【課題】 負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第１の半導体アームに設けられた第１位相制御電極、第１変調電極、および補助電極と、前記第２の半導体アームに設けられた第２位相制御電極および第２変調電極と、を備え、前記第２変調電極の電極実効長は、前記第１変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型領域とＮ型領域との間の電圧印加により位相を変調させる際の応答速度を高めることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路素子１が位相変調部に用いられた光変調器。光導波領域４は、光の導波方向に沿って延在する厚板部３と、厚板部３の幅方向一方側および他方側にある薄板部２（２Ａ、２Ｂ）とを有する。光導波領域４は、厚板部３にてＰ型領域５とＮ型領域６とに分離されている。Ｐ型領域５とＮ型領域６の薄板部２Ａ、２Ｂには、それぞれ電圧印加用の電極７Ａ、７Ｂが接続されている。薄板部２Ａ、２Ｂの厚さは８０〜１１０ｎｍとされる。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂上の絶縁膜におけるクラックの発生を抑制することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造１４が主面２ａ上に形成された半導体基板２の主面２ａ上に樹脂を塗布し、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９に対してエッチングを行い、誘電体樹脂層９に開口９ａを形成することによりコンタクト層１３を露出させる。コンタクト層１３及び誘電体樹脂層９を覆う絶縁膜１６を形成する。メサ構造１４上の絶縁膜１６に対してエッチングを行い、絶縁膜１６に開口１６ａを形成することによりコンタクト層１３を再び露出させる。このとき、開口１６ａの一端部１６ｃは、主部１６ｂと比べて幅広の部分を有する。その後、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】変調の高効率化と波長帯域の広範囲化とを両立しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される導波路と、導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、リング変調器内の光パワーをモニタする光検出器と、リング変調器及び光検出器に接続され、光検出器により検出された信号に基づいて変調信号をリング変調器に印加する制御部とをそれぞれ有する複数の変調部とを有し、複数の変調部は、リング変調器の直径が互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 バイアス電圧を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかるマッハツェンダ型変調器は、入力された光を分岐する光分岐導波路と、ＰＮ接合構造またはＰＩＮ接合構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第１のアーム光導波路と、量子井戸構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第２のアーム光導波路と、前記第１のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第１の位相電極と、前記第２のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第２の位相電極と、を備え、 前記第１の位相電極に順方向電圧を印加し、前記第２の位相電極に０Ｖまたは逆方向電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分を抽出することができる光周波数ダブラおよびマルチキャリア発生器を提供する。
【解決手段】 光周波数ダブラは、 光信号を２つに分岐する分岐部と、分岐部に接続された２本の半導体光導波路と、２本の半導体光導波路のそれぞれに対して同振幅で逆位相の変調信号を入力するための変調用電極と、２本の半導体光導波路から入力された光信号の偶数次高調波成分あるいは奇数次高調波成分の何れかを同相で合成して出力する合波部と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、常に最適な動作点に制御できる光波長変換器を得る。
【解決手段】信号光を増幅する前置半導体光増幅器５と、プローブ光を２つに分配する光分波器８ａと、前置半導体光増幅器５からの信号光及び光分波器８ａからのプローブ光を合波する光合波器６ａと、光合波器６ａにより合波された信号光及びプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）７と、光分波器６ａにより分配されたプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）９と、ＳＯＡ７、９の出力光を合波して波長変換光として出力する光合波器６ｂと、波長変換光を２つに分配する光分波器８ｂと、光分波器８ｂにより分配された波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオード１０と、フォトダイオード１０から出力された電流が最大値となるように、前置半導体光増幅器５のバイアス電流を制御する前置ＳＯＡ制御回路１２とを備える。 （もっと読む）