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国際特許分類[G01R33/3875]の内容

国際特許分類[G01R33/3875]に分類される特許

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【課題】効率よく磁場の補正ができる核磁気共鳴装置および磁場補正方法を提供する。
【解決手段】核磁気共鳴装置100は、マジックアングル傾いた軸まわりで、試料Sを回転させる核磁気共鳴装置であって、補正磁場を発生させる補正磁場発生部20と、補正磁場発生部20を制御する制御部30と、を含み、演算部34は、補正磁場の1次の磁場成分として、BZ(1)、B1(1)、およびB1(1)のうちの少なくとも1つ、または、少なくとも2つの線形和を用い、補正磁場の2次の磁場成分として、B2(2)、B2(2)、B2(1)、およびB2(1)のうちの少なくとも1つ、または、少なくとも2つの線形和を用い、補正磁場の3次の磁場成分として、BZ3、B3(1)、B3(1)、B3(2)、B3(2)、B3(3)、およびB3(3)のうちの少なくとも1つ、または、少なくとも2つの線形和を用いる。 (もっと読む)


【課題】被検体を移動しながら撮像を行う場合に、静磁場の不均一性を補正しつつ撮像時間を短縮する。
【解決手段】実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置において、測定部は、撮像前に、被検体が置かれた天板を撮像空間内における複数の位置のうち少なくとも1つの位置に移動して、シムコイル部に供給されるシムコイル電流値を調整することで、静磁場が均一化された時点でのシムコイル電流値を測定する。算出部は、測定部によって測定されたシムコイル電流値と被検体情報又は撮像条件とに基づいて、複数の位置のうち測定部によってシムコイル電流値が測定されなかった位置のシムコイル電流値である未測定シムコイル電流値を算出する。 (もっと読む)


【課題】必要な磁場強度を確保しつつ薄型で、シムコイルを簡便に位置精度の高く傾斜磁場発生装置へ積層することが可能で、段落し部での誤差磁場を低減できるシムコイルを提供する。
【解決手段】静磁場発生源と傾斜磁場印加部とから発生する磁場空間に被検体を配置し、照射パルスが印加された該被検体から放出されるMRI信号に基づいて、該被検体の対象部位の画像を生成する磁気共鳴イメージング装置の鞍型シムコイルにおいて、単一のシート上に複数のコイルパターンとそれらを接続する配線が形成され、該配線の接続部において誤差磁場を低減する配線構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】磁場分布検知器の出し入れを不要とし、且つ、迅速な磁場分布測定を可能とする。
【解決手段】磁場補正装置は、サンプル空間11sの磁場分布を検知する磁場分布検知器2と、サンプル空間11sにおける磁場分布を補正するための磁場補正コイル3と、磁場補正コイル3に電流を印加する電流印加装置と、磁場分布検知器2における検知結果に基づいて電流印加装置を制御する、制御装置(印加電流制御手段)と、を備える。磁場分布検知器2は、サンプル空間11sに位置する複数のNMR信号センサー21を有している。複数のNMR信号センサー21は、静磁場Bの方向を軸方向とする円柱状空間内に分布するように設置されている。 (もっと読む)


【課題】 グローバルシミングでは静磁場不均一の補正が困難な領域においても、良好な静磁場不均一補正を行うことが可能なMRI装置及びシミング方法を提供する。
【解決手段】 補正対象領域を複数の分割領域に分割し、シムコイルに補正磁場を発生させるためのシム補正値を分割領域毎に算出し、分割領域毎のシム補正値を用いて、補正対象領域の静磁場不均一分布を補正する。 (もっと読む)


【課題】シミングの計算結果で2次成分のシミング補正値が供給可能な最大電流値を超える場合にも、2次成分を補正するシムコイルを活かして静磁場の均一性を向上させる。
【解決手段】本発明のMRI装置では、演算部は、撮像領域の磁場強度分布を均一化するための補正磁場の磁場強度分布を以下のようにして決定する。即ち、演算部は、補正磁場における少なくとも1成分の磁場強度を制限する可変パラメータを設定し、MRI装置の補正磁場発生部が発生できる最大磁場強度および計測磁場強度分布に応じて可変パラメータの値を変えることで、最大磁場強度を超えないように補正磁場の磁場強度分布を決定する。 (もっと読む)


磁場をシミングするための方法が開示される。方法は、シムパスの幾何学性を変化されることなく、磁場における不均一性の1つ以上の幾何学的成分の抑制に貢献する単一のシム電流を利用する。方法を実行する装置もまた開示される。態様において、装置は実質的に共通に方向付けられたシムパスを含む。
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【課題】渦巻状の電気導体32の電気抵抗を増加させることなく、渦巻状の電気導体32における電流中心の偏りを矯正可能な磁気共鳴イメージング装置を提供する。
【解決手段】渦巻状の電気導体32の厚さが、電気導体32の幅方向で異なり、電気導体32の湾曲部11では、幅方向を曲率半径の半径方向として、半径方向の湾曲部11の外側は内側に比べて、電気導体32の厚さが厚くなっている。電気導体32は、厚さが略一定の定厚部材と、定厚部材の上に局所的に設置される追加部材とを有する。また、電気導体32は、厚さが略一定の定厚部材を有し、定厚部材には、略一定の厚さより薄い異厚部が局所的に設けられている。そして、電気導体32は、傾斜磁場コイルと、シムコイルと、高周波照射コイル、高周波受信コイルの内の、少なくともいずれか1つである。 (もっと読む)


磁場の正弦型および余弦型の球面調和関数を生成することによって磁気共鳴システムの磁場をシミングするモザイク式シム・コイル。前記モザイク式シム・コイルは少なくとも四つのサドル・コイルを有し、前記少なくとも四つのサドル・コイルの方位角方向のスパンの和は360度未満である。それぞれシム場の正弦および余弦成分を生成する第一および第二の組のサドル・コイルが単一のコイル層に組み合わされ、それによりシム・コイル・アセンブリーの動径方向の厚さを減らす。
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本発明は、均一磁場を生成するための装置、およびそのような装置を製造するための仕様を提供する試料室内の磁場に関する最適化法に関する。この装置は、磁場を生成するための少なくとも1つの磁場コイルを備え、磁場コイルの巻線が、連続的に前記試料室に巻き付けられ、磁場コイルの巻線直径が、少なくとも磁場コイルの部分領域で試料室の長手軸に沿って連続的に変化することを特徴とする。ここで、磁場コイルが有限長であるために引き起こされる磁場不均一性の補正が、磁場コイル全体に分散される。それにより、この装置は、従来技術に従って不均一性の補正のために使用される補正コイルを用いるよりも簡単に、かつ正確に実現することができる。磁場を最適化するための方法は、従来の磁場の級数展開ではなく、最適化パラメータに基づく磁場のシミュレーションと組み合わせて目的関数を使用する。この目的関数は、級数展開よりも大きな範囲で使用することができる。
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