【課題】間接変換方式のフラットパネル型Ｘ線センサーにおいて、分解能の一層の向上を図る。
【解決手段】Ｘ線検出素子としての微少電子放出源２をアレイ状に並べたカソード基板３と、微少電子放出源２からの電子ビームを電気信号に変換する光電変換膜４を成膜したアノード基板５とを互いに平行に配置する。微少電子放出源２と光電変換膜４は真空セル７に封じ込められ、これによりフラットパネル型Ｘ線センサー１の撮像板９が構成される。撮像板９には、磁力線がカソード基板３及びアノード基板５に垂直な磁場を、微少電子放出源２及び光電変換膜４の存在する領域全体にわたって形成する一様磁場形成装置１０が組み合わせられる。一様磁場形成装置１０は強磁性体プレート１１、１２と磁石１３を組み合わせて構成される。 （もっと読む）

ガンマ線検出器が、開示されている。例えば、フッ化バリウムのシンチレーション層は複数の隣接する細長いロッドからなり、各ロッドは前記層の面内に延び、複数のスロットを備え、前記スロットはロッドの長さに沿って分散され、同様に前記層と同一面の幅方向に延びている。シンチレーション層の後方では、センサが前記層から放出するＵＶ光子の位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】短波長の放射線を検出し且つ低コストで大面積化すること。
【解決手段】絶縁層（１１ａ〜１９ａ）と、前記絶縁層（１１ａ〜１９ａ）の両表面に形
成された一対の電極層（１１ｂ〜１９ｂ）であって、一対の電極層（１１ｂ〜１９ｂ）間
に電圧が印加される電極層（１１ｂ〜１９ｂ）と、前記電極層（１１ｂ〜１９ｂ）表面に
形成され、短波長の放射線と反応して電子を発生させる重金属製の放射線反応層（１１ｃ
〜１９ｃ）と、を備え、ガス中に配置され、多数の貫通孔（２０）が形成されたガス電子
増幅器（１１〜１９）。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐放射線性及び二次電子放出特性に優れている量子ビームモニタ用電極を提供すること。
【解決手段】本発明の量子ビームモニタ用電極１は、複数のリボン状のカーボングラファイト薄膜２１０が所定間隔おきに一方向に沿って並設されたモニタターゲット２１を備えている。カーボングラファイト薄膜２１０は、厚さが０．５〜１００μｍ、幅が０．０５〜５０ｍｍであることが好ましく、隣接するカーボングラファイト薄膜２１０間の距離は、０．０１〜１００ｍｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 異なる電圧印加状態においても荷電粒子の飛行軌跡を所望の状態に維持できるよう電界パターンを調整した荷電粒子検出装置を提供する。
【解決手段】 ＭＣＰ群２をＩＮ電極１とＯＵＴ電極３とで挟み込み、ＯＵＴ電極３に対向してアノード基板４０を配置し、アノード端子４１からコンデンサ６２を介して出力信号部であるＢＮＣ端子６に接続されている。ここで、ＩＮ電極１とアノード基板４０を後方から覆う後方カバー５との間に配置される各構成部材は、径方向においてＩＮ電極１の側壁から外側へと突出しないように配置されている。 （もっと読む）

例えば医用撮像用のＸ線検出器として使用するための大面積検出器（３）は、積層を貫通して各信号収集器（１０）と連絡するチャネル（６）を有する複数の交互に積み重ねられたダイノードおよび絶縁層から成るモノリシック増幅装置と組み合わされた放射線感応検出器（８）から構成される。大面積検出器（３）は、１ｍｍ²当たり５０〜６０画素程度の高解像度を達成しながら、１ｍ²またはそれ以上のタイルで形成することができる。
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【課題】集光ミラーにレーザー光線を入射させる際に用いる可変形鏡の鏡面の形状を最適化することによって、高エネルギー粒子を発生させる。
【解決手段】高エネルギー粒子発生装置１には、レーザー光線１１を反射させる鏡面２１と鏡面２１に接続される複数のアクチュエータ２２とを具備すると共にアクチュエータ２２に電圧を印加することより鏡面２１の形状が変形する可変形鏡２０と、集光手段３０により集光させられたレーザー光線１１により電離可能な試料４０と、試料４０から発生した高エネルギー粒子を検出する固体飛跡検出手段５０とが真空容器６０内に設けられる。固体飛跡検出手段５０により検出されたデータに基づいて最も高いエネルギーを有する高エネルギー粒子を発生させるように遺伝的アルゴリズムを用いて複数のアクチュエータ２２に印加する電圧の組み合わせを最適化する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光の被照射面にコンタミネーションが付着しやすい場合においても、照射光量を正確に測定することが可能なＥＵＶ光の照射光量測定装置を提供する。
【解決手段】 ミラー基板１の表面には多層膜２が形成されている。多層膜２はこのミラーの有効領域４を覆うように形成されている。多層膜２には電流計Ａ１が電気的に接続されており、ＥＵＶ光入射時に放出される光電子電流を測定できる。ミラーへ入射するＥＵＶ光は、有効領域４よりも少し広い、ＥＵＶ光入射範囲５に入射している。このＥＵＶ光入射範囲５内で、有効領域４の外の領域に、光電子検出用薄膜３が形成されている。光電子検出用薄膜３には電流計Ａ２が電気的に接続されており、ＥＵＶ光入射時に放出される光電子電流を測定できる。電流計Ａ１、Ａ２での測定を行うことにより、コンタミネーションが付着の影響を補償し、ＥＵＶ光の照射量を正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】形成されるアノード電極の高さがそれぞれ基板表面まで均一に達していて、電極先端に突起形状のない放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】２層基板の第１の導体層３２ａに所定の配線パターン３２ｐを形成する工程と、第２の導体層３２ｂにアノード電極に対応する開口を形成する工程と、第２の導体層に高エネルギービームを照射して開口の位置に、第１の導体層の配線パターンに達する貫通孔４０を形成する工程と、貫通孔を金属めっきにより金属で充填し、金属めっき層４１、４２を形成する工程と、形成された金属めっき層及び第２の導体層を所定の厚さまで除去する工程と、パターン形成して貫通孔から突出するアノード電極４６とリード配線４５とカソード電極４４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、荷電粒子測定の位置有感飛行時間測定における検出効率を飛躍的に向上させる装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明による装置は、静電場を用いて荷電粒子を外部ダイノードに衝突させ、生成した２次電子を不均一磁場で制御してＭＣＰと位置有感型検出器により検出することにより、歪の少ないズーム画像を得ることをおよび、２次電子に変換して検出するために、ＭＣＰの感度を向上させることを特徴とする。 （もっと読む）