１１３０とを有する。複数の支持要素１１２０は、内側リング１１１０の径方向の外周と外側リング１１３０の径方向の内周に対称に配置されて取り付けられる。複数の支持要素１１２０により、内側リング１１１０は３次元で動くことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＥＭＳ素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、ＭＥＭＳ素子に及ぼされる基板とＩＣとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳ素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）