【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クラッド層から熱伝導率の大きい電極へ直接熱を放熱するルートを確保し、使用環境温度が高い条件でも光素子特性を大きく劣化させることを防ぐ構造のリッジ型半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るリッジ型半導体レーザ３０１は、エッチングストップ層３３の上面ｍ、リッジ部クラッド層１４の上面ｒとするリッジストライプ状のリッジ部クラッド層１４と、リッジ部クラッド層１４の側面を覆う絶縁層１３と、を備え、リッジ部クラッド層１４の側面にある絶縁層１３の端部Ｐが、リッジ部クラッド層１４の上面ｒとエッチングストップ層３３の上面ｍとの間にある。 （もっと読む）

【課題】光導波方向における素子長を短縮することが可能なマッハツェンダー型光変調素子を提供すること。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、半導体基板４と、導波光を反射する反射部１ｂと、導波光を合分波する光合分波器３０と、光合分波器３０まで延在する第一及び第二光導波路２Ａ，３Ａと、光合分波器３０から反射部１ｂまで延在する第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂと、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの少なくとも一方の屈折率を変化させることにより光の位相を制御する位相制御部１０とを備え、位相制御部１０は、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの一部を各々構成し、該基板４上に設けられた下部クラッド層、該下部クラッド層上に設けられたコア層、及び該コア層上に設けられた上部クラッド層を各々含む第一及び第二光導波路構造と、第一及び第二光導波路構造の上に各々設けられた上部電極１１ａ，１１ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、光導波路１０，２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０を備える。光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体光変調器の形成プロセスや使用部品点数を増加させることなく、サージ耐性を向上させることができるサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層を複数積層した半導体層構造からなり、光の変調を行う半導体光変調領域１４と、半導体光変調領域１４の半導体層構造と同一の層構造からなり、半導体光変調領域１４を電気的に保護する保護ダイオード２４とを備え、半導体光変調領域１４と共に保護ダイオード２４を半導体基板上にモノリシック集積し、半導体光変調領域１４の活性領域と保護ダイオード２４とを電気的に並列に接続し、かつ、半導体光変調領域１４の活性領域と逆の電界を保護ダイオード２４に印加するように、半導体光変調領域１４と保護ダイオード１４とを配線するサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】プリチャープ伝送時にも良好な伝送特性を得ることができる半導体光変調器及びそれを用いた半導体光送信機を提供する。
【解決手段】半導体光変調器には、基板１上に設けられた光導波路４ａ及び４ｂを備えたマッハ・ツェンダ型光干渉計と、光導波路４ａ上に形成された電極１１ａと、光導波路４ｂ上に形成され、電極１１ａとは長さが相違する電極１１ｂと、が設けられている。更に、基板１上に光導波路４ａ及び４ｂから、光導波路４ａ及び４ｂから被変調光の波長以上離間して設けられた半導体メサ構造体７と、半導体メサ構造体７上に形成され、電極１１ｂに電気的に接続された補助電極１２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質なｎ−ｉ−ｎ構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器３００は、サファイア基板３０１上に、低温成長ＧａＮバッファ層３０２、第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３、第１のｉ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮクラッド層３０４、ｉ−ＧａＮ光導波層３０５、第２のｉ−Ａｌ_x'Ｇａ_1-x'Ｎクラッド層３０６、ｉ−Ａｌ_x''Ｇａ_1-x''Ｎ電子ブロック層３０７、第２のｎ−ＧａＮ電極層３０８が順次積層されている。エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 （もっと読む）