光信号増幅３端子装置１０においては、第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１と第２波長λ_２の第２入力光Ｌ_２とが入力された第１光増幅素子２６からの光から選択された第２波長λ_２の光と、第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３とが第２光増幅素子３４へ入力させられるとき、その第２光増幅素子３４から出された光から選択された第３波長λ_３の出力光Ｌ_４は、前記第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１および／または第３波長λ_３の第３入力光Ｌ_３の強度変化に応答して変調された光であって、前記第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３に対する信号増幅率が２以上の大きさの増幅信号となるので、光信号の増幅処理を制御入力光を用いて直接行うことができる光信号増幅３端子装置１０を得ることができる。
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【課題】 偏光依存性を低減した光信号交換装置を実現することを目的にする。
【解決手段】 本発明は、入力された光信号を、複数設けられる出力ポートのうち所望の出力ポートから出力する光信号交換装置に改良を加えたものである。本装置は、光信号を、互いに９０度異なる第１、第２の偏光成分に分けて出力する分離素子と、分離された光信号のうち、どちから一方の光信号の偏光面を９０度回転させる第１の偏光面制御素子と、分離素子からの他方の光信号を、所望の出力ポート側に経路を切り替えて出力する第１のキャリア注入光導波路型光スイッチと、第１の偏光面制御素子からの光信号を、所望の出力ポート側に経路を切り替えて出力する第２のキャリア注入光導波路型光スイッチと、第１のキャリア注入光導波路型光スイッチからの光信号の偏光面を９０度回転させる第２の偏光面制御素子と、第２のキャリア注入光導波路型光スイッチと第２の偏光面制御素子とからの光信号を合わせ、出力ポートに出力するコンバイナとを設けたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】入力光ビームを第一及び第二の光ビームに分割する光学スプリッタ１１ａ、１１ｂと、前記第一及び第二の光ビームをそれぞれ受け取り且つ伝送すべく前記光学スプリッタ１１ａ、１１ｂと接続された第一及び第二の導波路アーム９、１２であって、前記導波路アーム９、１２の各々がグループＩＶの半導体材料を備え又はグループＩＶの半導体材料の組み合わせを備えるコア領域３２を有する前記第一及び第二の導波路アーム９、１２と、前記第一及び第二の導波路アーム９、１２と接続され、前記記第一及び第二の光ビームを受け取り且つ該光ビームを合成して出力光ビームにする光コンバイナ１４ａ、１４ｂと、前記第一及び第二の導波路アーム９、１２とそれぞれ関係付けられた第一及び第二の電極構造体２０、２１と、前記第一及び第二の電極構造体２０、２１に電圧を供給する駆動回路８０とを備える、光変調器１において、前記駆動回路８０は、第一の電極構造体２０に対して第一のバイアス電圧に重ね合わせた第一の変調電圧を供給し、また、第二の電極構造体２１に対して第二のバイアス電圧に重ね合わせた第二の変調電圧を供給し得るようにされることを特徴とする、光変調器である。
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本発明は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）型の基板内にリッジとして形成された導波路と活性領域とを有する光信号を制御するように設計されたオプトエレクトロニクス部品に関し、該活性領域はＮ＋型にドープまたはＰ＋型にドープ（δドープ）された複数の非常に薄いシリコン層から成り、Ｎ＋ドープ領域とＰ＋ドープ領域との間に配置されており、これらＮ＋ドープ領域とＰ＋ドープ領域はＰＩＮダイオードを形成し、該活性領域の両側にある２つの電極に接続され、該部品の分極を可能にしている。本発明はオプトエレクトロニクス部品の作製方法にも関する。本発明は更に、オプトエレクトロニクススイッチの作製のためのオプトエレクトロニクス部品の使用およびオプトエレクトロニクス変調器の作成のためのオプトエレクトロニクス部品の使用にも関する。
