【課題】偽マスクの形成をさせると共にクラッド層がコンタクト層から露出することを回避可能にする、マッハツェンダー変調器を作製する方法を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー変調器１１では、第１のウイング部４７ａが第４のIII−Ｖ化合物半導体の［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ａと、第２のウイング部４７ｂが［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｂを有し、コンタクト層４７が［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｃを有する。故に、偽マスクの形成により導波路部１３ａの構造が乱されることがない。また、第１のウイング部４７ａは第１のトレンチ２３の外縁２３ａに到達し、第２のウイング部４７ｂは第２のトレンチ２５の外縁２５ａに到達する。故に、コンタクト層４７は、両ウイング部を形成可能な幅の半導体層から形成可能であるので、クラッド層４５がコンタクト層４７から露出されない。 （もっと読む）

【課題】できる限り費用対効果が高く製造される、テラヘルツシステム用のビート信号生成装置を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁の光を発生する第１の単一モードレーザ２と、第１の波長λ₁とは異なる第２の波長λ₂の光を発生する第２の単一モードレーザ３と、第１の出力ポート１１および第２の出力ポート１２と、第１のレーザ２の光の位相、および、第２のレーザ３の光の位相を変調する位相変調部４とを備え、第１のレーザ２の光は、第２のレーザ３を介して伝送され、第２の出力ポート１２において第２のレーザ２の光が重畳され、第２のレーザ３の光は、第１の単一モードレーザ２を介して伝送され、第１の出力ポート１１において第１のレーザ２の光が重畳され、これにより、第１の出力ポート１１からの第１のビート信号Ａと、第２の出力ポート１２からの第２のビート信号Ｂの間の位相が位相変調部４によって調整される。 （もっと読む）

【目的】より小さな変調電圧振幅で高速変調可能なリング光変調器を提供することを目的とする。
【構成】実施形態のリング光変調器は、リング共振器１２０と入出力光導波路１１０とを備えている。そして、前記リング共振器を構成する閉ループ光導波路１２１の共振波長λ_ｒにおける群屈折率をｎ_ｇ、閉ループ光導波路１２１の周長をｌ［μｍ］、閉ループ光導波路１２１のうち光カプラ１３０として機能するリング共振器１２０の一部を除く残りの部分の導波路長をｌ’［μｍ］とするとき、光カプラ１３０の出力から入力までリング共振器１２０を周回する共振波長λ_ｒの光に対して、電流ＯＦＦ時の共振器一周回あたりの損失ｘ［％］と光カプラのパワー結合比ｙ［％］が、所定の式（２）から式（８）までの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の共振波長を有する光デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する光デバイス１０は、光を伝搬するコア層１２を有し、コア層１２を伝搬する光を共振させる共振部１４と、コア層１２に沿って幅が変化しながら延びる共振波長変調層１６と、を備える。共振部１４は、コア層１２における長手方向の両側部に設けられた回折格子１３か、又は、コア層１２を伝搬する光と結合可能に配置された複数のリング型光導波路１７を有する。共振波長変調層１６は、コア層１２の光の伝搬方向における共振波長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 容易にゼロチャープ変調と負チャープ変調とを行うことが可能な光半導体素子を提供する。
【解決手段】 光分波器が、第１及び第２の入力ポートと、第１及び第２の出力ポートとを含む。第１の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光と、第２の出力ポートに出力される信号光との強度が等しくなり、第２の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光の強度が、第２の出力ポートに出力される信号光の強度より大きくなる。光合波器が、第３及び第４の入力ポートと、第３及び第４の出力ポートとを含む。第１の光導波路が、第１の出力ポートと第３の入力ポートとを接続し、第２の光導波路が、第２の出力ポートと第４の入力ポートとを接続する。第１の変調電極及び第２の変調電極に印加される電圧により、第１の光導波路及び第２の光導波路の光路長が変化する。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ基板とTO-CANパッケージの接続部における特性インピーダンスを整合させて、40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する安。
【解決手段】TO-CANパッケージ１３と、FPC基板１２とを有し、FPC基板１２の表面に高周波信号線２６と接地電極２８が配され、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が記高周波信号線２６に接続され、高周波信号線２６から、同軸ピン２２を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、高周波信号線２６と接地電極２８との間の距離が0.1mm以上0.3mm以下である構成の光送信モジュールとする。 （もっと読む）