シリコン型光変調素子が、変調効率、及び「チャープ（ｃｈｉｒｐ）」（すなわち、経時変化する光学位相）の制御が改善されたのを呈示し、選択した変調デバイスの第１の領域（例えば、共通ノードとして規定される多結晶シリコン領域）に別個にバイアスをかけることによって提供される。共通ノードはシリコン型光変調素子の電圧振幅をその蓄積領域に遷移することによってバイアスをかけられ、印加電圧（ＯＭＡが大きくなる）及び消光比の改善の関数として位相において変化が大きくなることを呈示する。蓄積領域における応答は更に相対的に線形性であり、チャープは更に容易に制御できる。電気変調した入力信号（及び逆位の信号）は別個の入力として、変調素子の各アームの第２の領域（例えば、ＳＯＩ領域）に印加される。 （もっと読む）

【課題】活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。
【解決手段】活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。第２の層を成長させない溝２８の底面２６は平坦で幅広に形成される。コンタクト用電極３０は底面２６内に配置可能となり、その狭幅化により面積が縮小され、当該電極３０の寄生容量が低減される。また、第２の埋め込み層の膜厚を厚くすることにより、パッド電極３４とｎ型基板２との間の寄生容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】高速レベル等価動作を実現し、集積性および生産性を向上させる。
【解決手段】光レベル等価器は、入力光を任意の強度に減衰させて出力する可変光減衰器１−２と、入力光を分岐させる光タップ１−６と、光タップ１−６によって分岐された光の強度を検出する光検出器１−３と、光検出器１−３で検出された光強度に応じて可変光減衰器１−２の光減衰率を制御する制御用電子回路１−４とを、ワンチップに集積した構造を有する。可変光減衰器１−２は、シリコン光導波路を用いた導波路型可変光減衰器である。 （もっと読む）

【課題】光変調器へ入力される光の波長や光強度によって変調特性が変動してしまう問題点を改善し、変調器の安定動作を実現すること。
【解決手段】一実施形態による、光変調器に用いられる光変調導波路は、半導体クラッド層（バリア層）としての半絶縁型クラッド層に接する第２のｎ型半導体クラッド層の一部、または第２のｎ型半導体クラッド層と半絶縁型クラッド層（半導体クラッド層）の一部を、ｐ型の導電性を持つｐ型半導体領域とする。このｐ型半導体領域は、光変調導波路の光進行方向に繰り返し複数配置される。入力光が半導体光導波層において光吸収されて発生したホールは、このｐ型半導体領域を介して、第２のｎ型半導体クラッド層と共通の電極から引き抜かれる。これにより、バリア層である半絶縁型クラッド層に、ホールが蓄積することを防止ないしは軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路型の可変光減衰器において、不要な電流の流れを防止し低消費電力で高速動作できるようにする可変光減衰器の作製方法を提供する。
【解決手段】シリコン基部１０１，埋め込み酸化層からなる下部クラッド層１０２，および表面シリコン層（ＳＯＩ層）２０１を備えるＳＯＩ基板を用意する。次に、ＳＯＩ層２０１を酸化処理して層厚５ｎｍ程度の酸化層２０２を形成する。例えば、酸素ガスの電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを、ＳＯＩ層２０１の表面に４分程度照射することで、酸化層２０２を形成することができる。この酸化処理で形成した酸化層２０２が、コア上部の酸化シリコン層となる。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光導波路の端面上に膜を備える半導体光素子及びその作製方法において、半導体基板の劈開、およびその後の取扱いの際における端面の損傷を低減する。
【解決手段】半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ、該半導体基板３の主面３ａに沿った光導波方向に延びる光導波路２と、光導波路２の両端に形成された端面２ａ，２ｂと、光導波方向における半導体基板３の両端に形成された劈開面３ｃ，３ｄと、光導波路２の端面２ａ，２ｂ上に設けられ、光導波路２の屈折率より小さい屈折率を有する膜１０ａ，１０ｂとを備える。膜１０ａ，１０ｂは、半導体基板３の劈開前に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには、位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で、長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離され、分離溝Ｇａｐに向かって連続的に幅が細くなる。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

【課題】 伝搬光の曲率を増大でき、低エネルギーで屈折率を調整可能なディスク共振器およびこれを用いた光フィルタを提供する。
【解決手段】 本発明のディスク共振器は、第１のクラッド層１１の上に、ほぼ円形状またはほぼ長円形状のディスク状のコア層１２が、メサ形状となるように形成され、コア層１２の上に、ほぼ円形状またはほぼ長円形状のディスク状の第２のクラッド層１３が、リブ形状となるように形成され、第１のクラッド層１１および第２のクラッド層１３の双方の屈折率が、コア層１２の屈折率よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）