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【課題】
【解決手段】ＳＯＩ−ベースの光学構造内の光の操作を二次元で能動的に制御する構成が、シリコン−絶縁体−シリコン容量性（ＳＩＳＣＡＰ）構造のＳＯＩ層とポリシリコン層内に形成されたドープ領域を使用する。この領域は、逆にドープされて、能動デバイスを形成しており、ここで、逆にドープされた領域間の電圧電位の印加が、影響を受ける領域中の屈折率を変化させ、当該領域内を伝達する光学信号の特性を変えるように機能する。ドープ領域は、有利なことに、あらゆる所望の「形状」（例えば、レンズ、プリズム、ブラッググレーティング、他）を示すように形成されており、伝達ビームをこれらのデバイスの公知の特性の機能として操作する。本発明の一またはそれ以上の能動デバイスが、ＳＩＳＣＡＰ内に形成されたＳＯＩ−ベースの光学エレメント（例えば、マッハ−ツェンダ干渉計、リング共鳴器、光学スイッチ、他）内に含まれており、能動的な、チューニング可能なエレメントを形成する。 （もっと読む）

【課題】共平面導波管線路は、基板と、前記基板上の中央電極ストリップと、前記中央電極ストリップの反対側に配置され、かつそれらに平行に延びている、第１および第２の電極ストリップと、前記基板上の第１および第２の光導波路であって、前記第１および第２の電極ストリップのあいだに配置され、かつそれらに平行に延びている前記光導波路を備える。前記中央電極は前記第１の光導波路の近傍に延びている少なくとも１つのＴ−レールを備える。前記第１の電極は前記第２の光導波路の近傍に延びている少なくとも１つのＴ−レールを備え、前記基板は前記光導波路間に延びているｎ⁺ 導電層を備える。前記共平面導波管線路は、さらに、第１および第２の電極ストリップの間の電気接続を備える。 （もっと読む）

光導波路（２０）の両側に位置決めされ、導波路（２０）の伝搬パターンを変更するように働く回折格子（３４、３６）を備えるＰＩＮ電気光学進行波変調器（１０）。変調器（１０）は、Ｎ型層（１４）、Ｐ型層（１８）、及び導波路（２０）として作用する真性層（１６）を備える。金属電極（２６）がＮ型層（１４）に電気的に接触し、金属電極（３０）がＰ型層（１８）に電気的に接触する。電極（２６、３０）は、ＲＦ伝送線路を画定する。光波（２２）が導波路（２０）に沿って伝搬し、格子（３４、３６）と相互作用し、格子（３４、３６）は、光波（２２）の速度を伝送線路のＲＦ波の速度に合わせるように光波（２２）を遅延させる。一実施形態では、格子（３４、３６）は、導波路（２０）内の垂直孔（３８）によって形成される２次元格子である。
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【課題】接続部分における電気反射を抑制することにより、伝搬する電気信号波形の劣化を抑制できる高周波電気伝送線路の接続構造を提供すること。
【解決手段】同一基板上に構成され、前記基板上のベンゾシクロブテン膜３上に形成されたマイクロストリップ１を信号線とする第１の高周波電気伝送線路と、前記基板上のインジウムリン系誘電体膜４上に形成され、マイクロストリップ１の線幅よりも狭い線幅を有する進行波型電極２を信号線とする第２の高周波電気伝送線路とを電気的に接続する高周波電気伝送線路の接続構造において、マイクロストリップ１を進行波型電極２に電気的に接続する接続線の線幅がインジウムリン系誘電体膜４上で変化していることを特徴とする高周波電気伝送線路の接続構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】高周波での性能が改善された光導電性スイッチを提供する。
【解決手段】光導電性スイッチは、比較的広いエネルギーバンドギャップを有する第１及び第２の半導体、及びそれらの間に挟まれるように置かれる第３の半導体からなる光導電層を有する。第３の半導体のエネルギーバンドギャップは第１及び第２の半導体に比較して狭いものとされる。また、第１の半導体と第２の半導体とは、導電タイプ（ｐ型又はｎ型）が相違し、これによりダブルヘテロ接合構造とされる。第１の半導体の表面に離間して電極が設けられる。低挿入損及び高アイソレーションの光導電性スイッチが実現される。 （もっと読む）